功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié)，也是很多示波器付費選配的高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移，測試結(jié)果很可能會隨之失去意義。
2017-12-01 16:00:17
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MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:232250 MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:004991 
本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。
MOSFET開關(guān)損耗
1 開通
2025-02-26 14:41:53
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
到每個MOSFET的功率損耗。（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，不確定的話，平均分配開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。（4）由MOSFET導(dǎo)通損耗和流過的有效值電流，計算最大允許
2017-11-15 08:14:38
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導(dǎo)，也可以提高開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導(dǎo)通，而跨導(dǎo)和工藝有關(guān)。
2017-03-06 15:19:01
-t4完全開通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒有開關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。同時，t1-t2和t2-t3二個階段工作于線性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時、開通上升時間，關(guān)斷延時和關(guān)斷下降時間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
功率開關(guān)管功耗的計算1) 開關(guān)管導(dǎo)通時的功耗測試：開通時間Ton(uS) 4.955 (時間測量以電壓波形為基準(zhǔn))開通時電流的最小值Ion-min(A) 0.222開通時電流的最大值Ion-max
2011-08-09 11:44:43
外部元器件而不是功率開關(guān)本身對集電極或漏極電流進行控制。 電源開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。與損耗有關(guān)的波形只能通過電壓探頭接在漏源極(集射極)端的示波器觀察
2020-08-27 08:07:20
捕獲波形。開關(guān)器件分析開關(guān)損耗分析：測量開關(guān)器件的功率和能量損耗大小。理想狀態(tài)下，開關(guān)損耗=導(dǎo)通損耗(VDS=0V)+關(guān)斷損耗(IDS=0A)=0W。但實際情況并非那么令人滿意，開關(guān)電源的功率和能量損耗
2020-02-28 15:53:01
3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間，也稱作死區(qū)時間，在這個過程中會產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
計算，實測截圖如圖3所示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">3、MOS管和PFCMOS管的實測演示視頻 MOS管損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，通過示波器的電源分析軟件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，ZDS3000/4000系列示波器免費標(biāo)配電源分析軟件。
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
電導(dǎo)率調(diào)制，向漂移層內(nèi)注入作為少數(shù)載流子的空穴，因此導(dǎo)通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數(shù)載流子的積聚，在Turn-off時會產(chǎn)生尾電流，從而造成極大的開關(guān)損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
減少開關(guān)損耗。 圖2全部絕對最大電流和功率數(shù)值都是真實的數(shù)據(jù) 圖3MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻實際上，我們可以把MOSFET選型分成四個步驟。 選好額定電流后，還必須計算導(dǎo)通損耗。在實際情況
2019-09-04 07:00:00
DMOS結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的全SiC功率模塊BSM180D12P2C101、以及采用第三代溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET的BSM180D12P3C007的開關(guān)損耗比較結(jié)果。相比IGBT，第二代的開關(guān)損耗
2018-11-27 16:37:30
4開關(guān)損耗測試結(jié)果圖六、總結(jié)開關(guān)損耗測試對于器件評估非常關(guān)鍵，通過專業(yè)的電源分析插件，可以快速有效的對器件的功率損耗進行評估，相對于手動分析來說，更加簡單方便。對于MOSFET來說，I2R的導(dǎo)通損耗計算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關(guān)器件?！ ∮捎谟?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)存在以上缺點，限制了開關(guān)器件工作頻率的提高，在軟開關(guān)技術(shù)出來之前，功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗是很大的。為了彌補硬開關(guān)工作的不足，提出了軟開關(guān)技術(shù)?！ ≤?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)技術(shù)的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
MOSFET的功率損耗。（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，不確定的話，平均分配開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。（4）由MOSFET導(dǎo)通損耗和流過的有效值電流，計算最大允許的導(dǎo)通電
2019-04-04 06:30:00
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
過程詳述于圖1）?！ ⊥秸髌鞯?b class="flag-6" style="color: red">功耗 除最輕負載以外，各種情況下同步整流器MOSFET的漏-源電壓在打開和關(guān)閉過程中都會被續(xù)流二極管鉗位。因此，同步整流器幾乎沒有開關(guān)損耗，它的功率消耗很容易計算
2021-01-11 16:14:25
算法，可根據(jù)負載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
分析和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
的動態(tài)特性: 1、器件在不同溫度的特性 2、短路特性和短路關(guān)斷 3.柵極驅(qū)動特性 4.關(guān)斷時過電壓特性 5.二極管回復(fù)特性 6.開關(guān)損耗測試等二、測試平臺搭建 泰克推出了IGBT Town功率器件支持
2021-05-20 11:17:57
功率MOSFET的Coss會產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能
