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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件,正如其開發(fā)的目的,結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能,它在許多應(yīng)用中切換電力,像是變頻驅(qū)動(dòng)(VFD)、電動(dòng)汽...
2018-07-12 標(biāo)簽:igbt安森美半導(dǎo)體 795 0
電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆...
請(qǐng)問大功率IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)器如何實(shí)現(xiàn)呢?
數(shù)字電路憑借其具有高穩(wěn)定性、高可靠性、可編程性、易于設(shè)計(jì)和經(jīng)濟(jì)性等突出特點(diǎn),其應(yīng)用日益普遍。
2023-07-04 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT隔離電源 783 0
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
提升傳統(tǒng)基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊
近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當(dāng)前使用IGBT的電力轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師的真正替代方案。到目前為止,大多數(shù)SiCMOSFET...
新能源電驅(qū)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展趨勢
第三代半導(dǎo)體材料可以滿足現(xiàn)代社會(huì)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求,且體積小、污染少、運(yùn)行損耗,正逐步成為發(fā)展的重心。
2023-05-04 標(biāo)簽:IGBT電機(jī)控制器第三代半導(dǎo)體 768 0
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美編輯 2024-07-30 轉(zhuǎn)向綠色氫氣有望減少溫室氣體排放。來自水電、風(fēng)能和太陽能等可再生能源的電...
2024-10-02 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBTDC 759 0
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動(dòng)汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動(dòng)汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
在開關(guān)過程中,晶體管短暫處于同時(shí)施加高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律,這會(huì)導(dǎo)致某些損失,這取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間(見圖2)。目標(biāo)是最小化這些時(shí)間段。...
2022-12-22 標(biāo)簽:處理器驅(qū)動(dòng)器IGBT 758 0
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征,IGBT 電源模塊逐漸成...
SiC MOSFET:柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌?
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...
快恢復(fù)二極管分類全解析:從基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)到前沿應(yīng)用
在變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路中,一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間過長的二極管導(dǎo)致開關(guān)損耗增加30%,這個(gè)案例揭示了快恢復(fù)二極管選型對(duì)電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵影響。作為高頻開關(guān)電路...
2025-02-26 標(biāo)簽:變頻器IGBT驅(qū)動(dòng)電路 732 0
DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題
引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...
安森美SPM31系列1200V IGBT在三相熱泵的應(yīng)用優(yōu)勢
熱泵是一種既高效又環(huán)保的供暖方式,其可靠性和實(shí)用性已得到充分驗(yàn)證。它是推動(dòng)全球向可持續(xù)供暖趨勢發(fā)展的核心力量,運(yùn)行所需的電力具有低排放的特點(diǎn)。在與傳統(tǒng)鍋...
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率開關(guān)器件 724 0
FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是能被工業(yè)機(jī)器人及數(shù)控加工中心等自動(dòng)化設(shè)備廣泛應(yīng)用的產(chǎn)品,它是屬于伺服系統(tǒng)的一部分,能應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。
2023-06-18 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT伺服電機(jī) 723 0
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