開(kāi)電源開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換期間的開(kāi)關(guān)損耗就更復(fù)雜，既有本身的因素，也有相關(guān)元器件的影響。
2019-07-22 14:16:09
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實(shí)際的印刷電路板中存在電路圖中沒(méi)有的成分，因此，比如開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)中如果布局不當(dāng)，會(huì)隨著開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴，可能導(dǎo)致無(wú)法正常工作或噪聲較多等問(wèn)題。
2020-04-05 10:25:004211 
在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2，742μJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?，690μJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開(kāi)關(guān)損耗對(duì)ＭOS 管的選型和熱評(píng)估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開(kāi)關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
PCB布局的關(guān)鍵：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)走線(xiàn)尺寸滿(mǎn)足電流？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（3）
2023-08-08 11:00:521005 貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-04-13 14:58:561374 變化的環(huán)路中的寄生分量。布線(xiàn)中存在布線(xiàn)電感，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯(lián)電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)將產(chǎn)生100MHz
2018-11-29 14:47:35
變化的環(huán)路中的寄生分量。布線(xiàn)中存在布線(xiàn)電感，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯(lián)電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)將產(chǎn)生100MHz
2019-03-18 06:20:14
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論?！ ∨c功率
2023-03-16 16:37:04
要提高開(kāi)關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)。
2021-03-11 06:04:00
3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開(kāi)關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱(chēng)作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2021-12-29 07:52:21
和200MHz之間時(shí)，干擾會(huì)急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。圖1. 對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速...
2021-10-28 09:43:36
一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類(lèi)型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類(lèi)型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
存在電路圖中沒(méi)有的成分，因此，比如開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)中如果布局不當(dāng)，會(huì)隨著開(kāi)關(guān)而產(chǎn)生較大振鈴，可能導(dǎo)致無(wú)法正常工作或噪聲較多等問(wèn)題?，F(xiàn)在應(yīng)該明白關(guān)于PCB板布局經(jīng)常提到的“布線(xiàn)要短”的原因了。后續(xù)將介紹具體
2018-12-03 14:33:38
引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)將產(chǎn)生100MHz～300MHz的振鈴。所產(chǎn)生的電流及電壓，可通過(guò)兩個(gè)公式求得。此振鈴會(huì)作為高頻開(kāi)關(guān)噪聲帶來(lái)各種影響。雖然有采取相應(yīng)的措施，但由于
2021-12-29 19:00:19
，通常每1mm有1nH左右的電感。另外，電容器中存在等效串聯(lián)電感ESL，MOSFET的各引腳間存在寄生電容。因此，如紅框內(nèi)的圖例所示，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)將產(chǎn)生100MHz～300MHz的振鈴。所產(chǎn)生的電流及電壓
2021-03-15 10:35:11
如圖片所示，為什么MOS管的開(kāi)關(guān)損耗（開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開(kāi)關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽(yáng) 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開(kāi)關(guān)損耗好像不僅僅和開(kāi)關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒(méi)有具體計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
本文，使用一問(wèn)一答的方式，解說(shuō)STM32系統(tǒng)時(shí)鐘配置操作的一些關(guān)節(jié)點(diǎn)。不討論配置的過(guò)程、步驟，網(wǎng)上不缺絮絮叨叨的各種教程。一句話(huà):過(guò)程高深,使用簡(jiǎn)單.詳細(xì)代碼解釋下載
2021-08-11 07:17:18
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴(lài)性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。1. 開(kāi)通過(guò)程中MOSFET開(kāi)關(guān)損耗2. 關(guān)斷過(guò)程中MOSFET開(kāi)關(guān)損耗3. Coss產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗4.Coss對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程的影響希望大家看了本文，都能深入理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。
2021-01-30 13:20:31
波形振鈴，因?yàn)樗鼤?huì)增大低側(cè)MOSFET的電壓應(yīng)力，并產(chǎn)生電磁干擾。圖1：同步降壓轉(zhuǎn)換器為了確定圖1中降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴與其所產(chǎn)生電磁干擾之間的關(guān)系，我按照國(guó)家無(wú)線(xiàn)電干擾特別委員會(huì)(CISPR
2022-11-17 08:00:20
