臺積電公布創(chuàng)新芯片技術(shù)A16，將于2026年下半年投入量產(chǎn)

Kevin Zhang還進一步強調(diào)了人工智能芯片廠商對A16技術(shù)的熱切期待。他表示：“他們渴望充分發(fā)揮我們制程的全部性能，以實現(xiàn)其設(shè)計的最佳優(yōu)化。

2024-04-25 標(biāo)簽：臺積電晶圓代工芯片制造 1263 0

臺積電表示A16工藝不需NAEU，新一代CoWoS封裝獲重大突破

在封裝技術(shù)的研發(fā)道路上，臺積電從未停止過前進的腳步。而除了CoWoS封裝技術(shù)的巨大進展，該公司還首次對外公布了其A16制程工藝。

2024-04-28 標(biāo)簽：臺積電EUVCoWoS 1262 0

美光預(yù)測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務(wù)器拓展至消費級設(shè)備，對高級內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（HBM）的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025...

2024-10-26 標(biāo)簽：美光人工智能EUV 1262 0

7nm制程硝煙四起 臺積電/三星要超越英特爾？

在一場將于12月舉行的技術(shù)研討會上，晶圓代工大廠臺積電（TSMC）將與競爭對手Globalfoundries、三星（Samsung）結(jié)成的伙伴聯(lián)盟，公開...

2016-10-25 標(biāo)簽：芯片制造EUV7nm制程 1235 0

紫光展銳ic設(shè)計給力 6納米工藝的5G芯片的手機明年將上市

紫光展銳ic設(shè)計很給力；紫光展銳積極布局5G，除了搭載其6納米5G芯片的手機將于明年量產(chǎn)，展銳還推出了一系列5G產(chǎn)品。 T7520很快會達(dá)到CS（商業(yè)樣...

2020-11-12 標(biāo)簽：IC設(shè)計socEUV 1221 0

英特爾10nm設(shè)計規(guī)則初定，EUV技術(shù)恐錯過良機

盡管英特爾在距今4年前便已開始計劃10nm節(jié)點，但該公司目前正在敲定相關(guān)的制程設(shè)計規(guī)則，而EUV則遲遲未能參與此一盛晏。“EUV趕不及參與10nm節(jié)點設(shè)...

2011-03-08 標(biāo)簽：英特爾10nmEUV 1214 0

英特爾搶下6種ASML HIGH NA光刻機

如果我們假設(shè)光刻機成本為 3.5 億至 4 億美元，并且 2024 年 10 個光刻機的HIGH NA 銷售額將在 35億至40億美元之間。

2023-12-28 標(biāo)簽：英特爾臺積電光刻機 1213 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)：EUV光刻最新進展如何

現(xiàn)在16/14nm節(jié)點時通常采用兩次圖形曝光技術(shù)，如果EUV成功量產(chǎn)，可以避免在10nm及以下時要采用三次或者四次圖形曝光技術(shù)，成本上可大幅的節(jié)省。

2016-08-02 標(biāo)簽：英特爾EUV 1208 0

摩爾定律在14nm節(jié)點上迎來大挑戰(zhàn)

在2012年度的國際電子元件大會上，有專家指出，半導(dǎo)體制程在14nm的節(jié)點上會迎來大挑戰(zhàn)，而不符合偶爾定律的要求。

2012-12-13 標(biāo)簽：摩爾定律EUV 1205 0

美國商務(wù)部更新半導(dǎo)體出口管制細(xì)則

實際上，浙商電子的研究報告指出，美方此次出口管制的核心轉(zhuǎn)變在于加強了對EUV掩?；宓墓芸?，明晰了集成電路的性能關(guān)鍵參數(shù)定義及計算方法，強化了對集成電路...

2024-04-03 標(biāo)簽：芯片集成電路EUV 1204 0

三星曝光技術(shù)大進展！

據(jù)報導(dǎo)，三星已主要客戶的部分先進 EUV 代工生產(chǎn)在線導(dǎo)入 EUV 光罩護膜。雖然三星也在 DRAM 生產(chǎn)線中采用 EUV 制程，但考慮到生產(chǎn)率和成本，...

2023-12-05 標(biāo)簽：薄膜EUV三星 1200 0

美國BIS更新出口管制新規(guī)，強化半導(dǎo)體出口監(jiān)管

首先，對EUV掩膜基板追加管制。特別是專供EUV光刻制程之用的掩膜基板現(xiàn)已正式納入出口控制范圍，相關(guān)出口皆需遵循嚴(yán)格的許可要求。

2024-04-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV掩膜 1198 0

ASML創(chuàng)下新的EUV芯片制造密度記錄，提出Hyper-NA的激進方案

ASML在imec的ITF World 2024大會上宣布，其首臺High-NA（高數(shù)值孔徑）設(shè)備已經(jīng)打破了之前創(chuàng)下的記錄，再次刷新了芯片制造密度的標(biāo)準(zhǔn)。

2024-05-30 標(biāo)簽：芯片制造EUVASML 1185 0

芯片設(shè)計的光刻成本問題

小芯片與單片的決定現(xiàn)在變得更加困難。一旦考慮到封裝成本，單片芯片的制造成本很可能會更便宜。此外，小芯片設(shè)計存在一些電力成本。在這種情況下，構(gòu)建一個大型單...

2022-07-25 標(biāo)簽：晶圓EUVDUV 1164 0

三星攜EUV微影技術(shù)7nm工藝加入半導(dǎo)體制程大戰(zhàn)

在這場最先進工藝產(chǎn)能的競爭中，隨著三星和Intel的加入，無論是哪一家獲得蘋果或高通的芯片訂單，沒有獲得這兩家大客戶訂單的半導(dǎo)體代工廠都會爭取大陸的芯片...

2016-09-02 標(biāo)簽：三星電子10nmEUV 1144 0