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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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摘要 公開了一種用于濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)，其可用于化學(xué)處理，例如蝕刻或清洗半導(dǎo)體襯底。該設(shè)備具有處理室，在該處理室中濕法處理襯底。處理液通過開口和噴...
基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學(xué)蝕刻
我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實現(xiàn)有效的襯底...
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時代玻璃手機后蓋流行成為趨勢，預(yù)測大部分中高端機型將采用玻璃作為手機的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...
在對顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過一定配比混酸等蝕刻液對液晶面板和玻璃基板等（二氧化硅）玻璃材質(zhì)基板進行化學(xué)腐蝕。本文所摘選信息雖不是專門介紹對...
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜...
韓國POSCO與中泰深冷成立合資公司，將生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需氣體
兩家公司計劃生產(chǎn)氖、氙、氪等芯片生產(chǎn)所必需的惰性氣體，按照計劃，生產(chǎn)線將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學(xué)氣相沉積等環(huán)節(jié)。
? 通過小心增加[H2O]來提高蝕刻速率和清洗性能。IK 73中基礎(chǔ)配方技術(shù)的有效性可以通過小心處理三種主要成分的比例來突出。在本例中，配方調(diào)整產(chǎn)生了一...
拋光的硅片是通過各種機械和化學(xué)工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的...
印度展開鋁箔反傾銷調(diào)查，中國產(chǎn)品或進口產(chǎn)品成為目標(biāo)
然而，經(jīng)過詳細(xì)考慮，本次調(diào)查將完全不涉及厚度低于5.5微米的非電容器用鋁箔，也不會涉及原產(chǎn)自中國、印度尼西亞、馬來西亞和泰國且厚度不超過80微米的鋁箔，...
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標(biāo)準(zhǔn)的機械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 ...
已經(jīng)完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)的研究。反應(yīng)物克服液相傳質(zhì)阻力和動力學(xué)阻力完成反應(yīng)。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，...
2022-03-08 標(biāo)簽：電阻數(shù)據(jù)蝕刻 1138 0
在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態(tài)通過計算算術(shù)平均粗...
東京電子新型蝕刻機研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團市場領(lǐng)導(dǎo)地位
根據(jù)已公開的研究報告，東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環(huán)境下進行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)...
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本...
英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會侵蝕下面的銅膜。
在濕法體微機械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導(dǎo)致由最慢蝕刻平面限定的結(jié)構(gòu)。為了制造高尺...
使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
本文介紹了我們?nèi)A林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺...
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