所增加，但其增加比例遠(yuǎn)低于IGBT模塊?？梢钥闯鼋Y(jié)論是：在30kHz條件下，總體損耗可降低約60%。這是前面提到的第二個(gè)優(yōu)勢(shì)?？梢?jiàn)這正如想象的一樣，開(kāi)關(guān)損耗小是由組成全SiC模塊的SiC元件特性所帶來(lái)的。關(guān)于
2018-11-27 16:37:30
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？一、開(kāi)關(guān)損耗
2021-11-18 07:00:00
“軟開(kāi)關(guān)”是與“硬開(kāi)關(guān)”相對(duì)應(yīng)的。硬開(kāi)關(guān)是指在功率開(kāi)關(guān)的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中，電壓和電流的變化比較大，產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗和噪聲也較大，開(kāi)關(guān)損耗隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高而增加，導(dǎo)致電路效率下降；開(kāi)關(guān)噪聲給電路帶來(lái)嚴(yán)重
2019-08-27 07:00:00
保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到0時(shí)，這個(gè)階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。在關(guān)斷過(guò)程中，t6~t7和t7~t8二個(gè)階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。關(guān)斷損耗可以用下面
2017-03-06 15:19:01
完全開(kāi)通，只有導(dǎo)通電阻產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗。t1-t2、t2-t3二個(gè)階段，電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗。同時(shí)，t1-t2和t2-t3二個(gè)階段工作于線(xiàn)性區(qū)，因此功率MOSFET
2017-02-24 15:05:54
開(kāi)關(guān)與開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的電感交匯的節(jié)點(diǎn)被稱(chēng)為開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。寄生電感和電容通常會(huì)產(chǎn)生互感，并導(dǎo)致開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上的電壓在200 MHz+ 的范圍內(nèi)振蕩。如果該振鈴的振幅大于低側(cè)開(kāi)關(guān)額定電壓的最大絕對(duì)值，將會(huì)損壞開(kāi)關(guān)。此外
2008-09-25 08:45:25
MOSFET的驅(qū)動(dòng)電流，減緩該MOSFET的接通時(shí)間，同時(shí)有助于降低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴噪音。注意：減慢高側(cè)MOSFET的關(guān)閉時(shí)間會(huì)增大開(kāi)關(guān)損耗。在低電磁輻射和高側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗之間選用RHO時(shí)，需要
2018-08-31 19:55:41
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)減小了開(kāi)關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開(kāi)關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
控制同步降壓轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2018-09-26 10:47:49
采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，圖1a所示的功率級(jí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的引人矚目。其在120V / ns轉(zhuǎn)換速率下，從0V升到480V，并具有小于50V的過(guò)沖。 圖1：TI 600V半橋功率級(jí)——開(kāi)關(guān)波形
2022-11-15 06:43:06
所有功率級(jí)設(shè)計(jì)者期望在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形?？焖偕仙?下降邊降低了開(kāi)關(guān)損耗，而低過(guò)沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。采用TI最新的GaN技術(shù)設(shè)計(jì)，圖1a所示的功率級(jí)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形真的引人矚目
2019-08-26 04:45:13
的限制。以此超低功耗單片機(jī)MSP430為核心，結(jié)合無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊nRF24E1，對(duì)無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)的普通節(jié)點(diǎn)和網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行了設(shè)計(jì)。
2019-10-18 07:28:32
不當(dāng)，則會(huì)對(duì)電源發(fā)射，效率和元件應(yīng)力產(chǎn)生不利影響。在A(yíng)nalog Design Journal的文章“ 控制同步降壓轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴”中，Robert Taylor和我研究了幾種減少開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴
2018-09-26 10:43:37
歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線(xiàn)隨時(shí)間變化
2018-08-30 15:47:38
信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在最小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因。較重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)MOSFET
2019-08-09 04:45:05
信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在最小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因。較重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)MOSFET
2019-07-26 04:45:15
流檢測(cè)信號(hào)的消隱時(shí)間限制。轉(zhuǎn)換器的最高最小導(dǎo)通時(shí)間通常發(fā)生在最小負(fù)載條件下，對(duì)此有三個(gè)原因?！ ≥^重負(fù)載條件下，電路中有直流降，增加了工作接通時(shí)間。 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的上升時(shí)間和下降時(shí)間。死區(qū)時(shí)間期間（從低側(cè)
2018-10-10 15:13:39
在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線(xiàn)隨時(shí)間變化的圖像。圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)
2018-06-05 09:39:43
