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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管
在當(dāng)今科技迅速發(fā)展的時(shí)代,電力電子技術(shù)正扮演著越來(lái)越重要的角色。如何提高電力設(shè)備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設(shè)計(jì)師們關(guān)注的焦點(diǎn)。而特瑞諾(trin...
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)選IGBT單管
在木工行業(yè)里面電鋸都會(huì)有不同的種類(lèi),常見(jiàn)的有電圓鋸、曲線鋸、往復(fù)鋸等等。
2023-06-12 標(biāo)簽:變頻器逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 644 0
IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試中夾具雜散電感的影響
在IGBT功率模塊的動(dòng)態(tài)測(cè)試中,夾具的雜散電感(Stray Inductance,Lσ)是影響測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確性的核心因素。雜散電感由測(cè)試夾具的layout...
2025-06-04 標(biāo)簽:IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試 643 0
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)的能效和性能?
隨著人們對(duì)電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混動(dòng)汽車(chē) (HEV) 的興趣和市場(chǎng)支持不斷增加,汽車(chē)制造商為向不斷擴(kuò)大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。由于 EV 的...
2023-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBTSiC 642 0
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作-前言
從本文開(kāi)始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動(dòng)作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
浮思特 | 第四代場(chǎng)阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域,如電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器和電動(dòng)汽車(chē)等。對(duì)更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開(kāi)發(fā)及寬禁帶材...
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國(guó)重大科技專(zhuān)項(xiàng)重點(diǎn)扶持項(xiàng)目。它兼具M(jìn)OSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)及BJT(雙極型三極管)兩類(lèi)器...
2023-02-22 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 632 0
首先需要了解的是:接下來(lái)要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...
為什么EliteSiC M3S技術(shù)是高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的更優(yōu)選擇?
安森美汽車(chē)電源部應(yīng)用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)、能帶隙和熱導(dǎo)率,電力電子設(shè)計(jì)人員可以利用這些特性來(lái)開(kāi)發(fā)比硅基IGBT器件效...
2023-12-08 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT高速開(kāi)關(guān) 627 0
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡(jiǎn)稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSF...
IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸,為此國(guó)家投入大量資金支持節(jié)能降耗項(xiàng)目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來(lái)越...
半導(dǎo)體設(shè)計(jì)面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)如何破?
基于開(kāi)關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動(dòng)汽車(chē)的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動(dòng)功率較低、開(kāi)...
2024-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET逆變器 611 0
IGBT模塊是由IGBT芯片(絕緣柵雙極晶體管)和FWD芯片(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于其節(jié)能、安裝維護(hù)方便、散熱...
UCC28070A 具有擴(kuò)展頻率范圍(10kHz 至 300kHz)的兩相交錯(cuò)式 CCM PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28070A 器件是 UCC28070 器件的擴(kuò)展頻率范圍衍生產(chǎn)品,能夠在高功率應(yīng)用中基于 IGBT 功率開(kāi)關(guān)的 PFC 轉(zhuǎn)換器所需的低開(kāi)關(guān)頻率下...
安世半導(dǎo)體IGBT模塊賦能馬達(dá)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
近年來(lái),我國(guó)年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的瓶頸
電動(dòng)汽車(chē)“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計(jì)發(fā)展報(bào)告
高電壓會(huì)導(dǎo)致壓縮機(jī)、PTC和電機(jī)驅(qū)動(dòng)MCU成本增.加,以當(dāng)前較為成熟的2C快充,采用150kW前驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例,950V電壓平臺(tái)相比450V電壓平臺(tái)增加成...
2023-03-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)壓縮機(jī)IGBT 585 0
典型車(chē)用IGBT芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)解析
Sic MOSFET的正柵壓目前已經(jīng)于Si IGBT相當(dāng)(+15V) ,但負(fù)柵壓仍有很大差別(-5V) ,Sic MOSFET開(kāi)關(guān)速度快引起的EMII問(wèn)...
Wolfspeed功率模塊對(duì)三相工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的影響
為了確保系統(tǒng)可行、正常運(yùn)行和優(yōu)化,我們使用不同的散熱器,將 IGBT 散熱器尺寸從 0.8 L 增大到 1.37 L,并將碳化硅散熱器尺寸減小 61%,...
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