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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問題，國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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ASML擬于2030年推出Hyper-NA EUV光刻機(jī)，將芯片密度限制再縮小

ASML再度宣布新光刻機(jī)計(jì)劃。據(jù)報(bào)道，ASML預(yù)計(jì)2030年推出的Hyper-NA極紫外光機(jī)（EUV），將縮小最高電晶體密度芯片的設(shè)計(jì)限制。 ASML前...

2024-06-18 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV ASML 873 0

ASML CEO傅恪禮:亞洲將繼續(xù)主導(dǎo)芯片行業(yè)

ASML總裁兼CEO傅恪禮近日在接受外媒采訪時(shí)指出，盡管西方國(guó)家正在積極增加芯片生產(chǎn)，但亞洲在芯片行業(yè)中的主導(dǎo)地位不太可能發(fā)生改變。

2024-10-10 標(biāo)簽：芯片 EUV ASML 863 0

ASML第四季度銷售額超預(yù)期，中國(guó)市場(chǎng)份額下滑

得益于極致紫外線（EUV）設(shè)備搶手，ASML第四季度訂單預(yù)估額高達(dá)91.9億歐元（折合99.8億美元），比第三季度的26.02億歐元足足翻了近三番。根據(jù)...

2024-01-25 標(biāo)簽：紫外線 EUV ASML 856 0

李在镕會(huì)長(zhǎng)訪問蔡司總部，強(qiáng)化半導(dǎo)體技術(shù)和高端設(shè)備合作

蔡司作為ASML EUV光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)唯一供應(yīng)商，其提供的三萬(wàn)余個(gè)組件構(gòu)成了每臺(tái)EUV光刻機(jī)的核心部分，同時(shí)在EUV光刻技術(shù)領(lǐng)域持有超過2000項(xiàng)關(guān)鍵專利。

2024-04-29 標(biāo)簽：EUV ASML 蔡司 854 0

英特爾完成高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)，將用于14A制程

半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）于去年底在社交媒體上發(fā)布照片，揭示已向英特爾提供第一套高數(shù)值孔徑EUV系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。如今英特爾宣布已完成組裝，這無(wú)疑...

2024-04-19 標(biāo)簽：英特爾 EUV 半導(dǎo)體設(shè)備 849 0

光刻膠技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)共性難題解決新方向

隨著半導(dǎo)體制造工藝節(jié)點(diǎn)不斷發(fā)展至100納米甚至更小的10納米級(jí)別，如何制作出尺寸精度高、表面特征優(yōu)秀、線邊緣粗糙度低的光刻圖形已逐漸成為整個(gè)行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。

2024-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造 EUV 光刻膠 847 0

傳臺(tái)積電將下調(diào)資本支出至300億美元以下為近三年低點(diǎn)

在今年7月的法律中，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭表示，大學(xué)每年的資本支出計(jì)劃都考慮到顧客今后數(shù)年間的需求及增長(zhǎng)，指出了以下幾點(diǎn)。制定短期應(yīng)對(duì)不確定、對(duì)人適當(dāng)緊縮資...

2023-10-17 標(biāo)簽：臺(tái)積電 EUV ASML 841 0

日本與荷蘭簽署半導(dǎo)體合作備忘錄

euv極紫外光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備，用于7納米以下工程的半導(dǎo)體制造。荷蘭對(duì)這種尖端設(shè)備實(shí)施出口控制，限制對(duì)中國(guó)的出口。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道...

2023-06-26 標(biāo)簽：光刻機(jī)半導(dǎo)體制造 EUV 834 0

英特爾與西門子合作推動(dòng)制造及能源效率

英特爾全球運(yùn)營(yíng)總監(jiān)埃斯法賈尼（Keyvan Esfarjani）表示：“英特爾對(duì)我們的擴(kuò)張計(jì)劃抱有雄心勃勃的計(jì)劃，但我們將重點(diǎn)放在天然資源的效率性和零...

2023-12-05 標(biāo)簽：英特爾芯片技術(shù)EUV 830 0

Rick Gottscho博士：下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗(yàn)方面的挑戰(zhàn)

泛林集團(tuán)首席技術(shù)官Rick Gottscho博士接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering （SE）的專訪。

2020-10-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)技術(shù)機(jī)器學(xué)習(xí)EUV 828 0

淺談下一代***工藝相關(guān)的突破性解決方案

High NA EUVL 的出現(xiàn)將進(jìn)一步提高分辨率并減小特征尺寸，同時(shí)降低焦深。這當(dāng)然會(huì)導(dǎo)致薄膜（film）厚度縮小，這需要實(shí)施新的光刻膠和underl...