今天開(kāi)始看電源界神作《開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》（第3版），發(fā)現(xiàn)第9頁(yè)有個(gè)名詞，叫“交流開(kāi)關(guān)損耗”，不明白是什么意思，有沒(méi)有哪位大蝦知道它的意思??？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
了通過(guò)消除封裝電感LSOURCE的影響可提高開(kāi)關(guān)速度并大大改善開(kāi)關(guān)損耗。這雖然是事實(shí)，但考慮到穩(wěn)定性和整個(gè)電路工作時(shí)，伴隨著開(kāi)關(guān)速度的提高，也產(chǎn)生了一些需要探討的問(wèn)題。就像“權(quán)衡（Trade-off
2020-07-01 13:52:06
明顯超出 VIN，而下降沿的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓明顯低于接地端 (GND)。振蕩幅值取決于部分電感在回路內(nèi)的分布，回路的有效交流電阻會(huì)抑制隨后產(chǎn)生的振鈴。這不僅為 MOSFET 和柵極驅(qū)動(dòng)器提供電壓應(yīng)力，還會(huì)
2020-11-03 07:54:52
圖1：開(kāi)關(guān)損耗讓我們先來(lái)看看在集成高側(cè)MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期開(kāi)始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開(kāi)始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
MOS門(mén)極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開(kāi)關(guān)周期是0電壓的開(kāi)關(guān)ZVS，開(kāi)關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開(kāi)關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開(kāi)關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測(cè)量電源開(kāi)關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 德州儀器（TI）近日推出了兩款36-V, 2.1-MHz同步降壓穩(wěn)壓器，可消除開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴，以減少電磁干擾（EMI）、提高功率密度，并確保在高壓降條件下正常運(yùn)行。此次推出的2.5-A LM53625-Q1和3.5-A LM53635-Q1穩(wěn)壓器可用于多種高壓DC/DC降壓應(yīng)用。
2016-07-06 16:27:101333 所有功率級(jí)設(shè)計(jì)者期望在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)看到完美的方波波形。快速上升/下降邊降低了開(kāi)關(guān)損耗，而低過(guò)沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
2018-07-10 14:50:002917 
MOS門(mén)極功率開(kāi)關(guān)元件的開(kāi)關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門(mén)極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響，在測(cè)量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測(cè)量的非理想因素對(duì)測(cè)量結(jié)果影響是值得注意的，比如常見(jiàn)的管腳引線(xiàn)電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221 基于Cortex_M3的多功能樓宇控制系統(tǒng)網(wǎng)關(guān)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)
2017-09-25 13:07:227 MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開(kāi)關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578162 
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開(kāi)關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 圖1顯示了同步降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖以及其開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形。高側(cè)MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和高側(cè)/低側(cè)MOSFET與印刷電路板(PCB)雜散電感和電容都具有在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形達(dá)到峰值時(shí)振鈴的功能。而我們不需要開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)波形振鈴，因?yàn)樗鼤?huì)增大低側(cè)MOSFET的電壓應(yīng)力，并產(chǎn)生電磁干擾。
2019-08-23 16:45:282775 
一個(gè)高質(zhì)量的開(kāi)關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開(kāi)關(guān)電源的損耗大部分來(lái)自開(kāi)關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開(kāi)關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。
2020-05-29 16:39:072547 功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開(kāi)關(guān)損耗包括開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開(kāi)通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開(kāi)關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷過(guò)程的實(shí)際過(guò)程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開(kāi)關(guān)損耗1，通過(guò)過(guò)程中的MOSFET開(kāi)關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章中我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容，在本文中，我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開(kāi)關(guān)損耗，從第1部分中的圖3（此處為圖1）開(kāi)始：VDS和ID曲線(xiàn)隨時(shí)間變化
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開(kāi)關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開(kāi)關(guān)器件的損耗可以說(shuō)是開(kāi)關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn)，課件開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試是至關(guān)重要的。接下來(lái)普科科技PRBTEK就開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試方案中的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 會(huì)隨之失去意義。接下來(lái)普科科技PRBTEK分享在開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中的注意事項(xiàng)及影響因素。 一、開(kāi)關(guān)損耗測(cè)量中應(yīng)考慮哪些問(wèn)題？ 在實(shí)際的測(cè)量評(píng)估中，我們用一個(gè)通道測(cè)量電壓，另一個(gè)通道測(cè)量電流，然后軟件通過(guò)相乘得到功率曲線(xiàn)，再
