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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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瞻芯電子完成數(shù)億元B輪融資為國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件加碼
近日,上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“ 瞻芯電子 ”)完成數(shù)億元B輪融資,本輪融資由國方創(chuàng)新領(lǐng)投,國中資本、臨港新片區(qū)基金、金石投資、鐘鼎資本、長石資本...
寬禁帶半導(dǎo)體材料將成為電子信息產(chǎn)業(yè)的主宰
碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制...
CISSOID推出JUPITER高電壓225℃碳化硅電源開關(guān)
高溫半導(dǎo)體供貨商 CISSOID 稍早前推出一款高電壓225℃碳化硅電源開關(guān) JUPITER ,據(jù)稱是首款以簡單0/5V邏輯電平無縫閘極控制的高溫碳化硅...
2011-04-14 標(biāo)簽:電源開關(guān)CISSOIDJUPITER 1555 0
國內(nèi)打造SiC大煉鋼廠,2024挑戰(zhàn)全球總供給量一半市占?
國內(nèi)2023年第三代半導(dǎo)體迎來歷史性大突破,碳化硅(SiC)長晶、芯片材料自制領(lǐng)域,受到國際IDM大廠的肯定,這促使國內(nèi)廠大幅加碼擴(kuò)產(chǎn)。
東芝社長兼CEO Taro Shimada主持了11月22日的的臨時(shí)股東大會,他表示:“在穩(wěn)定的股東結(jié)構(gòu)下,我們將以技術(shù)為重點(diǎn)對公司進(jìn)行改革?!?/p>
2023-11-24 標(biāo)簽:電動汽車東芝功率半導(dǎo)體 1554 0
碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)...
宇泉保定半導(dǎo)體揭牌,年產(chǎn)165萬碳化硅功率模塊
據(jù)《保定晚報(bào)》報(bào)道,宇泉半導(dǎo)體(保定)有限公司是由保定高新區(qū)攜手北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司共同組建而成。該項(xiàng)目自去年11月份起展開籌備工作,旨在吸引世紀(jì)...
瞻芯電子榮獲“汽車芯片50強(qiáng)”獎 展現(xiàn)技術(shù)水平
2023年11月28日,瞻芯電子在北京舉辦的“芯向亦莊”汽車芯片大賽中脫穎而出,憑借其車規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品的卓越性能和創(chuàng)新特點(diǎn),榮獲“...
天津工業(yè)大學(xué)李龍女:基于***的平面型封裝1700V碳化硅模塊開發(fā)與性能表征
SiC/GaN器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)、高耐壓、低開關(guān)損耗和高工作溫度當(dāng)前亟需針對SiC器件/模塊的先進(jìn)封裝,需要創(chuàng)新低寄生/雜散阻抗、高散熱效率的...
納米銀燒結(jié)技術(shù):SiC半橋模塊的性能飛躍
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性能在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。尤其在雷達(dá)...
2024-12-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料SiC碳化硅 1544 0
近日,廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司(AccoPower)向博世汽車電子事業(yè)部半導(dǎo)體業(yè)務(wù)單元發(fā)送了碳化硅芯片的項(xiàng)目定點(diǎn)函和相關(guān)產(chǎn)品訂單。此次定點(diǎn),開啟了博世和...
瞻芯電子正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證
10月17日,瞻芯電子通過了第三方認(rèn)證機(jī)構(gòu)TUV的嚴(yán)格評審,正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證,表明瞻芯電子碳化硅(SiC)晶圓廠的制造質(zhì)量...
邑文科技完成逾5億元D輪融資,涉足國外頭部零部件供應(yīng)商領(lǐng)域
目前,邑文科技已經(jīng)成功打破海外技術(shù)壟斷,具備主流產(chǎn)品迭代能力以及兼容國內(nèi)外優(yōu)秀供應(yīng)商的生產(chǎn)能力。公司的產(chǎn)品性能與國際領(lǐng)先企業(yè)相媲美,多家國內(nèi)知名碳化硅企...
2024-02-01 標(biāo)簽:制造業(yè)碳化硅半導(dǎo)體芯片 1543 0
電動汽車發(fā)展正步入高速增長階段。2023年開年,行業(yè)研究機(jī)構(gòu)伊維經(jīng)濟(jì)研究院發(fā)布數(shù)據(jù)稱,2022年,全球新能源汽車銷量達(dá)到1082.4萬輛,同比增長61....
寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期
在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的...
2024-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體封裝碳化硅 1538 0
華為新一代碳化硅電機(jī)發(fā)布:22000轉(zhuǎn)/分、零百加速3.3秒
電機(jī)將首發(fā)搭載于智界S7,四驅(qū)版配有前150千瓦交流異步電驅(qū)系統(tǒng),后215千瓦永磁同步電驅(qū)。得益于此,四驅(qū)版智界S7零百加速快至3.3秒,而且在強(qiáng)大的剎...
2023-11-14 標(biāo)簽:華為碳化硅電驅(qū)系統(tǒng) 1536 0
又一大廠入局!預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)SiC功率器件
據(jù)悉,瑞薩電子將用于處理系統(tǒng)的尖端邏輯半導(dǎo)體的生產(chǎn)外包給代工廠,這些系統(tǒng)的開發(fā)和投資成本很高。功率半導(dǎo)體則在內(nèi)部生產(chǎn),2014年關(guān)閉的甲府工廠也將于20...
2023-05-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1535 0
中國電氣裝備集團(tuán)研究院田鴻昌:碳化硅功率半導(dǎo)體器件與新型電力系統(tǒng)應(yīng)用
功率半導(dǎo)體器件的高效率和能量轉(zhuǎn)換能力對節(jié)能和環(huán)保具有重要意義。論壇期間,中國電氣裝備集團(tuán)研究院電力電子器件專項(xiàng)負(fù)責(zé)人田鴻昌做了題為“碳化硅功率器件與新能...
2023-08-08 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)功率半導(dǎo)體碳化硅 1534 0
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