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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的隔離方式與作用

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的隔離方式與作用

  驅(qū)動(dòng)電路要求   o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)時(shí)間   oIGBT開(kāi)通后,提供足夠的電壓...

2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 1079 0

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管的常用領(lǐng)域介紹

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管的常用領(lǐng)域介紹

今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠(chǎng)家...

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體元器件 1078 0

碳化硅在半導(dǎo)體中有什么好處?

來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-02-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBTSiC 1077 0

低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿(mǎn)足光伏應(yīng)用的需求

低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿(mǎn)足光伏應(yīng)用的需求

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2023-11-29 標(biāo)簽:二極管逆變器光伏 1076 0

加速線(xiàn)上工具的功率級(jí)設(shè)計(jì),助力IGBT特性分析功能提升

加速線(xiàn)上工具的功率級(jí)設(shè)計(jì),助力IGBT特性分析功能提升

 為讓電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在最短時(shí)間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評(píng)估作業(yè),功率半導(dǎo)體業(yè)者研發(fā)出更精密的線(xiàn)上設(shè)計(jì)工具,不僅能提供溫度和頻...

2013-08-15 標(biāo)簽:IGBT 1074 0

浮思特 | 揭開(kāi)(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析

浮思特 | 揭開(kāi)(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析

在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來(lái)之前,最受歡迎和常用的功率電子開(kāi)關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...

2025-06-17 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率電子 1073 0

IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試

IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試

IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試

2023-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器 1063 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(1)

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(1)

IGBT作為大功率雙極型開(kāi)關(guān)器件,持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下,關(guān)斷過(guò)程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步

2023-12-01 標(biāo)簽:IGBT電流電壓載流子 1063 0

為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!

GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類(lèi)型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車(chē)和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...

2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1061 0

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)

新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...

2023-11-17 標(biāo)簽:MOSFETIGBT氮化鎵 1058 0

突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運(yùn)行,然而,關(guān)于磁場(chǎng)干擾(MFI)對(duì)其性能和可靠性的影響的研究較少,尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一...

2025-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路IGBT晶體管 1058 0

3000W高頻車(chē)載逆變器如何選一款好的IGBT?

3000W高頻車(chē)載逆變器如何選一款好的IGBT?

這是由于FHA75T65A的IGBT單管擁有高可靠性以及反向并行的快恢復(fù)二極管特性,Trench Field Stop technology(拖尾電流...

2023-05-26 標(biāo)簽:二極管逆變器IGBT 1057 0

什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

什么是柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...

2023-02-28 標(biāo)簽:電源MOSFETIGBT 1056 0

igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑正常嗎

IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑,通常是指在焊接過(guò)程中,IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)異常,導(dǎo)致焊接效果不理想。這種現(xiàn)象可能是由多種原因引起的,需要對(duì)IGBT焊機(jī)...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT電子器件驅(qū)動(dòng)電路 1047 0

碳化硅器件“上車(chē)”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

碳化硅器件“上車(chē)”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 1042 0

一文讀懂汽車(chē)芯片—電源轉(zhuǎn)換類(lèi)芯片

一文讀懂汽車(chē)芯片—電源轉(zhuǎn)換類(lèi)芯片

電源芯片是指對(duì)電源進(jìn)行變換或者控制,為負(fù)載正常工作提供合適的電壓或者電流的集成電路芯片

2023-07-10 標(biāo)簽:處理器電池管理IGBT 1041 0

淺談IGBT產(chǎn)業(yè)鏈中的幾個(gè)玩家

低壓的光伏經(jīng)過(guò)前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶(hù)發(fā)展還是比較快,海外市場(chǎng)會(huì)多一些,包括這幾年崛起的終端客戶(hù),比如德業(yè)和錦浪。

2022-09-20 標(biāo)簽:IGBT功率器件 1037 0

集成式車(chē)載充電系統(tǒng)綜述和控制方法

集成式車(chē)載充電系統(tǒng)綜述和控制方法

近年來(lái),隨著能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出,產(chǎn)業(yè)界和科研界都對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的研發(fā)投入了極大關(guān)注,也帶來(lái)了全球范圍內(nèi)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,使得目前電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)品...

2023-08-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)變換器充電系統(tǒng) 1037 0

新能源汽車(chē)高壓充電系統(tǒng)有哪些

新能源汽車(chē)高壓充電系統(tǒng)有哪些

截至2023 年6月末,全國(guó)充電樁保有量為665.2萬(wàn)臺(tái),同比增加 69.8%。其中,公共充電樁占比 32.3%,私人充電樁占比 67.7%。近年來(lái)車(chē)樁...

2023-08-29 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車(chē)IGBT 1034 0

IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡(jiǎn)介

IGBT模塊結(jié)構(gòu)及老化簡(jiǎn)介

對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來(lái)講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書(shū)中很直觀(guān)地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),這些性能能夠發(fā)揮出來(lái)多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...

2023-06-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)封裝逆變器 1029 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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編輯推薦廠(chǎng)商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線(xiàn)充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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