2021-12-15 15:22:40416 
3、開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開(kāi)關(guān)損耗是由開(kāi)關(guān)的非理想狀態(tài)引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開(kāi)關(guān)損耗，器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間，也稱(chēng)作死區(qū)時(shí)間，在這個(gè)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:270 大家好，這期我們?cè)倭囊幌翴GBT的開(kāi)關(guān)損耗，我們都知道IGBT開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開(kāi)關(guān)暫態(tài)過(guò)程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會(huì)釋放功率，對(duì)外做功產(chǎn)生熱量。那為什么IGBT開(kāi)關(guān)
2022-04-19 16:00:383400 方波波形開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)大受歡迎
2022-11-02 08:16:080 開(kāi)關(guān)過(guò)程中，穿越線(xiàn)性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開(kāi)關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開(kāi)關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開(kāi)關(guān)損耗、2）開(kāi)關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線(xiàn)路中。需要盡可能地降低這種開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來(lái)，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
在探討DC/DC轉(zhuǎn)換器的PCB板布局之前，需要了解實(shí)際的印刷電路板中存在寄生電容和寄生電感。它們的影響之大超出想象，即使電路沒(méi)錯(cuò)，因布局而產(chǎn)生無(wú)法按預(yù)期工作的情況，往往是因?yàn)閷?duì)它們的考慮不足。本次就“開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的振鈴”來(lái)驗(yàn)證其主要原因。
2023-02-23 09:33:05761 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開(kāi)關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間損耗。死區(qū)時(shí)間損耗是指在死區(qū)時(shí)間中因低邊開(kāi)關(guān)（MOSFET）體二極管的正向電壓和負(fù)載電流而產(chǎn)生的損耗。
2023-02-23 10:40:491600 
上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)損耗。開(kāi)關(guān)損耗：見(jiàn)文識(shí)意，開(kāi)關(guān)損耗就是開(kāi)關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來(lái)表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來(lái)的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開(kāi)關(guān)損耗也可以說(shuō)是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
圖1所示為基于MAX1744/5控制器IC的簡(jiǎn)化降壓轉(zhuǎn)換器，具有異步整流功能。由于二極管的關(guān)斷特性，主開(kāi)關(guān)（Q1）的導(dǎo)通開(kāi)關(guān)損耗取決于開(kāi)關(guān)頻率、輸入環(huán)路的走線(xiàn)電感（由C1、Q1和D1組成）、主開(kāi)關(guān)
2023-03-10 09:26:35556 
GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時(shí)，功率環(huán)電感在高壓總線(xiàn)和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處引入振鈴/過(guò)沖。這限制了GaN FET的快速切換功能。
2023-04-10 09:14:40324 
引言：降壓轉(zhuǎn)換器IC的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)容易產(chǎn)生很多高次諧波噪聲，緩沖電路作為除去這些高次諧波噪聲的手段之一，本節(jié)簡(jiǎn)述如何使用RC緩沖電路去除開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)諧波噪聲。
2023-06-28 15:56:561413 
CCM 模式與 DCM 模式的開(kāi)關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2023-07-17 16:51:224674 
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器或功率變換器電路的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是關(guān)鍵的傳導(dǎo)路徑，在進(jìn)行PCB布局時(shí)需要特別注意。該電路節(jié)點(diǎn)將一個(gè)或多個(gè)功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)（例如MOSFET或二極管）連接到磁能存儲(chǔ)設(shè)備（例如電感或變壓器繞組
2023-08-02 15:19:33368 
PCB布局的關(guān)鍵：盡量縮短開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)走線(xiàn)長(zhǎng)度？|深圳比創(chuàng)達(dá)EMC（2）
2023-08-07 11:20:23655 
（指MOS上升時(shí)間和下降時(shí)間變短）提高以后，電磁干擾EMI隨之增加。同步降壓DC-DC中，高速開(kāi)關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)會(huì)有巨大的電壓過(guò)沖和振鈴，振鈴的大小與高側(cè)MOS的開(kāi)關(guān)速度以及布局和FET的封裝的雜散電感有關(guān)，我們必須選擇正確的電路和布局設(shè)計(jì)方法，以將這種振鈴維持在同步FET最大絕對(duì)額定值以下。
2023-08-30 16:28:071010 
同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開(kāi)關(guān)損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅(qū)動(dòng)可以降低MOS的開(kāi)關(guān)損耗 同步Buck電路是一種常見(jiàn)的DC/DC降壓轉(zhuǎn)換器，它具有高效、穩(wěn)定、可靠的特點(diǎn)
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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