最近，美光已將其DRAM路線(xiàn)圖從三個(gè)單元縮減階段更新為四個(gè)階段，從而使每個(gè)芯片具有更大的DRAM容量并降低了每GB的成本。根據(jù)規(guī)劃，這家美國(guó)芯片制造商打算通過(guò)以下步驟逐步縮小單元或工藝節(jié)點(diǎn)的尺寸，從不再主流的20nm節(jié)點(diǎn)工藝尺寸到10nm（19nm-10nm范圍）節(jié)點(diǎn)工藝：

1Xnm –（c19-17nm）較早的DRAM技術(shù)處理節(jié)點(diǎn)大小

1Ynm –（c16-14nm）當(dāng)今主流的DRAM位生產(chǎn)技術(shù)

1Znm –（c13-11mn）2020年第三季度，15%的美國(guó)DRAM位生產(chǎn)是在這個(gè)工藝完成

1αnm工藝節(jié)點(diǎn)– 1 alpha – 2021年上半年的量產(chǎn)

1βnm工藝節(jié)點(diǎn)– 1 beta –處于早期開(kāi)發(fā)中

1納米工藝節(jié)點(diǎn)– 1gamma–早期工藝集成

1δnm工藝節(jié)點(diǎn)– 1delta–探索中，可能需要EUV技術(shù)

1 delta節(jié)點(diǎn)的大小是Micron DRAM路線(xiàn)圖中的一個(gè)新條目。我們沒(méi)有低于1Znm的指示性工藝節(jié)點(diǎn)尺寸。

美光表示，隨著從1Xnm到1Yn和1Znm的轉(zhuǎn)變，位密度的增長(zhǎng)速度減慢了。但是，該公司加快了增長(zhǎng)率，從1Znm到1αnm工藝節(jié)點(diǎn)尺寸增加了40％。

富國(guó)銀行分析師Aaron Rakers表示，美光在1Znm DRAM生產(chǎn)中擁有強(qiáng)大的地位。他引用研究公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)，估計(jì)美光在2020年第三季度的1Znm產(chǎn)量占其DRAM位產(chǎn)量的15％，而三星和SK hynix分別為6％和0。

在其他條件相同的情況下，1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm節(jié)點(diǎn)。

關(guān)于EUV的看法

美光采用深紫外線(xiàn)（DUV）多圖案光刻技術(shù)在晶圓上布置DRAM單元芯片細(xì)節(jié)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)尺寸縮小到10nm單元尺寸水平以下，光束的波長(zhǎng)成為一個(gè)約束。

ASML是芯片行業(yè)光刻機(jī)的主要供應(yīng)商，已開(kāi)發(fā)出發(fā)出較小波長(zhǎng)光的EUV（極端紫外線(xiàn)）光刻機(jī)。這項(xiàng)技術(shù)可在晶圓上刻蝕較窄的線(xiàn)條，因此可實(shí)現(xiàn)更小的工藝尺寸，即晶圓上的DRAM裸片數(shù)量更多，因此每個(gè)晶圓的容量更高，每GB的成本更低。但是資本支出是巨大的。目前ASML每年僅生產(chǎn)30臺(tái)EUV光刻機(jī)，它們重180噸，每臺(tái)成本1.2億美元。

三星在1Znm工藝節(jié)點(diǎn)中就使用EUV，SK hynix計(jì)劃使用EUV技術(shù)批量生產(chǎn)1αnmDRAM和1βnmDRAM。美光認(rèn)為EUV直到2023年或更晚才具有成本競(jìng)爭(zhēng)力，這意味著他們將在1δnm工藝節(jié)點(diǎn)引入EUV。
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