2017-03-28 11:17:44
在這篇博文中，我們將介紹在無負載、標(biāo)稱負載和全負載條件下測試開關(guān)特點的各個步驟。 在開始前，應(yīng)確保所有開關(guān)的啟動、關(guān)閉、占空比和死區(qū)時間都符合預(yù)期，如MOSFETs和IGBTs。泰克示波器包括一種
2016-08-31 15:36:31
我們將介紹測試電源開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的各個步驟。 記住，經(jīng)過電源開關(guān)和磁性器件的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗對系統(tǒng)整體損耗有著巨大影響，正因如此，應(yīng)盡可能精確地使這些損耗達到最小，這一點至關(guān)重要。 首先，記住
2016-09-02 14:39:38
損耗通過等式2表示：在等式3中加上總開關(guān)損耗的結(jié)果：注意，在圖1中，t2比第三個時段（t3）短得多。因此，在這些等式中，你可以估算在t3時段中的損耗。在一個時段這些有限的過渡時間會出現(xiàn)兩次：MOSFET
2018-08-30 15:47:38
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
今天開始看電源界神作《
開關(guān)電源設(shè)計》（第
3版），發(fā)現(xiàn)第9頁有個名詞，叫“交流
開關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思?。恐x謝了?。?/div>
2013-05-28 16:29:18
）”一詞所表達的，電路的優(yōu)先事項一定需要用最大公約數(shù)來實現(xiàn)優(yōu)化。對此，將在Tech Web的基礎(chǔ)知識“SiC功率元器件”中進行解說。另外，您還可以通過ROHM官網(wǎng)下載并使用本次議題的基礎(chǔ)，即Application Note“利用驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗（PDF）”。
2020-07-01 13:52:06
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
在t1時刻進行開啟，來達到DUT零電流的關(guān)斷，從而減小關(guān)斷損耗。軟開關(guān)與硬開關(guān)器件功耗對比如圖為采用零電壓開啟和零電流關(guān)斷的功率器件與采用硬開關(guān)方式的開關(guān)損耗對比情況。軟開啟能夠大幅降低功率器件的開啟
2019-08-29 10:11:06
根據(jù)開關(guān)器件的物理模型,分析了開關(guān)器件在Boost 電路中的損耗,并計算了Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺3kW的Boost 型PFC 整流電源進
2009-10-17 11:06:06
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計
2009-07-20 16:03:00873 
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593521 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2362678 
隨著人們需要改善功率效率，延長電池供電的設(shè)備的工作時間，分析功率損耗及優(yōu)化電源效率的能力比以前變得更加關(guān)鍵。效率中一個關(guān)鍵因素是開關(guān)器件的損耗。本應(yīng)用指南將概括介紹這些測量，以及使用示波器和探頭進行
2015-10-27 16:31:331288 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進而為緩啟動電路設(shè)計優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0543 FPGA平臺實現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動電阻等因素影響，在測量時主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實驗數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426789 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:579815 
開關(guān)器件的功率損耗是開關(guān)器件評估的重要環(huán)節(jié)，也是許多示波器選配的高級分析功能。事實上，雖然很多實驗室配備了功率損耗程度測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，但是如果忽略了時間偏移，則所有的測試結(jié)果都將
2018-02-07 01:27:011177 
相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 擁有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗。 碳化硅 MOSFET 應(yīng)用于高開關(guān)頻率場合時其開關(guān)損耗隨著開關(guān)頻率的增加亦快速增長。 為進一步提升碳化硅 MOSFET
2018-10-08 08:00:0030 視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿
2019-03-06 06:05:004099 
一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45981 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:082659 一個高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關(guān)器件的損耗，對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:536462 
根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優(yōu)化設(shè)計。
2019-08-08 08:00:0015 同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓進行切換（ON/OFF），該過渡時間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:001143 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評估功率MOSFET的開關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0250 根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ，分析了開關(guān)器件在 Boost 電路中的損耗 ，并計算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ，給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進行了優(yōu)化設(shè)計。
2021-05-11 11:01:2516 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 分析和計算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開始：VDS和ID曲線隨時間變化
2022-01-21 17:01:121297 
，熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個損耗點，課件開關(guān)損耗測試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測試方案中的探頭應(yīng)用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571295 功率損耗是開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié)，也是工程師在選配時重點關(guān)注的一項高級功能。雖然很多實驗室配備了功率損耗測量環(huán)境，對設(shè)備和探頭也投入不菲，但如果工程師忽略了探頭之間的時間偏移，測試結(jié)果很可能
