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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應用，EUV光刻機的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。

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臺積電率先導入EUV量產(chǎn)，將繼續(xù)穩(wěn)坐晶圓代工龍頭寶座

臺積電明年上半年將獨步同業(yè)，成為全世界第一家采用最先進的極紫外光（EUV）微影設備完成量產(chǎn)的晶圓代工廠，助攻臺積電橫掃全球多數(shù)第五代行動通訊（5G）及人...

2018-07-23 標簽：臺積電晶圓 euv 3825 0

臺積電宣布其7納米制程進入量產(chǎn) 并透露了5納米節(jié)點的首個時間表

持續(xù)同時朝多面向快速進展的晶圓代工大廠臺積電（TSMC），于美國硅谷舉行的年度技術(shù)研討會上宣布其7納米制程進入量產(chǎn)，并將有一個采用極紫外光微影（EUV）...

2018-05-11 標簽：臺積電晶圓 finfet 3820 0

英特格宣布新一代光罩盒已獲ASML認證

微電子產(chǎn)業(yè)特種化學品和材料解決方案廠商英特格（Entegris）宣布，新一代的光罩盒已獲得半導體生產(chǎn)設備商艾司摩爾（ASML）的認證，可用于極紫...

2018-08-22 標簽：半導體 EUV ASML 3817 0

三星將在明年推5/4nmEUV工藝 2020年推3nmEUV工藝

隨著Globalfoundries以及聯(lián)電退出先進半導體工藝研發(fā)、投資，全球有能力研發(fā)7nm及以下工藝的半導體公司就只剩下英特爾、臺積電及三星了，不過英...

2018-09-06 標簽：三星電子 FinFET EUV 3816 0

14納米工藝節(jié)點會給設計帶來哪些挑戰(zhàn)？

據(jù)國際物理系統(tǒng)研討會（ISPD）上專家表示：實現(xiàn)14納米芯片生產(chǎn)可能會比原先想象的更困難；14納米節(jié)點給設計師帶來了許多挑戰(zhàn)。這些困難和挑戰(zhàn)何在？詳見本文...

2013-04-08 標簽：3D FinFET EUV 3807 0

20年EUV光刻機量產(chǎn)歷程挽救摩爾定律

2019 年底在舊金山舉辦的年度國際電子元件會議（IEDM）上，臺積電公布的兩個報告標志著集成電路制造邁入了EUV 光刻時代。第一個報告宣布了應用EUV...

2021-02-19 標簽：芯片光刻機 EUV 3800 0

三星電子向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn) 擬用10年時間挑戰(zhàn)臺積電世界首位的寶座

境外媒體報道稱，韓國三星電子在半導體代工領(lǐng)域向臺積電發(fā)起正面挑戰(zhàn)。三星將每年花費巨額投資，確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)“EUV（極紫外光刻）”的量產(chǎn)體制，用1...

2019-11-13 標簽：臺積電三星電子 EUV 3798 0

臺積電預計2019年量產(chǎn)7納米，將會是第一家采用EUV量產(chǎn)的晶圓代工業(yè)者

以應用來看，盡管手機需求衰退第二季臺積電營收最大宗仍來自通訊領(lǐng)域，貢獻為48%，其次為工業(yè)(23%)、電腦(21%)與消費性電子(8%)。

2018-07-27 標簽：臺積電納米 euv 3797 0

日本首次批準向韓國出口EUV光刻膠

7月1日，日本政府宣布將韓國移除對外貿(mào)易白名單，韓國進口日本公司的三種原材料——光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫需要提前90天申請，這些材料是生產(chǎn)柔性屏面板...

2019-08-11 標簽：三星電子 EUV 光刻膠 3775 0

DRAM開始進入EUV時代？

根據(jù)國外媒體報導，曾表示目前制程技術(shù)還用不上EUV技術(shù)的各大DRAM廠在目前DRAM價格直直落，短期看不到止跌訊號的情況下，也頂不住生產(chǎn)成本的壓力，開始...

