關(guān)于KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告

引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 535 0

通過(guò)檢測(cè)金剛石線鋸硅片表面顆粒負(fù)荷來(lái)評(píng)價(jià)清洗工藝的新方法

高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。...

2023-11-01 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試晶圓 534 0

關(guān)于ZnO 的濕化學(xué)表面紋理化的研究報(bào)告

摘要 透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽(yáng)能電池的前電極起著重要作用，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁┕鈱W(xué)散射，從而改善器件內(nèi)部的光子吸收。本文報(bào)道了摻雜鋁...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 524 0

不同掩模材料對(duì)400nm瀝青光柵蝕刻特性的影響

本文主要介紹了我們?nèi)A林科納研究了用聚合物、Cr、二氧化硅和Cr-單聚聚合物等各種蝕刻掩模材料對(duì)400nm瀝青硅光柵的低溫深蝕刻。研究發(fā)現(xiàn)，下切口是限制C...

2022-05-10 標(biāo)簽：光柵材料蝕刻 522 0

Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響

我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...

2022-03-10 標(biāo)簽：算法蝕刻原理 514 0

濕蝕刻在硅片晶薄中的作用

薄晶片已經(jīng)成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。其中包括用于射頻識(shí)別系統(tǒng)的功率器件、分立半導(dǎo)體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉(zhuǎn)移之外，垂直系統(tǒng)集...

2022-04-01 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 509 0

循環(huán)緩沖氧化物蝕刻過(guò)濾器的特性報(bào)告

本文討論了我們?nèi)A林科納用于再循環(huán)蝕刻浴的過(guò)濾器的物理、性能和成本特性。然而，要為生產(chǎn)操作選擇合適的過(guò)濾器，還需要蝕刻應(yīng)用知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

2022-02-10 標(biāo)簽：蝕刻性能過(guò)濾器 492 0

方差分析在等離子蝕刻工序中的應(yīng)用

在集成電路的許多生產(chǎn)步驟中，晶片被一層材料(如二氧化硅或某種金屬)完全覆蓋。通過(guò)對(duì)掩模的蝕刻有選擇性地除去不需要的材料，從而創(chuàng)建電路模板、電互連以及必須...

2022-04-25 標(biāo)簽：集成電路蝕刻 456 0