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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對軟硬件進(jìn)行設(shè)計。
MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn),適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
使用HY-HVL系列線性高壓直流電源進(jìn)行IGBT測試
功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、SiC、GaN等)是電力電子系統(tǒng)的核心組件,廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。絕緣柵雙極型...
根據(jù)Mordor Intelligence的數(shù)據(jù),從2020年IGBT市場的價值就達(dá)到60.47億美元,預(yù)計到2026年將增長至110.1億美元。報告指...
UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...
電力半導(dǎo)體的進(jìn)步并不完全取決于節(jié)點(diǎn)尺寸的減小。硅電力開關(guān),如MOSFETs和IGBTs,被設(shè)計用來處理12V到+3.3kV的電壓和數(shù)百安培的電流。這些開...
UCC21750 5.7kVrms ±10A,單通道隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC21750 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動器,專為工作電壓高達(dá) 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計,具有先進(jìn)的保護(hù)功...
固晶錫膏如何征服高功率封裝?一文破解高密度封裝的散熱密碼固晶
固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計的錫基焊料,通過冶金結(jié)合實現(xiàn)高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接,對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏,具備超高導(dǎo)熱(60-70W/m?K)、高強(qiáng)度(剪切強(qiáng)度...
為驗證對主回路雜散電感效應(yīng)的分析并考察不同電感量以及門極驅(qū)動情況下的實際情況,我們?nèi)藶閷p 大小進(jìn)行了干預(yù),其具體方法是在D 的陰極與電路PCB 之間...
公開資料顯示,功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
2023-05-10 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 528 0
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會。只要存在對高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動器器件,能夠有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 510 0
由于VFD /逆變器是提供電源的關(guān)鍵組件,因此它們的操作,性能和可靠性對于保持不間斷電源至關(guān)重要。本應(yīng)用筆記重點(diǎn)關(guān)注即使在不利條件下也可幫助確保VFD的...
飛虹IGBT單管FHA75T65V1DL產(chǎn)品介紹
國產(chǎn)IGBT單管新品,采用飛虹半導(dǎo)體第七代場截止(Trench Field Stop VII )技術(shù)工藝設(shè)計,能達(dá)到顯著降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。使產(chǎn)品具...
UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開關(guān)器件 500 0
聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動器技術(shù)手冊
ADuM4138 是一款已針對絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...
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