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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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重磅!國產(chǎn)SiC襯底激光剝離實(shí)現(xiàn)新突破
最近,泰科天潤董事長陳彤表示,國內(nèi)SiC單項(xiàng)目突破100萬片的關(guān)鍵在于成本,即“碳化硅器件成本僅為硅器件的2倍”。
基于芯片設(shè)計(jì)公司的角度,經(jīng)常在思考的問題是,中美的芯片市場到底有什么區(qū)別,美國的經(jīng)驗(yàn)?zāi)芊裾瞻岬街袊鴣恚斐蛇@些區(qū)別的深層次原因是什么,為此分享一點(diǎn)思考。
2023-07-06 標(biāo)簽:mems芯片設(shè)計(jì)BOM 1435 0
安世半導(dǎo)體SiC MOSFET器件都有哪些獨(dú)特功能呢?
碳化硅(SiC) MOSFET 日益普及的背后有一些關(guān)鍵的驅(qū)動因素,包括充電站、太陽能光伏(PV)、電動汽車(EV)驅(qū)動、不間斷電源(UPS)和電池儲能...
多家產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)聯(lián)合投資,瞻芯電子完成數(shù)億元Pre-B輪融資
上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡稱“瞻芯電子”)宣布完成數(shù)億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本(上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺)...
此外,研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高,多片加工時對外延片的厚度的組合比較苛刻,并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理,則需要較長的時間才能...
6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本...
2021-12-31 標(biāo)簽:碳化硅 1434 0
安世半導(dǎo)體Nexperia將在漢堡投資2億美元研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)
半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,計(jì)劃投資2億美元(約合1.84億歐元)研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮...
碳化硅襯底是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中成本最高、技術(shù)門檻最高的環(huán)節(jié)之一。近期,受到新能源汽車、光伏和儲能等市場的推動,碳化硅廠商紛紛投資建設(shè)8英寸晶圓生產(chǎn)線,。國內(nèi)...
泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達(dá)成了一項(xiàng)全面戰(zhàn)略合作協(xié)議,旨在增強(qiáng)企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力,提升產(chǎn)品競爭力。
安世半導(dǎo)體榮獲雙料大獎,引領(lǐng)氮化鎵技術(shù)前沿
近日,Nexperia(安世半導(dǎo)體)憑借其在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域的杰出表現(xiàn),榮獲兩項(xiàng)權(quán)威大獎:“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功...
2024-01-03 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅安世半導(dǎo)體 1427 0
據(jù)報(bào)道,嘉晶的鎵由韓國企業(yè)供應(yīng),但韓國工廠因此次禁止措施,沒有上調(diào)價格,今后還需要進(jìn)一步觀察。漢磊沒有使用鎵,所以沒有受到任何影響。從生產(chǎn)能力來看,嘉晶...
“把脈”汽車產(chǎn)業(yè) 安森美2024年戰(zhàn)略規(guī)劃與布局
在過去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對潛在...
2024-02-20 標(biāo)簽:電動汽車led照明車載網(wǎng)絡(luò) 1423 0
英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolS...
碳化硅(SiC)技術(shù)在伺服器領(lǐng)域的潛力
正在被廣泛使用的伺服技術(shù)使60年代的自動化工程師羨慕無比。這種體積小、精確且完全電動的技術(shù)反映了我們現(xiàn)在可以使用的半導(dǎo)體控制、傳感器和電力技術(shù)的緊湊性。...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用,在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用,當(dāng)然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差...
第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)基本半導(dǎo)體榮獲銳湃科技2023年度優(yōu)秀合作獎
近日,在銳湃科技舉辦的第一屆供應(yīng)鏈合作伙伴大會上,基本半導(dǎo)體憑借在客戶端的優(yōu)異表現(xiàn),榮獲銳湃科技頒發(fā)的“2023年度優(yōu)秀合作獎”。基本半導(dǎo)體副總經(jīng)理蔡雄...
2024-04-02 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 1414 0
CISSOID強(qiáng)勁可靠的柵極驅(qū)動器為Wolfspeed的快速開關(guān)碳化硅(SiC)功率模塊提供支持
CMT-TIT0697柵極驅(qū)動器板被設(shè)計(jì)為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達(dá)2...
派恩杰半導(dǎo)體650V-1700V碳化硅器件滿足車規(guī)級要求
6月26-27日,由NE時代主辦的2023第三屆全球xEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)暨產(chǎn)業(yè)大會在上海嘉定如期召開。本次大會圍繞“雙循環(huán) · 新格局”的主題,重點(diǎn)聚焦國...
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