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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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新潔能650V Gen.7 IGBT系列產(chǎn)品介紹
新潔能650V Gen.7系列IGBT產(chǎn)品,基于微溝槽場截止技術(shù),可大幅提高器件的元胞結(jié)構(gòu)密度。采用載流子存儲設(shè)計、多梯度緩沖層設(shè)計、超薄漂移區(qū)設(shè)計,大...
GT30J65MRB東芝分立IGBT將大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證,對于節(jié)能工作意義重...
用于確定漏電流的穩(wěn)定性,這與IGBT的場畸變有關(guān)。HTRB 通過高溫反向偏置測試來增強故障機制,因此是器件質(zhì)量和可靠性的良好指標(biāo),也可以驗證過程控制的有效性。
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護方便、散熱穩(wěn)定等特點,是能量轉(zhuǎn)換和傳...
2023-12-26 標(biāo)簽:電動汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1167 0
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
EconoDUAL?3是一款經(jīng)典的IGBT模塊封裝,其上一代的1700V系列產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于級聯(lián)型中高壓變頻器、靜止無功發(fā)生器(SVG)和風(fēng)電變流器,...
驅(qū)動電路位于電源主電路和數(shù)字控制核心之間,其本質(zhì)是將數(shù)字控制核心產(chǎn)生的PWM信號進行功率放大,以驅(qū)動功率開關(guān)器件的開斷。優(yōu)良的驅(qū)動電路能夠提高數(shù)字電源的...
ITECH半導(dǎo)體測試方案解析,從容應(yīng)對全球功率半導(dǎo)體市場風(fēng)起云涌
功率模塊供應(yīng)商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案,并進行轉(zhuǎn)換效率,溫升等指標(biāo)驗證,向下游的客戶(生產(chǎn)電機控制器,UPS,光伏逆變器制造商…)提供參考案例并證明其性...
2020-08-17 標(biāo)簽:IGBT功率模塊功率半導(dǎo)體 1163 0
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 1158 0
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護特性,其優(yōu)點可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個IGBT...
本文對IGBT領(lǐng)域的深入研究與綜合剖析成果,首先與您分享關(guān)于IGBT的基本原理及其構(gòu)成元素,如芯片、單管及模塊等方面的知識。接下來將共同關(guān)注的是IGBT...
IGBT功率模塊結(jié)構(gòu)簡圖: IGBT的失效形式及其機理主要包含以下兩種: 芯片頂部鋁鍵合線的開裂和翹起。 這種現(xiàn)象是由于電流在導(dǎo)線中流動產(chǎn)生熱量,進而引...
淺談新能源汽車電機控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù),申請兩百余項發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...
在現(xiàn)代工業(yè)電氣領(lǐng)域,中頻電源應(yīng)用廣泛,而 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為中頻電源的核心器件,起著至關(guān)重要的作用。本文將深入探討 IGBT 在中頻電源...
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(2)
上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中,在IGBT的大注入條件下,電子和空穴的運動相互影響,這個影響關(guān)系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。
金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢,半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴大;對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè),IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛,而驅(qū)動電源作為專為IG...
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