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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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當(dāng)碳化硅遇見(jiàn)新能源:瞻芯電子邀您共同探索高效能源轉(zhuǎn)換技術(shù)邊界
該方案采用簡(jiǎn)單高效率的無(wú)橋功率因數(shù)校正電路,適用于鈦金級(jí)AC/DC 交直流變換器設(shè)計(jì)。因采用CCM模擬控制芯片,而實(shí)現(xiàn)快速、精確、可靠的模擬控制,無(wú)需編...
2023-07-10 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 1403 0
基本半導(dǎo)體為客戶開(kāi)發(fā)具有兼容性汽車級(jí)碳化硅功率模塊
為提升新能源汽車整體性能,全球各大車企紛紛將目光鎖定在碳化硅功率半導(dǎo)體。相較傳統(tǒng)硅基模塊,碳化硅功率模塊可大幅提升電機(jī)控制器的功率密度和效率,在降低電池...
2022-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅基本半導(dǎo)體 1398 0
納設(shè)智能與中信證券簽署A股上市輔導(dǎo)協(xié)議,助力高成長(zhǎng)企業(yè)進(jìn)軍資本市場(chǎng)
據(jù)了解,深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司成立于2018年,位于廣東省深圳市光明區(qū)留學(xué)生創(chuàng)業(yè)園區(qū);其以推動(dòng)中國(guó)先進(jìn)材料制造為己任,專注于研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及推...
Mini/Micro LED等高端產(chǎn)品營(yíng)收增長(zhǎng)超 47%,三安新“答卷”
但值得注意的是,在整體市場(chǎng)遇冷的背景下,三安細(xì)分領(lǐng)域 Mini/Micro LED、植物照明、車用照明、 紫外、紅外等 LED 高端產(chǎn)品業(yè)務(wù)規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)...
派恩杰半導(dǎo)體榮獲“年度車規(guī)芯片市場(chǎng)突破獎(jiǎng)”
派恩杰半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域,產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個(gè)方向。始創(chuàng)于2018年,公司擁有國(guó)內(nèi)最為全面的...
半導(dǎo)體硅片行業(yè)報(bào)告,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程加速
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硒化鋅(ZnSe)等,因其禁...
2024-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC氮化鎵 1390 0
美高森美推出碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200V肖特基二極管
美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
山東粵海金與山東有研半導(dǎo)體正式簽署碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議
1月23日,山東有研硅半導(dǎo)體表示已與山東粵海金于1月17日正式簽署了《碳化硅襯底片業(yè)務(wù)合作協(xié)議》,該協(xié)議旨在充分發(fā)揮雙方各自優(yōu)勢(shì),創(chuàng)新業(yè)務(wù)合作模式,共同...
雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開(kāi)始真正獲得關(guān)注。正是在這一點(diǎn)上,它首次用于肖特基二極管...
2023-02-06 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET半導(dǎo)體 1382 0
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓,易于用負(fù)門(mén)極電壓驅(qū)動(dòng)。
2021-06-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電 1382 0
碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢(shì): ...
利用C2000實(shí)時(shí)MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
Other Parts Discussed in Post: TMS320F280025, TMS320F28379D 與碳化硅 (SiC)FET 和...
值得一提的是,在采用的3列3M3T永磁牽引系統(tǒng)中,其中一列車的一輛動(dòng)車將采用碳化硅牽引變流器,設(shè)計(jì)方案主要體現(xiàn)永磁同步牽引系統(tǒng)無(wú)位置矢量控制、母線電壓振...
可能的解決方案是降低電極偏壓并減小氧化物厚度。Cooper解釋道,薄氧化物提高了對(duì)通道的控制——要知道在硅MOSFET中就運(yùn)行在低電壓下。這種解決方案需...
2023-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率半導(dǎo)體碳化硅 1375 0
厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展
為了解決難題,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室采用的是提拉式物理氣相傳輸(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法,成功生長(zhǎng)出直徑為6...
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗(yàn)證線傳來(lái)喜訊——實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶,全面驗(yàn)證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長(zhǎng)晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
天科合達(dá)徐州經(jīng)開(kāi)區(qū)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開(kāi)工
來(lái)源:天科合達(dá) 據(jù)天科合達(dá)官微消息,8月8日,北京天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在徐州市經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)成功舉辦。...
三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng) 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場(chǎng)?
根據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo),三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 (GaN)市場(chǎng),目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。
過(guò)去幾十年里,半導(dǎo)體技術(shù)快速發(fā)展,芯片特性顯著提升。大功率半導(dǎo)體器件是由多顆半導(dǎo)體裸芯片通過(guò)封裝集成而形成,面臨著封裝特性提升較慢,無(wú)法匹配芯片特性等挑戰(zhàn)。
2023-12-20 標(biāo)簽:變換器功率半導(dǎo)體碳化硅 1364 0
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