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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析(3)
在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中,我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2(見(jiàn)上一節(jié)插圖), 因?yàn)镻IN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)
多種功率半導(dǎo)體在不同領(lǐng)域具有的優(yōu)勢(shì)
功率半導(dǎo)體器件是電力電子電路的重要組成部分,理想的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)具有良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,在截止?fàn)顟B(tài)下能夠承受高電壓和小泄漏電流。在接通狀態(tài)下,可...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1266 0
下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)
今天講解的是下一代主流SiC IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)——環(huán)氧灌封技術(shù)給大家進(jìn)行學(xué)習(xí)。 之前梵易R(shí)yan對(duì)模塊分層的現(xiàn)象進(jìn)行了三期的分享,有興趣的朋...
東芝分立IGBT大幅提高空調(diào)和工業(yè)設(shè)備的效率
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正(PFC)電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過(guò)業(yè)界驗(yàn)證,對(duì)于節(jié)能工作意義重...
新能源汽車核心部件IGBT模塊想要過(guò)AECQ101認(rèn)證,需要要做哪些測(cè)試?
電驅(qū)系統(tǒng)和IGBT模塊的作用 要了解IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時(shí),電機(jī)控制器把動(dòng)力電...
在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
IGBT行業(yè)需求增長(zhǎng): IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域,主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展,我國(guó)能源需求大...
2022-08-08 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1250 0
近年來(lái),功率半導(dǎo)體用戶深刻地意識(shí)到不確定的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來(lái)挑戰(zhàn)相當(dāng)棘手。因此,在設(shè)計(jì)變頻器時(shí),"多元采購(gòu) "一直是用戶的需求。賽米控...
主驅(qū)逆變器應(yīng)用中不同 Zth 模型對(duì)分立 IGBT Tvj 計(jì)算的影響
*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/在xEV應(yīng)用的主驅(qū)逆變器中,關(guān)于IGBT分立器件熱阻網(wǎng)絡(luò)建模和虛擬結(jié)溫計(jì)算的研究和論文相對(duì)較少。本文基于最新的...
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過(guò)新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(2)
IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來(lái)看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。
IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn) 1.1 IGBT雙脈沖實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、通過(guò)實(shí)驗(yàn)獲取IGBT驅(qū)動(dòng)板及IGBT模塊的主要?jiǎng)討B(tài)參數(shù),如延時(shí)、上升、下降時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗等; 2...
瑞能RC-IGBT產(chǎn)品在電磁爐中的應(yīng)用方案
電磁爐由于集中加熱效率高、 無(wú)明火、 安全性佳、 體積小便于移動(dòng)等效能,越來(lái)越受到人們的喜愛(ài)。
2025-02-19 標(biāo)簽:IGBT電磁爐瑞能半導(dǎo)體 1233 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如變頻器、電源、電動(dòng)汽車等。IGBT在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,需要通過(guò)散熱...
碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用!
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加,并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用,包括電動(dòng)汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深...
800V系統(tǒng)將重構(gòu)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)鏈,這些技術(shù)和產(chǎn)品最受益
汽車電動(dòng)化趨勢(shì)正在不斷加快。過(guò)去兩年,受疫情和芯片短缺影響,全球汽車市場(chǎng)整體表現(xiàn)不佳,但新能源車卻一枝獨(dú)秀,延續(xù)這幾年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)勢(shì)頭,2021年實(shí)現(xiàn)銷量...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETIGBT 1222 0
IGBT的關(guān)斷瞬態(tài)分析—電荷存儲(chǔ)變化趨勢(shì)(1)
現(xiàn)在我們把時(shí)間變量圖片加入,進(jìn)行電荷總量圖片的瞬態(tài)分析。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓,IGBT內(nèi)部存儲(chǔ)的電荷開(kāi)始衰減,衰減過(guò)程是因?yàn)檩d流子壽命有限而自然復(fù)合
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