深度解析IGBT功率半導(dǎo)體框架

　　IGBT 產(chǎn)品定義：功開關(guān)器件，讓直流電和交流電之間相互轉(zhuǎn)換。

　　IGBT行業(yè)需求增長(zhǎng)： IGBT廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車、通信及消費(fèi)電子領(lǐng)域，主要電壓應(yīng)用范圍在600V到1200V之間。由于經(jīng)濟(jì)的飛速發(fā)展，我國(guó)能源需求大幅上升，在節(jié)能減排政策的背景下，工業(yè)控制、變頻白色家電等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來(lái)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

編輯：黃飛

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IGBT(242707) IGBT(242707)
功率半導(dǎo)體(42383) 功率半導(dǎo)體(42383)

評(píng)論

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三菱電機(jī)推出新一代功率半導(dǎo)體模塊

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2010-03-24 18:01:35

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賽米控推出最新MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊

賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流

2011-05-06 08:34:24

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IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論免費(fèi)下載

《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí)，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制

2011-11-09 18:03:37

安森美半導(dǎo)體的全系列IGBT滿足汽車、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源、白家電等各類應(yīng)用需求

安森美半導(dǎo)體是領(lǐng)先的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，提供全面的功率器件，包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙（WBG）等分立器件及智能功率模塊（IPM）等功率模塊，尤其在收購(gòu)Fairchild半導(dǎo)體

2017-05-16 16:43:39

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功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢(shì)

　　目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來(lái)才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。

2017-09-20 17:46:59

功率半導(dǎo)體器件的直接均流技術(shù)的解析

）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件，如：門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（IGBT），都屬于雙極注入器件，所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。在實(shí)際應(yīng)用中，往往有多個(gè)器件的并

2017-10-31 10:19:41

比亞迪推出IGBT4.0引領(lǐng)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體發(fā)展

經(jīng)過(guò)10余年的技術(shù)積累，比亞迪IGBT不斷迭代更新?；顒?dòng)現(xiàn)場(chǎng)，中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)秘書長(zhǎng)蔚紅旗表示：“比亞迪在電動(dòng)車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局較早，而且真抓實(shí)干，在電動(dòng)車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域創(chuàng)造了領(lǐng)先，中國(guó)的電動(dòng)車發(fā)展不用擔(dān)心被‘卡脖子’了。”

2018-12-13 16:51:01

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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)及機(jī)會(huì)深度解析!

IGBT/三代化合物半導(dǎo)體功率器件在技術(shù)推進(jìn)和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下迎來(lái)新一輪發(fā)展機(jī)遇。

2019-06-27 10:04:33

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IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶嘉善經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)

7月16日，浙江省嘉善縣數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展再傳捷報(bào)，IGBT功率半導(dǎo)體項(xiàng)目正式簽約落戶嘉善經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。

2019-07-18 10:04:14

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什么是IGBT？功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)

　除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。

2021-05-24 06:07:00

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功率半導(dǎo)體是什么，igbt產(chǎn)品又是如何分類的

關(guān)于IGBT，小編已經(jīng)寫過(guò)很多篇文章了。今天主要來(lái)講講什么是功率半導(dǎo)體？IGBT產(chǎn)品又是如何分類的？與芯片又有哪些不同呢？

2022-03-11 11:22:04

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賽晶半導(dǎo)體自主研發(fā)的IGBT模塊有新突破

這是賽晶半導(dǎo)體自主技術(shù)IGBT模塊的首個(gè)批量訂單，標(biāo)志公司IGBT模塊取得客戶認(rèn)可并開始批量銷售和應(yīng)用

2022-02-14 16:34:46

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新能源汽車中功率半導(dǎo)體的解析

隨著汽車電動(dòng)化、智能化、網(wǎng)聯(lián)化等發(fā)展，汽車電子迎來(lái)結(jié)構(gòu)性變革大機(jī)會(huì)。在傳統(tǒng)燃料汽車中，汽車電子主要分布于動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)、車身、安全、娛樂(lè)等子系統(tǒng)中。按照功能劃分，汽車半導(dǎo)體可大致分為功率半導(dǎo)體（IGBT和MOSFET等）、MCU、傳感器及其他等元器件。