2019-06-21 標簽：半導體 DRAM 三星電子 3754 0

2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑 WET Chemical力抗產(chǎn)業(yè)逆風仍有成長表現(xiàn)

受到半導體產(chǎn)業(yè)逆風影響，2019年半導體前段制程材料需求普遍下滑，占比超過3成的硅晶圓影響頗為嚴重，雖然硅晶圓在長約價格上變動不大，但現(xiàn)貨價格下跌與晶圓...

2019-11-01 標簽：半導體 EUV 3745 0

美光DRAM技術(shù)路線解讀

美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉(zhuǎn)變，位密度的增長速度減慢了。但是，該公司加快了增長率，從1Znm到1αnm工藝節(jié)點尺寸增加了40％。

2020-12-02 標簽：芯片 DRAM EUV 3741 0

ASML元件供應商Prodrive工廠發(fā)生火災出貨時間將遭遞延

2018-12-04 標簽：EUV ASML 3739 0

3D傳感需求強勁 II-VIQ4營收創(chuàng)歷史新高

據(jù)麥姆斯咨詢報道，II-VI公司首次實現(xiàn)年銷售額突破10億美元，并且在其主要市場預計將在近階段繼續(xù)保持這種增長勢頭。

2018-08-13 標簽：EUV 3D傳感 3732 0

三星或從2019年6月份開始量產(chǎn)7納米EUV制程

在 7 納米制程節(jié)點上，雖然三星宣稱時程上領(lǐng)先臺積電，而且選擇直接進入 EUV 技術(shù)時代，不過實際進度卻非如此，也使得之前自家的 Exynos 9820...

2019-04-12 標簽：三星電子 EUV 3726 0

英特爾預計10納米產(chǎn)品將在6月開始出貨并預期2021年7納米制程可望進入量產(chǎn)階段

就在臺積電及三星電子陸續(xù)宣布支援極紫外光（EUV）技術(shù)的7納米技術(shù)進入量產(chǎn)階段后，半導體龍頭英特爾也確定開始進入10納米時代，預計采用10納米產(chǎn)品將在6...

2019-05-14 標簽：處理器英特爾 EUV 3723 0

三星表示將在2019下半年量產(chǎn)內(nèi)含EUV技術(shù)的7納米制程 2021年量產(chǎn)3納米GAA制程

為了減低近期存儲器降價帶來的沖擊，全球存儲器龍頭三星逐漸強化晶圓代工業(yè)務，希望有機會進一步拉近與臺積電的差距。在先進制程的發(fā)展方面，根據(jù)三星高層表示，將...

2019-01-14 標簽：三星電子 EUV 3718 0

英特爾又一次處分艾司摩爾股票持股比率降至3%以內(nèi)

當年為了摩爾定律（Moore’s law）的延續(xù)，讓半導體先進制程可以繼續(xù)發(fā)展下去，在荷蘭半導體設備商艾司摩爾（ASML）發(fā)展光刻設備不順利，缺發(fā)資金之...

2018-10-15 標簽：英特爾三星電子 EUV 3705 0

臺積電基于GAA技術(shù)的2nm制程將會在2025年量產(chǎn)

臺積電2021 年12,000 種產(chǎn)品，其中采用了300 多種制程，這些都是生態(tài)系合作的結(jié)果，沒有生態(tài)系的支持，臺積電就沒辦法進步。

2022-09-06 標簽：臺積電芯片設計 EUV 3693 0

臺積電客戶訂單最多，將在2024年量產(chǎn)2nm工藝

隨著高通驍龍865使用臺積電N7+工藝量產(chǎn)，臺積電的7nm工藝又多了一個大客戶，盡管三星也搶走了一部分7nm EUV訂單，不過整體來看臺積電在7nm節(jié)點...

2019-12-11 標簽：臺積電 euv 3678 0

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3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎，運用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標準采納為國際標準“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標準。
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