高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2055 0

溶劑對(duì)ITO電極蝕刻的影響

本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響，在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率，然而，通過XPS分析，發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多...

2022-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電極蝕刻 2051 0

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意...

2022-02-07 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻 2016 0

超深熔融石英玻璃蝕刻研究

摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺(tái)通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因?yàn)樗鼈兙哂泄鈱W(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介...

2022-05-23 標(biāo)簽：蝕刻玻璃 1927 0

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

引言 在使用濕化學(xué)硅體微機(jī)械加工制造微機(jī)電系統(tǒng)時(shí)，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機(jī)械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...

2021-12-28 標(biāo)簽：蝕刻單晶硅 1800 0

解析半導(dǎo)體蝕刻過程中的光學(xué)監(jiān)測(cè)

為了獲得功能正常的半導(dǎo)體器件，我們?cè)诩{米制造過程中依賴于嚴(yán)格的尺寸控制。在該初步校準(zhǔn)之后，在相同的處理?xiàng)l件下在真實(shí)晶片上運(yùn)行制造，隨后再次進(jìn)行后處理測(cè)量...

2022-03-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體監(jiān)測(cè)蝕刻 1772 0

關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究

光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切...

2022-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1770 0

半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)

摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效...

2022-03-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1744 0

深硅蝕刻技術(shù)使下一代功率器件成為可能

包括汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對(duì)大功率設(shè)備的需求正在增加。如今，功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...

2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件蝕刻 1716 0

M111N蝕刻速率，在堿性溶液中蝕刻硅

本文講述了我們?nèi)A林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機(jī)制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結(jié)處的成核的...

2022-05-20 標(biāo)簽：蝕刻有機(jī)物 1657 0

微細(xì)加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過...

2022-03-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片加工 1652 0

晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米的技術(shù)挑戰(zhàn)

隨著技術(shù)復(fù)雜性在亞20nm節(jié)點(diǎn)上的加速，半導(dǎo)體制造成本已經(jīng)快速增加，晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米將是解決這一問題的方法之一，平均而言，采用300...

2022-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1623 0

選擇性高通量TiN蝕刻方法的研究

本研究的目的是我們?nèi)A林科納開發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對(duì)電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實(shí)驗(yàn)是在分子間Tempus F...

2022-05-30 標(biāo)簽：蝕刻生物技術(shù) 1610 0

適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學(xué)成分（1）

引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系...

2022-06-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1605 0

華林科納通過HF蝕刻法表征鍵合界面

在許多電氣和傳感器應(yīng)用中，SOI(絕緣體上硅)晶片已經(jīng)取代了傳統(tǒng)的硅晶片，SOI晶片具有不同的掩埋氧化物(BOX)和SOI層厚度，粘合界面的強(qiáng)度通常用裂...

2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1567 0

硅堿性蝕刻中的絕對(duì)蝕刻速率

在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0....

2022-03-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝蝕刻 1540 0

KOH和HCl處理后氧化銦錫表面的表征

引言 通過使用透明導(dǎo)電材料，有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的提取已經(jīng)成為可能，該透明導(dǎo)電材料應(yīng)該具有明確定義的電子和光學(xué)特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...

2021-12-24 標(biāo)簽：薄膜電子器件蝕刻 1529 0