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euv

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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個節(jié)點(diǎn)推向下一個階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv資訊

從ASML年收入140億歐元,看光刻機(jī)市場格局

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)1月20日,ASML發(fā)布了其第四季度的財報,銷售額達(dá)到了43億歐元,全年凈銷售額140億歐元,毛利率48.6%,凈利潤金額...

2021-01-22 標(biāo)簽:光刻機(jī)EUVASML 3671 0

美國泛林宣布與ASML、IMEC合作開發(fā)出新的EUV光刻技術(shù) 成本大幅降低

2月28日,美國泛林公司宣布與ASML阿斯麥、IMEC比利時微電子中心合作開發(fā)了新的EUV光刻技術(shù),不僅提高了EUV光刻的良率、分辨率及產(chǎn)能,還將光刻膠...

2020-02-29 標(biāo)簽:光刻IMECEUV 3662 0

EUV光刻工藝可用到2030年的1.5nm節(jié)點(diǎn)

推動科技進(jìn)步的半導(dǎo)體技術(shù)真的會停滯不前嗎?這也不太可能,7nm工藝節(jié)點(diǎn)將開始應(yīng)用EUV光刻工藝,研發(fā)EUV光刻機(jī)的ASML表示EUV工藝將會支持未來15...

2017-01-22 標(biāo)簽:摩爾定律EUVEUV光刻機(jī) 3661 0

三星6nm工藝已量產(chǎn)出貨,3nm GAE工藝也將研發(fā)完成

由于在7nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)地采用了EUV工藝,三星的7nm工藝量產(chǎn)時間比臺積電要晚了一年,目前采用高通的驍龍765系列芯片使用三星7nm EUV工藝量產(chǎn)。在這...

2020-01-06 標(biāo)簽:三星電子臺積電euv 3656 0

半導(dǎo)體巨頭為什么追捧EUV光刻機(jī)

近些年來EUV光刻這個詞大家應(yīng)該聽得越來越多,三星在去年發(fā)布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工藝打造的芯片,臺積電的7nm+也...

2020-02-29 標(biāo)簽:處理器cpueuv 3616 0

探析EUV光刻未來的發(fā)展趨勢

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用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet,極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野,從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)...

2019-01-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EUV 3613 0

英特爾未來十年制造工藝路線圖發(fā)布,1.4納米2029年推出

英特爾預(yù)計其制造工藝節(jié)點(diǎn)技術(shù)將保持2年一飛躍的節(jié)奏,從2019年的10納米工藝開始,到2021年轉(zhuǎn)向7納米EUV(極紫外光刻),然后在2023年采用5納...

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EUV極紫外光時代步伐漸近 或?qū)⒂瓉?50瓦EUV光源

盡管所花的時間與成本幾乎比所有人預(yù)期得要多,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終于還是快要盼到極紫外光(extreme ultraviolet,EUV)微影技術(shù)的大量生產(chǎn)──在...

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三星稱在GAA技術(shù)領(lǐng)先臺積電一年 更超前英特爾兩到三年

盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒,三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時預(yù)料將展示自家先進(jìn)制程技術(shù),并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片,名為「環(huán)...

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1納米需要什么樣的光刻機(jī)?

比利時的獨(dú)立半導(dǎo)體高科技研究機(jī)構(gòu)——imec每年都會在東京舉辦“imec Technology Forum(ITF) Japan”,并介紹他們的年度研發(fā)...

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臺積電官宣2nm研發(fā)啟動 N5P量產(chǎn)預(yù)計落在2021年

6月18日,臺積電在上海舉辦了2019中國技術(shù)論壇(TSMC2019 Technology Symposium)。臺積電總裁魏家哲介紹了先進(jìn)工藝的發(fā)展規(guī)...

2019-06-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體臺積電EUV 3553 0

三星宣布已完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)

4月16日,三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿,宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā),現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。

2019-04-16 標(biāo)簽:三星電子FinFETEUV 3549 0

先進(jìn)制程微縮變得越來越困難 IC設(shè)計與品牌商同樣面對的成本高墻

晶圓代工廠商的先進(jìn)制程競賽如火如荼來到7nm,但也有晶圓代工廠商就此打住,聯(lián)電將止于12nm制程研發(fā),GlobalFoundries宣告無限期停止7nm...

2018-12-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓EUV 3514 0

臺積電和三星再次登上摩爾定律階梯

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5納米節(jié)點(diǎn)是首個從開始就使用極紫外光刻(EUV)技術(shù)做出來的。在波長只有13.5納米的情況下,EUV燈可以在硅上產(chǎn)生非常精細(xì)的圖案。其中一些圖案可以用上...

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EUV光刻的兩大挑戰(zhàn)者,誰扛大旗?

過去二十年見證了193 nm以下波長光刻技術(shù)的發(fā)展。在使用 F2 準(zhǔn)分子激光器開發(fā)基于 157 納米的光刻技術(shù)方面付出了一些努力,但主要關(guān)注點(diǎn)是使用 1...

2023-02-02 標(biāo)簽:摩爾定律光刻技術(shù)EUV 3511 0

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材料是半導(dǎo)體大廈的地基,不過,目前中國的這一地基對國外依存度還很高。 2019年,日韓發(fā)生沖突,日本封鎖了三種關(guān)鍵的半導(dǎo)體材料,分別是氟化氫、聚酰亞胺和...

2021-05-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體EUV光刻膠 3500 0

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