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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1248人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3068個 瀏覽：254475次 帖子：483個

      igbt技術(shù)

      碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

      碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

      碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導體，用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。

      2023-10-17 標簽：MOSFET逆變器IGBT 444 0

      關(guān)于對碳化硅誤解的描述

      碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此...

      2023-09-22 標簽：MOSFETIGBT硅晶圓 443 0

      功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應用解析：以SiC與IGBT為例

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      隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝...

      2025-06-03 標簽：IGBTSiC芯片封裝 438 0

      如何高效提升驅(qū)動電路的電能轉(zhuǎn)換效率？

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      當前，半橋驅(qū)動器HPD2606X已可廣泛應用在家用空調(diào)、冰箱、洗衣機、烘干機、吸塵器、抽油煙機、風扇等白色家電領域與電動工具、無人機等工業(yè)場合中。

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      UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動器，具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲，采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊

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      UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流...

      2025-05-20 標簽：MOSFET功率開關(guān)IGBT 418 0

      IGBT模塊失效開封方法介紹

      IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module，絕緣柵雙極型晶體管模塊）是一種高性能的電力電子器件，廣泛...

      2025-03-19 標簽：模塊變頻器IGBT 416 0

      IGBT器件的防靜電注意事項

      IGBT作為功率半導體器件，對靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細闡述使用過程中防靜電的具體注意事項與防護措施，確保其安全穩(wěn)定運行。

      2025-05-15 標簽：IGBT防靜電功率半導體 411 0

      TMS320F28P659DH-Q1 汽車級 C2000 32 位 MCU，600MIPS，2xC28x + 1xCLA + 鎖步技術(shù)手冊

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      TMS320F28P65x （F28P65x） 是 C2000? 實時微控制器系列的一員，該系列可擴展、超低延遲器件專為提高電力電子器件的效率而設計，包...

      2025-04-15 標簽：微控制器電力電子器件IGBT 400 0

      UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊

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      關(guān)于碳化硅半導體的8大誤區(qū)有哪些

      SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術(shù)語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。

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      UCC21739-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保護...

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      UCC21750-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器，專為高達 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設計，具有先進的保...

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        +關(guān)注
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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