2022-11-06 21:20:27

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車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體：IGBT和MOSFET是主要產(chǎn)品

功率半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程在半導(dǎo)體功率器件中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，相比于功率二極管、功率三級(jí)管和晶閘管等電流控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)，應(yīng)用前景十分廣闊。

2022-11-28 16:18:58

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BJT，MOSFET和IGBT的智能功率模塊解析

智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過(guò)可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。

2023-02-02 14:39:14

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IGBT功率半導(dǎo)體的主要引用領(lǐng)域有哪些

功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車、工業(yè)制造、等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。今天SPEA和大家重點(diǎn)介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。

2023-02-02 15:07:35

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什么是功率半導(dǎo)體？有哪些類型？

功率半導(dǎo)體有功率器件和功率IC，功率器件又包含二極管、晶體管和晶閘管，其中晶體管又可根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域和制程可劃分為絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、MOSFET和雙極型晶體管等；功率IC是一種模擬IC，主要有電源管理IC、驅(qū)動(dòng)IC、AC/DC 和 DC/DC等。

2023-02-03 10:03:31

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什么是功率半導(dǎo)體？

功率半導(dǎo)體包括兩部分：功率器件和功率IC，功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支，而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來(lái)。

2023-02-06 14:27:21

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IGBT功率半導(dǎo)體器件

IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí)，市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng) 管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件

2023-02-15 16:26:32

功率半導(dǎo)體類型及特點(diǎn)

功率半導(dǎo)體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可以控制電流的半導(dǎo)體元件，它可以在非常短的時(shí)間內(nèi)控制電流的流動(dòng)，從而控制電力的輸出。

2023-02-15 17:55:51

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功率半導(dǎo)體的工作原理是什么

、IGBT、MOSFET、GTO等。功率半導(dǎo)體的工作原理可以分為三個(gè)階段：導(dǎo)通、截止和反向恢復(fù)。在導(dǎo)通狀態(tài)下，當(dāng)控制信號(hào)輸入時(shí)，功率半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻將迅速降低，電流可以從其正極流向負(fù)極。在導(dǎo)通狀態(tài)下，功率半導(dǎo)體器件將消耗

2023-02-18 11:17:03

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貞光科技：功率半導(dǎo)體行業(yè)研究框架

貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案！功率半導(dǎo)體是必選消費(fèi)品，人需要吃“柴米油鹽

2023-03-10 17:55:26

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半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討

）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi

2023-04-20 09:54:43

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功率半導(dǎo)體的知識(shí)總結(jié)（MOSFET/IGBT/功率電子器件/半導(dǎo)體分立器件）

功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。

2023-07-26 09:31:03

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功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來(lái)作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說(shuō)IGBT的工藝流程。

2023-09-07 09:55:52

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功率半導(dǎo)體器件：IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別

IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。

2023-10-27 11:40:05

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半導(dǎo)體行業(yè)深度.zip

半導(dǎo)體行業(yè)深度

2023-01-13 09:06:51

功率半導(dǎo)體類型有哪些

功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。

2023-11-07 10:54:05

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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗

2023-12-05 16:31:25

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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)

2023-12-15 09:54:25

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深度解析電動(dòng)汽車核心器件——IGBT

IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

2023-11-24 10:11:53

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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)

這篇文章是《英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體》系列原創(chuàng)文章的第204篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）

2023-12-06 11:54:39

IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）

這篇文章是英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體微信公眾號(hào)系列原創(chuàng)文章第205篇，IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（下）

2023-12-06 11:56:43

意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。

2024-02-27 09:05:36

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半導(dǎo)體IGBT模塊的詳解

半導(dǎo)體器件，兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET 驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度

2024-03-22 08:37:25

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深度解析IGBT功率半導(dǎo)體框架

評(píng)論