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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源領(lǐng)域。在高頻電源中,IGBT具有許多重要作用,以下是對這些作用的分析: 高效率:IG...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(3)
這里需要注意的是,載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零,反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu),因?yàn)殛枠O和陰極的多子濃度遠(yuǎn)大于少子濃度,所以可以忽略少子電流;
面對高度競爭化的混合動(dòng)力車和電動(dòng)汽車(HEV/EV)市場,動(dòng)力集成研發(fā)工程師正在向更高的系統(tǒng)效率、穩(wěn)定性和可靠性挑戰(zhàn)。 功率逆變器 在動(dòng)力集成系統(tǒng)中至關(guān)...
Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT,專為800V電動(dòng)汽車(BEV)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...
2025-04-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBTLittelfuse 1211 0
但嚴(yán)格定義上講,根據(jù)進(jìn)精電動(dòng)招股說明書,電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)包括三大總成:驅(qū)動(dòng)電機(jī)總成(將動(dòng)力電池的電能轉(zhuǎn)化為旋轉(zhuǎn)的機(jī)械能,是輸出動(dòng)力的來源)、控制器總成(基于功...
由變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī),電機(jī)是不能直接從電源側(cè)獲取能量的,變頻器不同于開關(guān)、接觸器,一旦接通,電機(jī)就能從工頻下啟動(dòng)并運(yùn)行,變頻器由整流、濾波、逆變環(huán)節(jié),它的能...
碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用介紹
與傳統(tǒng)的硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)相比,碳化硅(SiC)技術(shù)具有更多優(yōu)勢
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1200 0
在討論了48伏特架構(gòu)(“48伏特輕度混合動(dòng)力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應(yīng)用(“48伏特起動(dòng)發(fā)電機(jī)”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...
2023-02-13 標(biāo)簽:MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1197 0
求一種電動(dòng)車的800v高壓快充架構(gòu)技術(shù)方案
縮短充電時(shí)間是目前提升電動(dòng)車使用體驗(yàn)的關(guān)鍵。當(dāng)補(bǔ)貼力度越來越弱,推力漸小,加速電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)化的解決方案要回歸到本質(zhì)上
2023-08-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車連接器電池充電 1194 0
自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來,IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費(fèi)和工業(yè)用途的電動(dòng)汽車和電動(dòng)機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1189 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
UCC28180 18-kHz-250-kHz CCM PFC控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28180 是一款靈活易用的 8 引腳有源功率因數(shù)校正 (PFC) 控制器,可在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 下工作,以實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)、低電流失真和 ...
在任何裝置中使用IGBT 都會(huì)遇到IGBT 的選擇及熱設(shè)計(jì)問題。當(dāng)電壓應(yīng)力和電流應(yīng)力這2 個(gè)直觀參數(shù)確定之后, 終需要根據(jù)IGBT 在應(yīng)用條件下的損耗...
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
深度剖析 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)
2023-11-24 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng) 1181 0
全面解讀DIPIPMTM的基礎(chǔ)、功能、應(yīng)用和失效分析技巧
通常大家所提到的IGBT,一般指分立IGBT器件或IGBT模塊,這些器件的結(jié)構(gòu)和工作機(jī)理都是以IGBT芯片為基礎(chǔ),一代IGBT芯片技術(shù)決定了一代IGBT...
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