基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子...

2023-12-11 標(biāo)簽：氮化鎵蝕刻光子器件 675 0

各向異性潤(rùn)濕過程中的表面形態(tài)

在過去的幾年中，隨著器件尺寸的不斷減小，蝕刻表面的粗糙度開始發(fā)揮越來越重要的作用。

2023-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 669 0

具有獨(dú)特底部輪廓的剝離光刻膠的開發(fā)

金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和...

2023-10-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻光刻膠 666 0

300毫米芯片的設(shè)備需求日益飆升

在過去的幾年里，200mm設(shè)備在市場(chǎng)上一直供不應(yīng)求，但現(xiàn)在整個(gè)300mm供應(yīng)鏈也出現(xiàn)了問題。傳統(tǒng)上，300毫米設(shè)備的交貨時(shí)間為三到六個(gè)月，而特定系統(tǒng)的交...

2023-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 661 0

選擇性激光蝕刻中蝕刻劑對(duì)玻璃通孔錐角和選擇性有什么影響

近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實(shí)現(xiàn)倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應(yīng)用。然而，硅有幾個(gè)缺點(diǎn)，例如其價(jià)格相對(duì)較...

2025-01-23 標(biāo)簽：激光蝕刻 659 0

大壓縮作用下軟基底薄膜周期性分層現(xiàn)象的研究

通過實(shí)驗(yàn)、理論模型和有限元模擬的結(jié)合，英思特通過將一個(gè)薄膜粘接到一個(gè)預(yù)應(yīng)變超過400%的軟彈性襯底上，探索了微觀和宏觀尺度上控制周期性屈曲脫層形成和發(fā)展...

2023-10-08 標(biāo)簽：電子器件蝕刻有限元 635 0

單晶硅晶片的超聲輔助化學(xué)蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進(jìn)行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結(jié)構(gòu)[1，2]形貌取決于以下成分 蝕...

2022-04-12 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 632 0

用蝕刻法測(cè)定硅晶片表面的金屬雜質(zhì)

本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量...

2022-03-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)備蝕刻 627 0

局部陽(yáng)極氧化和化學(xué)蝕刻對(duì)硅表面的自然光刻

利用作為掩模的陽(yáng)極多孔氧化鋁的模式轉(zhuǎn)移，制備了具有100nm周期性自有序結(jié)構(gòu)的孔和柱陣列納米結(jié)構(gòu)，納米圖案的轉(zhuǎn)移是通過一個(gè)涉及硅的局部陽(yáng)極化和隨后的化學(xué)...

2022-03-23 標(biāo)簽：電壓蝕刻測(cè)量 621 0

丁基醇濃度對(duì)Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速...

2022-03-18 標(biāo)簽：蝕刻晶片測(cè)量 618 0

下一代晶體管有何不同

在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFE...

2023-12-26 標(biāo)簽：晶體管蝕刻 604 0

一種用于蝕刻的現(xiàn)象學(xué)結(jié)構(gòu)區(qū)域模型

在本文中，結(jié)合了現(xiàn)有的經(jīng)驗(yàn)和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項(xiàng)研究調(diào)查了濺射參數(shù)和蝕刻行為之間的關(guān)...

2022-05-09 標(biāo)簽：工藝蝕刻模型 603 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結(jié)構(gòu)，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時(shí)使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項(xiàng)包括蝕刻率、長(zhǎng)寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅...

2022-03-11 標(biāo)簽：傳感器晶圓蝕刻 594 0

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長(zhǎng)AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻...

2022-03-14 標(biāo)簽：單晶蝕刻 588 0

Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響—蘇州華林科納半導(dǎo)體

引言 我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘...

2021-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 584 0

想做好 PCB 板蝕刻？先搞懂這些影響因素

影響 PCB 板蝕刻的因素 電路板從發(fā)光板轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復(fù)雜。當(dāng)前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電...

2025-02-27 標(biāo)簽：PCB蝕刻 575 0

離子布植法介紹

由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學(xué)術(shù)研究單位最常采用的方法為離子布植法。采用離子布植法作為面射型雷射...

2025-01-15 標(biāo)簽：電極蝕刻 572 0

KOH溶液中使用濕法蝕刻制備具有ZnO納米管的倒置有機(jī)太陽(yáng)能

摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機(jī)太陽(yáng)能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡(jiǎn)單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕...

2022-01-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 552 0

無氫氟蝕刻劑中鈦選擇性濕蝕刻銅的研究

眾所周知，微尺度和納米尺度的地形結(jié)構(gòu)對(duì)真核細(xì)胞和原核細(xì)胞的行為都有顯著的影響。例如，具有特殊尺寸的納米線、納米柱、納米管已被證明具有抗菌性能。開發(fā)這種結(jié)...

2023-10-23 標(biāo)簽：蝕刻 547 0

用于批量加工的創(chuàng)新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統(tǒng)

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志文章 近幾十年來，半導(dǎo)體行業(yè)取得了巨大進(jìn)步，在我們的現(xiàn)代世界中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。濕法工藝設(shè)備是生產(chǎn)高質(zhì)量半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部...

2024-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 543 0