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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC(Low Side Gate Driver)溫度的熱關(guān)斷電路,當(dāng)LVIC的Tj達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí),熱關(guān)斷電路將啟...
2025-03-06 標(biāo)簽:IGBTIPM柵極驅(qū)動(dòng)器 988 0
回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過(guò)器件制造商提高制造和工藝水平來(lái)實(shí)現(xiàn)。...
IGBT是通過(guò)在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實(shí)際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFE...
2024-03-13 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管導(dǎo)通電阻 976 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)初始值
在穩(wěn)態(tài)部分的分析中,我們?cè)敿?xì)地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關(guān)系,即一維空間的物理關(guān)系。
PT5619 在 同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 ,特別適合于 三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng) 。
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究 IGBT在以變頻器及各類電源為代表的電力電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。IGBT集雙極型功率晶體管和功率MOSFET
2009-11-13 標(biāo)簽:IGBT 963 0
國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國(guó)產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)越來(lái)越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
Saber軟件與電源變換器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
設(shè)計(jì)各種電源設(shè)備,如DC/DC、AC/DC、DC/AC、AC/AC等,能夠全面分析系統(tǒng)的各項(xiàng)指標(biāo)如環(huán)路頻率響應(yīng)、功率管開關(guān)、磁性器件的工作情況、元件的電...
2023-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率管 958 0
在IGBT開關(guān)過(guò)程中通常用開通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來(lái)進(jìn)行描述。圖5是IGBT整個(gè)開關(guān)過(guò)程的波形。
電力電子系統(tǒng)中驅(qū)動(dòng)器對(duì)IGBT保護(hù)的分析
如果短路發(fā)生在負(fù)載通道或者橋接旁路,IGBT的集電極電流完全增大,造成晶體管飽和。如今市場(chǎng)上的IGBT模塊只能防短路很短的時(shí)間。為了防止IGBT被熱負(fù)荷...
2018-06-29 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器igbt功率 947 0
變流器主電路在空間產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度隨輸入、輸出母線中通過(guò)電流的強(qiáng)弱而變化,同時(shí)IGBT模塊產(chǎn)生的空間交變電磁場(chǎng)的強(qiáng)度隨其兩端電壓和電流突變的劇烈程度而變化...
功率二極管作為最基本的電力電子器件,在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應(yīng)用,其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。深刻理解二極管的工作特性,有助于學(xué)...
SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)的優(yōu)勢(shì)在哪里
在我們的傳統(tǒng)印象中,電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件,而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...
2023-12-16 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 942 0
英飛凌|1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升變頻器系統(tǒng)性能(上)
本文介紹了針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù),與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比,可大幅減少靜態(tài)損耗,并具備高可...
高壓固態(tài)軟啟動(dòng)柜是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域的電氣設(shè)備,主要用于高壓電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)。它通過(guò)采用先進(jìn)的電力電子技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)過(guò)程中電流和電壓的有效控制...
工業(yè)縫紉機(jī)是由很多個(gè)不同的電路組成的,比如pfc電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、控制電路、傳感器電路、通信電路、保護(hù)電路、顯示電路等等。
2023-06-18 標(biāo)簽:傳感器控制電路電機(jī)驅(qū)動(dòng) 937 0
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