東尼電子：極耳項(xiàng)目開始逐步向比亞迪供貨

東尼電子主要經(jīng)營(yíng)包括無線充電隔磁材料、超微細(xì)電子線材的家電產(chǎn)品事業(yè)。其中，無線充電隔磁材料從2019年6月開始批量生產(chǎn)，進(jìn)入國(guó)際大型客戶供應(yīng)體系，近年來...

2023-09-19 標(biāo)簽：消費(fèi)電子無線充電碳化硅 1480 0

意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世

意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿足汽...

2024-10-12 標(biāo)簽：MOSFET意法半導(dǎo)體碳化硅 1478 0

安森美2023年全年?duì)I收82.53億美元，汽車業(yè)務(wù)創(chuàng)收紀(jì)錄

而在全年?duì)I收方面，安森美的數(shù)據(jù)也相當(dāng)亮眼——達(dá)到了82.53億美元，相比去年的83.263億美元略有縮減。其中值得關(guān)注的是，2023年度汽車板塊的收入首...

2024-02-18 標(biāo)簽：安森美智能電源碳化硅 1477 0

安世半導(dǎo)體Nexperia 2024年財(cái)報(bào)：營(yíng)收20.6億美元，市場(chǎng)份額從2023年的8.9%提升至9.7%

安世半導(dǎo)體近日公布了2024財(cái)年財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。在宏觀經(jīng)濟(jì)持續(xù)不確定和市場(chǎng)周期性疲軟的背景下，公司展現(xiàn)出強(qiáng)大的抗風(fēng)險(xiǎn)能力，通過強(qiáng)化執(zhí)行力和堅(jiān)持創(chuàng)新投入，實(shí)現(xiàn)了...

2025-05-16 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅Nexperia 1474 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)迅猛增長(zhǎng)：消費(fèi)電子產(chǎn)品與新興技術(shù)共同驅(qū)動(dòng)

除了智能手機(jī)，通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)、娛樂系統(tǒng)和家用電器等其他消費(fèi)電子產(chǎn)品也對(duì)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。

2024-03-07 標(biāo)簽：智能手機(jī)SiC氮化鎵 1471 0

800V上車能解決“補(bǔ)能”焦慮？

，800V快充的上車能否為眾人“解憂”？從比拼長(zhǎng)續(xù)航，到比拼大電池快充，充電速度比市面主流400V電池快兩倍的800V電池，能否成為下一代的主流電池技術(shù)...

2023-10-25 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車電流碳化硅 1465 0

第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新...

2023-12-26 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng) 1459 0

TI推出多款新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具備出色的監(jiān)控能力和高壓保護(hù)

新型TI柵極驅(qū)動(dòng)器提供先進(jìn)的監(jiān)控和保護(hù)功能，同時(shí)還能提升汽車和工業(yè)應(yīng)用中的總體系統(tǒng)效率。

2019-03-19 標(biāo)簽：德州儀器IGBTSiC 1458 0

何時(shí)應(yīng)對(duì)寬能帶隙材料時(shí)代？

對(duì)于功率電子而言，寬能帶隙材料能夠以相同甚至更低的成本，顯著改善效率、尺寸及重量等指標(biāo)。簡(jiǎn)單地說，寬能帶隙器件具有優(yōu)勝10倍的導(dǎo)通和開關(guān)性能，這種性能提...

2012-11-26 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅寬能帶隙 1458 0

臺(tái)積電集團(tuán)（TSMC）正在推進(jìn)德國(guó)建廠計(jì)劃

美股科技股續(xù)挫，臺(tái)積電美國(guó)存托憑證（ADR）持續(xù)破底，牽動(dòng)臺(tái)積電今天跌破400 元大關(guān)，收在397.5 元，創(chuàng)近兩年三個(gè)月低點(diǎn)，外資連續(xù)兩日賣超臺(tái)積電排...

2022-10-14 標(biāo)簽：臺(tái)積電碳化硅 1456 0

Littelfuse推出兩款碳化硅肖特基二極管，提供最新的封裝尺寸

Littelfuse， Inc.今日宣布推出兩款二極管，進(jìn)一步擴(kuò)大了其二代650V、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅肖特基二極管系列。 相比傳統(tǒng)的硅基器...

2019-03-27 標(biāo)簽：肖特基二極管Littelfuse碳化硅 1453 0

安森美半導(dǎo)體發(fā)布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設(shè)計(jì)，結(jié)合先進(jìn)的薄晶圓技術(shù)，可在650 V擊穿電壓實(shí)現(xiàn)同類最佳的品質(zhì)因數(shù)Rsp （Rdson * area）。

2021-02-19 標(biāo)簽：MOSFET電磁干擾安森美半導(dǎo)體 1446 0