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通過(guò)檢測(cè)金剛石線鋸硅片表面顆粒負(fù)荷來(lái)評(píng)價(jià)清洗工藝的新方法

jf_01960162 ? 來(lái)源:jf_01960162 ? 作者:jf_01960162 ? 2023-11-01 17:05 ? 次閱讀
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引言

高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí),有必要去除晶圓表面的潛在污染物,例如有機(jī)物、金屬和顆粒。當(dāng)前的工業(yè)晶圓加工過(guò)程包括兩個(gè)清潔步驟。第一個(gè)是預(yù)清潔步驟,去除粗泥。第一次預(yù)清潔是在鋸切之后、將晶圓從橫梁上脫膠之前直接進(jìn)行的。第二步是晶圓脫膠和分離后的清潔。這種清潔順序提供了許多影響晶片表面清潔度的可能性,例如通過(guò)改變所使用的化學(xué)品或超聲波頻率。

即使清潔后的晶圓表面看起來(lái)光學(xué)上是干凈的,但它仍然可能被污染。為了進(jìn)一步改善清潔效果,必須采用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)分析已清潔表面的污染程度。到目前為止,還沒(méi)有已知的方法可以對(duì)剩余顆粒負(fù)載進(jìn)行可重復(fù)的定性或定量檢測(cè)。

對(duì)于漿料鋸切晶圓,只能通過(guò)蝕刻晶圓表面來(lái)檢測(cè)SiC顆粒負(fù)載。對(duì)于金剛石線鋸切晶圓,鋸切過(guò)程中不使用SiC。表面上的顆??梢允枪枨锌?、金剛石切口或金屬砂粒的顆粒。由于金剛線鋸切晶圓在鋸切方向上具有特征性的粗糙表面結(jié)構(gòu),表面積較大,顆??梢愿玫卣掣皆谠摫砻嫔?。因此,與漿料鋸切的晶片表面相比,金剛石線鋸切的晶片表面上可能存在更多的顆粒。

到目前為止,顆粒污染水平只能通過(guò)簡(jiǎn)單的擦拭測(cè)試來(lái)檢測(cè),該測(cè)試無(wú)法提供可重復(fù)的結(jié)果。為了比較集中關(guān)于顆粒負(fù)載的晶圓清潔程序,已經(jīng)開發(fā)了新的方法來(lái)定量和定性地確定污染水平。

實(shí)驗(yàn)

1.簡(jiǎn)單擦拭試驗(yàn)

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圖1

(a)簡(jiǎn)單擦拭試驗(yàn)原理;(b)含有雜質(zhì)的使用過(guò)的組織的圖片;(c)灰度,其中數(shù)字為飽和度為零的hsv-色彩空間的值[%]

清潔后的晶圓表面上的剩余顆粒負(fù)載可以通過(guò)簡(jiǎn)單的擦拭測(cè)試來(lái)確定,在該測(cè)試中,用垂直且平行于鋸切凹槽的軟組織對(duì)表面進(jìn)行拋光,見(jiàn)圖1(a)。所分析晶片的顆粒負(fù)載通過(guò)使用灰度的組織上的雜質(zhì)等級(jí)來(lái)指示(圖1(b),(c))。缺點(diǎn)是收到的結(jié)果取決于在晶片上施加的壓力以及擦拭表面時(shí)組織的接觸面積的大小。因此,該方法具有固有的不準(zhǔn)確性。

2.新標(biāo)準(zhǔn)化擦拭試驗(yàn)

為了獲得鋸切和清洗硅片上顆粒污染的可重復(fù)性結(jié)果,對(duì)擦拭試驗(yàn)進(jìn)行了顯著改進(jìn)。為了達(dá)到這個(gè)目的,我們使用一個(gè)旋轉(zhuǎn)的拋光輪,并將水溶性羊毛固定在拋光輪上,而不是擦拭組織(圖2)。因此,晶圓片可以用規(guī)定的壓力、角速度和拋光時(shí)間進(jìn)行拋光,這將被稱為標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試。

wKgaomVCFGuABmAcAABfOGEZ6NQ556.png

圖2:(a)標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試的原理; (b) 實(shí)驗(yàn)裝置示意圖

3.顆粒膠帶試驗(yàn)

標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試的結(jié)果得出顆粒污染水平作為總參數(shù)。對(duì)于這種所謂的顆粒帶測(cè)試,使用膠帶將顆粒從表面去除,然后用顯微鏡進(jìn)行分析。較適合這種需求的膠帶是帶有聚丙烯背襯材料的丙烯酸酯粘合劑。

在規(guī)定的溫度下,將膠帶平行于鋸痕粘貼在晶圓表面上,然后快速撕下(圖3(a))。通過(guò)激光共焦顯微鏡檢測(cè)粘附在膠帶上的顆粒。分析顯微鏡圖像即可得出檢測(cè)到的顆粒數(shù)量及其尺寸分布。因此,可以確定剩余顆粒的粒度分布,并顯示顆粒面積相對(duì)于完整研究表面積的百分比(圖3(b))。

wKgZomVCFKGAZGz8AACErAS4Y0M756.png

圖3

(a)膠帶測(cè)試原理; (b) 分析顯微鏡圖像(左),得出晶粒尺寸分布(中)和顆粒面積百分比(右)。

結(jié)論

在這項(xiàng)工作中,引入了兩種新方法,使得檢測(cè)晶圓表面上剩余的顆粒負(fù)載成為可能。新開發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試和顆粒膠帶測(cè)試是互補(bǔ)的方法,可產(chǎn)生有關(guān)清潔晶圓表面上剩余顆粒負(fù)載的所有基本信息。這些是作為總參數(shù)的顆粒負(fù)載和顆粒粒度分布。

在標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試中,旋轉(zhuǎn)拋光輪與固定在輪上的水溶性絨布結(jié)合使用,以規(guī)定的壓力、角速度和拋光時(shí)間從晶片表面去除剩余的顆粒負(fù)載。通過(guò)分析溶解的羊毛的濁度,可以將污染確定為總參數(shù)。

在顆粒膠帶測(cè)試中,使用膠帶將顆粒從晶圓表面去除。隨后可以通過(guò)激光共聚焦顯微鏡分析膠帶上的顆粒。因此,剩余顆粒負(fù)載可以作為總和參數(shù)來(lái)檢測(cè),而且還可以識(shí)別粒度分布。標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試相對(duì)于顆粒膠帶測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)在于,可以去除晶圓幾乎整個(gè)表面區(qū)域上的顆粒。

通過(guò)膠帶測(cè)試,一次只能分析小區(qū)域。然而,通過(guò)膠帶測(cè)試,首次可以獲得有關(guān)晶片表面上剩余顆粒負(fù)載的晶粒尺寸分布的信息。通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化擦拭測(cè)試與定量顆粒膠帶測(cè)試相結(jié)合的兩種方法,現(xiàn)在可以選擇更優(yōu)化的晶圓清潔方法,以獲得用于高效硅太陽(yáng)能電池工藝的更好的原材料。

審核編輯 黃宇

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