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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、...
2025-01-24 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 1334 0
碳化硅快速測(cè)試套件Wolfspeed SpeedVal Kit研討會(huì),帶您詳細(xì)了解這個(gè)高效的平臺(tái)
以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前晶體生產(chǎn)技...
派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品
3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)...
英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù),助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能
2016年5月10日,德國(guó)慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技...
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-24...
碳化硅邁入新時(shí)代,ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC的發(fā)展歷史不僅引人入勝,而且情節(jié)緊張激烈,因?yàn)榻葑阆鹊遣拍苋〉孟葯C(jī)。SiC特性在20世紀(jì)初就已經(jīng)確立,第一個(gè)SiC發(fā)光二極管追溯到1907年。
2021-08-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車ST碳化硅 1324 0
小鵬汽車發(fā)布鯤鵬超級(jí)電動(dòng)體系,引領(lǐng)增程技術(shù)新篇章
在11月6日舉行的小鵬AI科技日上,小鵬汽車正式揭曉了其命名為“小鵬鯤鵬超級(jí)電動(dòng)體系”的創(chuàng)新增程系統(tǒng)。該系統(tǒng)構(gòu)建于先進(jìn)的800V高壓碳化硅平臺(tái)之上,集成...
2024-11-07 標(biāo)簽:混合動(dòng)力碳化硅小鵬汽車 1324 0
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證,為汽車電子注入新動(dòng)力
近日,中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...
2024-06-26 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1323 0
Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
小鵬G9智能底盤可OTA持續(xù)進(jìn)化 帶來(lái)更極致的駕駛樂(lè)趣
近日,由中國(guó)汽車技術(shù)研究中心聯(lián)合行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)、985高校舉辦的“2023中國(guó)十佳底盤評(píng)選”(10 BEST Chassis)名單正式公布,評(píng)選規(guī)則考量了...
不久前,SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的,但到了2018年,這些技術(shù)的優(yōu)勢(shì)開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么? SiC 和 ...
系統(tǒng)制造商對(duì)提高其設(shè)計(jì)的電源效率越來(lái)越感興趣。能源效率和降低成本的結(jié)合對(duì)于市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位變得至關(guān)重要。從半導(dǎo)體材料的角度來(lái)看,這一領(lǐng)域已經(jīng)取得了相當(dāng)大的進(jìn)...
2022-07-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 1316 0
5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第5章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用...
2022-01-06 標(biāo)簽:碳化硅 1314 0
Microchip將為Mersen SiC電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)提供碳化硅MOSFET和數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器
Microchip宣布與Mersen合作推出150千伏安(kVA)三相碳化硅電源協(xié)議棧參考設(shè)計(jì)。
實(shí)現(xiàn)牽引逆變器中碳化硅的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程擴(kuò)展
更復(fù)雜的是,更大的電動(dòng)汽車電池尺寸可以延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程并消除消費(fèi)者的續(xù)航焦慮,同時(shí)可能會(huì)提高電動(dòng)汽車的價(jià)格——電池占最終車輛成本的 25% 以上。
2022-08-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器碳化硅 1311 0
超芯星完成數(shù)億元C輪融資,助力碳化硅襯底產(chǎn)能提升
自2019年4月在江蘇南京建立以來(lái),超芯星專注于6至8英寸碳化硅襯底技術(shù)的研發(fā)和商品化。其創(chuàng)始者為劉欣宇博士,他具有豐富的海內(nèi)外產(chǎn)業(yè)化經(jīng)歷以及廣闊的國(guó)際...
基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)
11月4-7日,2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)在廈門成功召開。在同期舉行的第八屆中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀...
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC可用于車載充電器的汽車功率模塊
電動(dòng)汽車的電動(dòng)機(jī)是有源負(fù)載,其轉(zhuǎn)速范圍很寬,且在行駛過(guò)程中需要頻繁地加速和減速,工作條件比一般的調(diào)速系統(tǒng)要復(fù)雜,因此,其驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是決定電動(dòng)汽車性能的關(guān)鍵...
國(guó)科推出第五代Thinned MPS? 碳化硅二極管KS10065(650V/10A)
森國(guó)科KS10065系列產(chǎn)品擁有超低的VF值,可降低正向?qū)〒p耗;少子器件零反向恢復(fù),在反向恢復(fù)過(guò)程中極大的減少了反向恢復(fù)損耗,同時(shí)又減少了EMI干擾,...
近日,第38屆日本國(guó)際電子展NEPCON JAPAN 2024在東京有明國(guó)際展覽中心盛大舉行。作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,三安半導(dǎo)體受邀參加此次盛會(huì),并...
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