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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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驅(qū)動(dòng)電路要求 o提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?,使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷○提供IGBT適當(dāng)?shù)拈_(kāi)關(guān)時(shí)間 oIGBT開(kāi)通后,提供足夠的電壓...
2024-03-27 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路脈沖變壓器 1079 0
今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠(chǎng)家...
來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿(mǎn)足光伏應(yīng)用的需求
低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù),滿(mǎn)足光伏應(yīng)用的需求
加速線(xiàn)上工具的功率級(jí)設(shè)計(jì),助力IGBT特性分析功能提升
為讓電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員在最短時(shí)間內(nèi),完成新一代絕緣閘雙極電晶體(IGBT)元件特性評(píng)估作業(yè),功率半導(dǎo)體業(yè)者研發(fā)出更精密的線(xiàn)上設(shè)計(jì)工具,不僅能提供溫度和頻...
2013-08-15 標(biāo)簽:IGBT 1074 0
浮思特 | 揭開(kāi)(IGBT)的神秘面紗,結(jié)構(gòu)原理與應(yīng)用解析
在(絕緣柵雙極型晶體管)IGBT出來(lái)之前,最受歡迎和常用的功率電子開(kāi)關(guān)器件是雙極結(jié)晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。然而,這兩種組件在高電...
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器 1063 0
IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(1)
IGBT作為大功率雙極型開(kāi)關(guān)器件,持續(xù)工作在大注入、低增益的狀態(tài)下,關(guān)斷過(guò)程中因?yàn)殡娮与娏?、空穴電流關(guān)斷不同步
為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng):碳化硅MOSFET相對(duì)于IGBT的優(yōu)勢(shì)!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)用于許多不同類(lèi)型的電源應(yīng)用,包括可再生能源、航空航天、汽車(chē)和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及...
淺談第三代半導(dǎo)體的氮化鎵性能優(yōu)勢(shì)
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場(chǎng),是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE 技術(shù)在 GaN 材料...
突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運(yùn)行,然而,關(guān)于磁場(chǎng)干擾(MFI)對(duì)其性能和可靠性的影響的研究較少,尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一...
2025-02-25 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路IGBT晶體管 1058 0
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線(xiàn)路中。其中,SiC MOSFET在近年來(lái)的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑正常嗎
IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑,通常是指在焊接過(guò)程中,IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)異常,導(dǎo)致焊接效果不理想。這種現(xiàn)象可能是由多種原因引起的,需要對(duì)IGBT焊機(jī)...
2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT電子器件驅(qū)動(dòng)電路 1047 0
碳化硅器件“上車(chē)”加快,800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)
根據(jù)研究和規(guī)模化應(yīng)用的時(shí)間先后順序,業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化鎵...
低壓的光伏經(jīng)過(guò)前年的低谷期,最近兩三年都是處于上升的階段,包括很多光伏逆變的客戶(hù)發(fā)展還是比較快,海外市場(chǎng)會(huì)多一些,包括這幾年崛起的終端客戶(hù),比如德業(yè)和錦浪。
近年來(lái),隨著能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出,產(chǎn)業(yè)界和科研界都對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的研發(fā)投入了極大關(guān)注,也帶來(lái)了全球范圍內(nèi)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,使得目前電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)品...
2023-08-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)變換器充電系統(tǒng) 1037 0
截至2023 年6月末,全國(guó)充電樁保有量為665.2萬(wàn)臺(tái),同比增加 69.8%。其中,公共充電樁占比 32.3%,私人充電樁占比 67.7%。近年來(lái)車(chē)樁...
2023-08-29 標(biāo)簽:動(dòng)力電池新能源汽車(chē)IGBT 1034 0
對(duì)于工程設(shè)計(jì)人員來(lái)講,IGBT芯片的性能,可以從規(guī)格書(shū)中很直觀(guān)地得到。但是,系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),這些性能能夠發(fā)揮出來(lái)多少,就要看“封裝“了,畢竟夏天穿著棉襖工作...
2023-06-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)封裝逆變器 1029 0
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