通過濕法蝕刻改善InAs工藝報告

III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測系統(tǒng)、光電探測器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池的制造...

2022-02-14 標簽：機械工藝蝕刻 840 0

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充...

2023-03-31 標簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 832 0

懸浮波導(dǎo)SiO2薄膜的應(yīng)力和折射率控制

懸浮二氧化硅結(jié)構(gòu)對于許多光學(xué)和光子集成電路(PIC)應(yīng)用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導(dǎo)，以及紫外-可見光濾光器等。除了這些應(yīng)用，懸浮波導(dǎo)還可...

2023-11-16 標簽：薄膜蝕刻 831 0

通過熱增強提高氮化鎵的濕蝕刻速率報告

通過增加過硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長紫外線(UVC)暴露，硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(xué)(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 標簽：設(shè)備氮化鎵蝕刻 831 0

一種穿過襯底的通孔蝕刻工藝

通過使用多級等離子體蝕刻實驗設(shè)計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 標簽：工藝蝕刻襯底 805 0

單層和多層中的應(yīng)力和分層控制

類金剛石碳(DLC)膜具有諸如高硬度和低摩擦系數(shù)的優(yōu)異特性，并且在切削工具、金屬模具和機器部件中具有應(yīng)用。不幸的是，它們通常表現(xiàn)出低粘合強度由于高的內(nèi)部...

2023-09-26 標簽：RF蝕刻單晶體 779 0

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數(shù)，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導(dǎo)致建...

2022-03-22 標簽：參數(shù)蝕刻單晶硅 776 0

硅中的各向異性濕法蝕刻工藝課堂4（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4...

2022-08-09 標簽：蝕刻 771 0

Aston 質(zhì)譜儀對小開口區(qū)域的蝕刻有更高的靈敏度

上海伯東日本 Aston? 質(zhì)譜儀能夠進行準確且可操作的端點檢測, OA% 是傳統(tǒng) OES 計量解決方案的一個數(shù)量級（1/10）. Aston? 質(zhì)譜...

2023-06-20 標簽：檢測蝕刻質(zhì)譜儀 766 0

化學(xué)添加劑對KOH 溶液中Si表面反應(yīng)性的影響

介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽極氧化需要價帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化...

2021-12-31 標簽：蝕刻測量 763 0

怎樣通過重新化學(xué)表面處理改善水痕缺陷

根據(jù)水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對于用光學(xué)顯微鏡觀察到產(chǎn)生水痕缺陷...

2022-03-15 標簽：晶圓蝕刻缺陷 756 0

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據(jù)蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數(shù)進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質(zhì)物...

2022-04-07 標簽：工藝特性蝕刻 754 0

氫氧化鉀在凸角處的蝕刻行為

各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異...

2022-03-07 標簽：集成電路封裝蝕刻 740 0

如何利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學(xué)去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮...

2022-03-18 標簽：檢測蝕刻測量 739 0

鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術(shù)節(jié)點的關(guān)注。對于Ge或GeOI CMOS...

2022-05-25 標簽：工藝蝕刻襯底 730 0

一種制備PS層的超聲增強化學(xué)蝕刻方法

本文采用超聲增強化學(xué)蝕刻技術(shù)制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術(shù)在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現(xiàn)p型硅多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用該方法可以制備質(zhì)量因...

2022-04-06 標簽：超聲波蝕刻 684 0

用蝕刻法對金屬陶瓷薄膜進行電阻修整

二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對這些薄膜進行濺射蝕刻。 可以看出，當從鉭面積比超過50%的靶濺射時，鉭-二氧化硅金屬...

2022-02-25 標簽：電阻裝置蝕刻 681 0

KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...

2022-03-09 標簽：晶體材料蝕刻 680 0