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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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汽車行業(yè)正在經(jīng)歷從內(nèi)燃機(jī)(ICE)汽車到電動(dòng)汽車(EV)的前所未有的轉(zhuǎn)型。在全球遏制二氧化碳排放的法規(guī)的推動(dòng)下,預(yù)計(jì)到45年,電動(dòng)汽車將達(dá)到新車總銷量的...
2023-09-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 859 0
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
2022-11-16 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙極結(jié)型晶體管 856 0
天前,兩位今年剛加入我們維修電工班的同事,竟然被一支普普通通的DZ47—63 D40型兩匹斷路器完虐,從而再次為我們廣大電工提供了一個(gè)經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)——工作除...
2023-08-25 標(biāo)簽:開關(guān)電源電位器PWM 849 0
當(dāng)前,在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)展,加上我國(guó)經(jīng)濟(jì)快速騰飛,能源需求量大幅上升,在這樣...
浮思特 | IGBT與MOSFET哪種才是最有效的電力開關(guān)解決方案
電子設(shè)備正逐漸融入越來越多的產(chǎn)品中。無論產(chǎn)品是便攜式還是固定式,大多數(shù)電子設(shè)備都需要高效地將電能(或開關(guān))從一種形式轉(zhuǎn)換為另一種形式。為此,采用了電力電...
2025-07-02 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電力開關(guān) 838 0
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對(duì)技術(shù)提出了更高的要求。
三菱電機(jī)開始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊
根據(jù)三菱電機(jī)截至2023年4月25日的研究,與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對(duì)比得出
商用的Si MOSFET耐壓普遍不超過900V,而SiC擁有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng),在結(jié)構(gòu)上可以減少芯片的厚度,從而較大幅度地降低MOSFET的通態(tài)電阻,使其耐...
針對(duì)應(yīng)用于2兆瓦范圍的電力電子系統(tǒng),當(dāng)下關(guān)注的焦點(diǎn)是采用何種技術(shù)以及具有多久的生命周期。
2024-09-27 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體Littelfuse 822 0
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 817 0
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,但它是打造高品質(zhì)和高競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號(hào)的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)...
淺談瑞能逆導(dǎo)IGBT助推感應(yīng)加熱的卓越實(shí)力
以電磁爐為例,利用交變電流通過線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場(chǎng),處于交變磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會(huì)出現(xiàn)渦旋電流,渦旋電流的焦耳熱效應(yīng)使導(dǎo)體升溫,從而實(shí)現(xiàn)加熱的目的。
2024-06-19 標(biāo)簽:IGBT感應(yīng)加熱瑞能半導(dǎo)體 798 0
受拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)損耗的影響,半橋硬開關(guān)電路的重量、體積、噪聲及功率等級(jí)等技術(shù)指標(biāo)在一定程度上受到限制,因此中大功率開關(guān)電源的主電路基本都采用全橋電路結(jié)構(gòu)。
BLDC電機(jī)常用IGBT:適用各類家電優(yōu)選IGBT單管
BLDC電機(jī)不管在工業(yè)用還是家用領(lǐng)域的滲透率都在持續(xù)提升,除傳統(tǒng)的電動(dòng)工具、吸塵器、小家電外,還有汽車、電動(dòng)兩輪車、高速風(fēng)筒等都是不斷在提升的。
2023-07-13 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路 796 0
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