2021-12-15 15:22:40879 
3、開關(guān)動態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時間，也稱作死區(qū)時間，在這個過程中會產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:271 如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時在On或Off狀態(tài)下小號的功率非常小，實現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率，熱損耗極低。
2022-06-20 10:05:362302 
功耗是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的總和，傳導(dǎo)損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面，開關(guān)損耗也稱為動態(tài)損耗。
2022-07-26 17:30:034057 
。此外，今天的開關(guān)元件沒有非常高的運行速度，不幸的是，在轉(zhuǎn)換過程中不可避免地會損失一些能量（幸運的是，隨著新電子元件的出現(xiàn)，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關(guān)損耗率。
2022-08-05 08:05:0712438 
本文確定了以下方面的關(guān)鍵參數(shù)注意事項：比較IGBT和MOSFET的具體性能SMPS（開關(guān)電源）應(yīng)用。在這兩種情況下都研究了開關(guān)損耗等參數(shù)硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS（零電壓切換）拓撲。三個主電源開關(guān)損耗：導(dǎo)
2022-09-14 16:54:121 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺時間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:001937 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:221235 
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:181332 
說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動電阻。在出設(shè)計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動參數(shù)后（驅(qū)動電阻大小，驅(qū)動電壓等），開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:5410 從某個外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4918 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:491291 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28924 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動能力。本應(yīng)用筆記將詳細分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:351163 
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:2215768 
半導(dǎo)體動態(tài)測試參數(shù)是指在交流條件下對器件進行測試，是確保半導(dǎo)體性能、穩(wěn)定性和可靠性的重要依據(jù)。動態(tài)測試參數(shù)主要有開關(guān)時間、開關(guān)損耗、反向恢復(fù)電流、開關(guān)電流、耗散功率等。
2023-10-10 15:23:38763 
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:341490 
電源開關(guān)損耗是電子電路中一個重要的性能指標(biāo)，它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測量電源開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設(shè)計、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。本文將詳細介紹使用示波器測量電源開關(guān)損耗的步驟、方法和注意事項，旨在幫助讀者更好地理解和掌握這一測量技術(shù)。
2024-05-27 16:03:291659 原理、測試設(shè)備、測試步驟以及注意事項。 一、測試原理 開關(guān)電源紋波測試的目的是測量輸出電壓中的高頻波動。紋波主要來源于開關(guān)電源的開關(guān)動作，包括開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、寄生參數(shù)等。紋波的大小與開關(guān)電源的設(shè)計、制造工藝以及使用
2024-06-10 10:04:002647 IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個，一是功率器件導(dǎo)通時，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001183 
在電子測試與測量領(lǐng)域，是德科技（NYSE： KEYS）再次引領(lǐng)創(chuàng)新潮流，隆重推出其最新的InfiniiVision HD3系列示波器，該系列搭載了業(yè)界領(lǐng)先的14-bit模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），徹底改變
2024-09-05 15:45:191467 是德科技近日推出了一款革命性的精密示波器——InfiniiVision HD3系列，該系列集成了先進的14-bit模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC），引領(lǐng)行業(yè)進入新紀(jì)元。HD3系列示波器以其卓越的信號分辨率
2024-09-10 16:47:04935 HD304MSO丨示波器 HD3系列擁有令人印象深刻的分辨率、高精度、深存儲器、兩個模擬通道和從200 MHz到1 GHz的所有新定制技術(shù)。 HD304MSO示波器提供14位ADC、4個模擬通道
2024-09-10 17:05:15662 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的開關(guān)損耗是電子工程中一個關(guān)鍵的性能參數(shù)，它直接影響到電路的效率、熱設(shè)計和可靠性。下面將詳細闡述MOSFET開關(guān)損耗的概念、組成以及影響因素。
2024-09-14 16:11:521483 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟日前宣布開售 Keysight Technologies 的InfiniiVision HD3 系列示波器，以擴展其測試和測量設(shè)備產(chǎn)品組合。
2024-10-18 10:41:44754 在今年2024年9月4日是德科技推出了新一代14bit ADC示波器 -HD3系列，帶寬從200MHz-1GHz。HD3采用低噪聲前端技術(shù)，不僅在時域上展現(xiàn)了非常低的底噪，其在頻域下的噪聲特性也更加出色。
2024-10-23 14:28:39796 
是德科技·HD3示波器一、是德科技全新HD3示波器：用"顯微鏡級"精度重新定義信號是否對難以捕捉的微弱信號以及噪聲干擾導(dǎo)致的視野不清感到困擾？KeysightHD3系列示波器攜其
2025-03-11 09:56:04532 
基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真
2025-03-13 15:44:49674 
在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:18153 
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