igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術(shù)

UCC21759-Q1 汽車級(jí)3.0kVrms，±10A單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21759-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 900V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保護(hù)...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 280 0

UCC21755-Q1 具有主動(dòng)保護(hù)和隔離感應(yīng)功能的汽車類 ±10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21755-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 280 0

ADuM4136單電源/雙電源高電壓隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)

ADuM4136是一款單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對(duì)驅(qū)動(dòng)絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)進(jìn)行了優(yōu)化。ADI公司的**i**Coupler ^?^ 技術(shù)在輸入...

2025-06-03 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器 279 0

UCC27512-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流，UCC27512 能...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)IGBT 274 0

UCC27524A 具有 5V UVLO、使能和負(fù)輸入電壓處理能力的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27524A 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。UCC27524A 是 UCC27...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)IGBT 273 0

UCC27523 具有 5V UVLO、反相輸入和使能功能的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2752x 系列器件是雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件，能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開(kāi)關(guān)。UCC2752x 采用一種從本質(zhì)上就將...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開(kāi)關(guān) 271 0

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級(jí) 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21737-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，專為高達(dá) 2121V 直流工作電壓的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì)，具有先進(jìn)的保...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 拉電流 268 0

UCC27525 具有 5V UVLO、使能和反相/同相輸入的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源電壓 265 0

重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開(kāi)關(guān)

有時(shí)有趣的是，事情如何改善或惡化取決于你的觀點(diǎn)。從利用電力的那一天起，就存在完美的開(kāi)關(guān)——至少 18千沃爾特等世紀(jì)實(shí)驗(yàn)者是這么認(rèn)為的，他們用黃銅、木材和...

2023-02-21 標(biāo)簽：DC-DC IGBT 晶體管 264 0

UCC21550-Q1 汽車類 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有用于IGBT的DIS和DT引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550-Q1 是隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列，具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MO...

2025-05-16 標(biāo)簽：可編程 IGBT 晶體管 261 0

ISO5852S-EP 5.7kVrms，2.5A/5A 增強(qiáng)型 1 通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

ISO5852S-EP 器件的電壓為 5.7kV ~RMS~ 、增強(qiáng)型隔離柵極用于具有分離輸出、OUTH 和 OUTL 的 IGBT 和 MOSFET...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 隔離器 260 0

UCC27624 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27624 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27624具有 5A 的典...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)IGBT 259 0

UCC23513 5.7kVrms，4A/5A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流...

2025-05-24 標(biāo)簽：MOSFET 光耦合器 IGBT 257 0

UCC27511A 具有 5V UVLO、分離輸出、5V IN 處理能力的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27511A 器件是一款緊湊型柵極驅(qū)動(dòng)器，可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅(qū)動(dòng)器（緩沖電路）解決方案。UCC27511A 器件是一款單通道低...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT pnp 257 0

UCC27512 采用 SON 封裝的具有 5V UVLO 和分離輸出的 4A/8A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。使用本質(zhì)上最小化擊穿電流...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET 功率開(kāi)關(guān)IGBT 253 0

UCC27531 具有 8V UVLO、35V VDD 和分離輸出的 2.5A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC2753x 單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 電源開(kāi)關(guān)。UCC2753x 器件采用的設(shè)計(jì)允許通過(guò)非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)（分離輸出）提...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開(kāi)關(guān) 251 0

UCC27624-Q1 具有 4V UVLO、30V VDD 和低傳播延遲的汽車級(jí) 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27624-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 功率開(kāi)關(guān)。UCC27624-Q1 的...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 電源開(kāi)關(guān) 250 0

SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管

2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT 陶瓷電容器 249 0

UCC20520 5.7-kVrms， 4-A/6-A雙通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC20520 是一款隔離式單輸入、雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 6A 灌電流峰值電流。它旨在驅(qū)動(dòng)高達(dá) 5MHz 的功率 MOSFET、IG...

2025-05-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 峰值電流 249 0

UCC27532-Q1 具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 輸入的汽車類 2.5A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27532-Q1 器件是一款單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 2.5A 的拉電流和 5A 的灌電流（非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)）峰值電流有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和...

2025-05-20 標(biāo)簽：MOSFET IGBT UVLO 248 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。

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