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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3070個 瀏覽：254504次 帖子：483個

      igbt技術(shù)

      600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

      600V耐壓IGBT IPM BM6337x系列介紹

      關(guān)鍵詞 兼具業(yè)內(nèi)優(yōu)異的降噪和低損耗特性 600V耐壓IGBT IPM/li> 各種變頻器的功率轉(zhuǎn)換用 BM6337x系列 無需自舉二極管...

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      IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺為工業(yè)應用提升效率及耐用性

      國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺。全新第八代 （Gen8...

      2012-11-21 標簽：IRIGBT 1313 0

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      2024-12-23 標簽：IGBT失效分析回流焊 1313 0

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      2023-11-15 標簽：永磁同步電機電機IGBT 1304 0

      你真的了解IGBT嗎？干貨收藏！

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      2023-06-13 標簽：MOSFETIGBT晶體管 1302 0

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      如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

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      未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新...

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      • 光立方
        光立方
        +關(guān)注
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      • K60
        K60
        +關(guān)注
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      • Nexperia
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        +關(guān)注
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        COMSOL
        +關(guān)注
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        ESP8266
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