2023-03-08 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 光刻膠 814 0

長(zhǎng)江后浪推前浪，比《流浪地球》更硬核的光刻新紀(jì)元神作“EUV”已誕生！

極紫外光刻時(shí)代的大幕已拉開……

2019-02-27 標(biāo)簽：EUV 811 0

三星新建5nm晶園廠，使用先進(jìn)的極紫外光微影

2020年以來，以臺(tái)積電和三星為代表的芯片半導(dǎo)體也從7nm逐步向5nm進(jìn)發(fā)，實(shí)際上麒麟1020和蘋果A14芯片就是基于臺(tái)積電5nm工藝，表現(xiàn)相較7nm將...

2020-07-09 標(biāo)簽：三星電子 EUV 804 0

三星研發(fā)下一代EUV關(guān)鍵組件

半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商石墨烯實(shí)驗(yàn)室于11月14日宣布，其已開發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜（pellicles）的技術(shù)，并已準(zhǔn)備好量產(chǎn)新型薄膜。

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子石墨烯 801 0

臺(tái)積電在2nm制程技術(shù)上展開防守策略

臺(tái)積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來，臺(tái)積電堅(jiān)定地遵循著每一步一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。

2024-01-25 標(biāo)簽：晶圓代工芯片制造 EUV 785 0

一種無(wú)透鏡成像的新方法

使用OAM-HHG EUV光束對(duì)高度周期性結(jié)構(gòu)進(jìn)行成像的EUV聚光顯微鏡為了研究微電子或光子元件中的納米級(jí)圖案，一種基于無(wú)透鏡成像的新方法可以實(shí)現(xiàn)近乎...

2024-07-19 標(biāo)簽：激光成像 EUV 780 0

臺(tái)積電營(yíng)收強(qiáng)勢(shì)攀升，AI/HPC業(yè)務(wù)表現(xiàn)搶眼

從客戶構(gòu)成來看，臺(tái)積電在2023年的營(yíng)收中，蘋果占據(jù)了25%的份額，穩(wěn)居第一。

2024-04-11 標(biāo)簽：臺(tái)積電蘋果 AI 777 0

Aston 過程質(zhì)譜應(yīng)用于 EUV 極紫外光源鹵化錫原位定量

上海伯東日本 Atonarp Aston? 過程質(zhì)譜分析儀通過快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)了更佳的反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston?...

2023-06-20 標(biāo)簽：晶圓 EUV EUV光刻機(jī) 775 0

ASML考慮推出通用EUV光刻平臺(tái)

范登布林克指出，更高的數(shù)值孔徑能提高光刻分辨率。他進(jìn)一步解釋說，Hyper NA 光刻機(jī)將簡(jiǎn)化先進(jìn)制程生產(chǎn)流程，避免因使用 High NA 光刻機(jī)進(jìn)行雙...

2024-05-23 標(biāo)簽：分辨率光刻機(jī)EUV 765 0

英特爾率先推出業(yè)界高數(shù)值孔徑 EUV 光刻系統(tǒng)

來源：Yole Group 英特爾代工已接收并組裝了業(yè)界首個(gè)高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。新設(shè)備能夠大大提高下一代處理器的分辨率和功能...

2024-04-26 標(biāo)簽：英特爾 EUV 光刻系統(tǒng) 757 0

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3D打?。?DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場(chǎng)的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個(gè)不同元器件類別，并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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瑞芯微電子有限公司（Fuzhou Rockchips Electronics CO., Ltd）主要致力于數(shù)字音視頻和廣播領(lǐng)域，為消費(fèi)品生產(chǎn)廠家提供從芯片到系統(tǒng)SoC軟件的整體解決方案。主要產(chǎn)品線包括：數(shù)字音視頻處理芯片、語(yǔ)言復(fù)讀機(jī)主控芯片以及數(shù)字電調(diào)諧收音機(jī)控制芯片。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史?？偛吭O(shè)在美國(guó)洛厄爾，馬薩諸塞州。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機(jī)。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。

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