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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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柵極鉗位TVS二極管對IGBT雙脈沖開關(guān)特性的影響
階段1(0—t1),在t=0時(shí)刻,開關(guān)S動(dòng)作,lGBT開始關(guān)斷,柵極通過RG開始放電,VGE下降。這導(dǎo)致通過溝道注入到基區(qū)的電子數(shù)量變少,但是由于感性負(fù)...
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
由于門極-發(fā)射極連線電感LG、RG、還有Cies之間的關(guān)系,如果在門極驅(qū)動(dòng)環(huán)路內(nèi)發(fā)生震蕩,有可能因?yàn)檎`動(dòng)作和不飽和動(dòng)作而導(dǎo)致元件損壞。
在電控模塊中,IGBT模塊是逆變器的最核心部件,總結(jié)其工作原理:通過非通即斷的半導(dǎo)體特性,不考慮過渡過程和寄生效應(yīng),我們將單個(gè)IGBT芯片看做一個(gè)理想的開關(guān)。
2024-04-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器IGBT 1130 0
相對于LTCC和HTCC,TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面,經(jīng)過干燥、高溫?zé)Y(jié)(700~800℃)后制備。金屬漿料...
一、前言 對新能源汽車而言,電池技術(shù)、電機(jī)技術(shù)、電機(jī)控制器技術(shù)被稱為新能源汽車關(guān)鍵三電技術(shù)。在當(dāng)前電池技術(shù)未能取得突破的前提下,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、...
使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案
機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題,并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬,陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。
通過以上方程,現(xiàn)在可以根據(jù)測量值來計(jì)算所需的死區(qū)時(shí)間。使用計(jì)算出的死區(qū)時(shí)間,需要進(jìn)行最壞情況下的測量來驗(yàn)算死區(qū)時(shí)間的計(jì)算值是否足夠。
2024-12-16 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器IGBT 1103 0
飛虹半導(dǎo)體IGBT單管在逆變器中的應(yīng)用
逆變器在不僅在家庭、工業(yè)、交通的領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用,而且還在太陽能、風(fēng)能、電池等新能源領(lǐng)域應(yīng)用越來越廣泛。逆變器的廣泛應(yīng)用意味著IGBT作為其核心元器件,也會(huì)...
由于變頻器(VFD)輸出電壓不平衡的特點(diǎn)是電機(jī)抖動(dòng)和轉(zhuǎn)速不穩(wěn)定。一般來說,沒有經(jīng)驗(yàn)很難確定哪個(gè)驅(qū)動(dòng)器有問題。此時(shí)可啟動(dòng)VFD的2hz,用萬用表DC電壓范...
IGBT的穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布關(guān)系修正
如前所述,修正圖片、 圖片與圖片的關(guān)系關(guān)鍵在于要重新基于BJT結(jié)構(gòu)模型來建立圖片與圖片的關(guān)系。
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(3)
至此,我們完整地分析了關(guān)斷瞬態(tài)過程中IGBT內(nèi)部的空穴濃度分布變化從而引起的電荷存儲(chǔ)變化,而電荷對時(shí)間的變化率即對應(yīng)電流。
IGBT、MCU、以及SIC會(huì)是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點(diǎn),根據(jù)特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率
工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
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