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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)
英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...
2024-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌MOSFET 1631 0
羅姆下的SiCrystal公司與長(zhǎng)期客戶(hù)ST簽訂碳化硅晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議
意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅(SiC)晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。
2020-01-17 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體碳化硅 1628 0
氮化鎵組件2015年~2021年的市場(chǎng)增長(zhǎng)率將達(dá)83%
由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用,其應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模要大于中高功率,因此Yole預(yù)估,氮化鎵組件2015年~2021年的成長(zhǎng)率將達(dá)83%,其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...
2016-11-28 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)SiC氮化鎵 1626 0
Wolfspeed與欣銳科技合作推進(jìn)碳化硅在新能源汽車(chē)及充電樁領(lǐng)域應(yīng)用
SHINRY是全球最早實(shí)現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一,開(kāi)發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過(guò)百萬(wàn)件,使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車(chē)DCF(DC/...
2023-06-27 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)充電樁碳化硅 1624 0
然而,自然界中的硅原子并不喜歡sp2雜化方式的平面二維結(jié)構(gòu),碳硅化合物晶體多數(shù)不存在像石墨一樣的層狀體材料。因此,常規(guī)的機(jī)械剝離方法并不適用于制備二維碳...
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體公司瞻芯電子完成股份改制
2024年3月5日,上海瞻芯電子科技有限公司為了適應(yīng)公司戰(zhàn)略及經(jīng)營(yíng)發(fā)展需要,已經(jīng)順利完成股份改制,并獲得上海市市場(chǎng)監(jiān)督管理局核準(zhǔn),公司名稱(chēng)正式變更為:上...
2024-03-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1622 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件領(lǐng)先品牌派恩杰半導(dǎo)體PCIM Asia 2023亮點(diǎn)回顧
8月29日-31日,上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia)在上海新國(guó)際博覽中心W2館圓滿(mǎn)舉行。作為領(lǐng)先亞洲的電力電子展會(huì),本屆...
安世半導(dǎo)體宣布推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC)MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司現(xiàn)推出業(yè)界領(lǐng)先的 1200 V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面貼裝器件(SMD)封...
今日看點(diǎn)丨消息稱(chēng)華為 P70 標(biāo)準(zhǔn)版手機(jī)測(cè)試麒麟 9000S 處理器;日本DISCO研發(fā)新型晶圓切割機(jī),碳化硅切割速度
1. 印度數(shù)據(jù)中心公司Yotta 訂購(gòu)10 億美元的英偉達(dá)AI 芯片 ? 印度數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商Yotta計(jì)劃從其合作伙伴英偉達(dá)(Nvidia)購(gòu)買(mǎi)更多價(jià)值...
瞻芯電子榮膺“2022年度硬核中國(guó)芯評(píng)選:年度最佳功率器件”獎(jiǎng)
上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海臨港,致力于開(kāi)發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化...
6.2.1 反應(yīng)性離子刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
6.2.1反應(yīng)性離子刻蝕6.2刻蝕第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:6.1.6離子注入及后續(xù)退火過(guò)程中的缺陷...
2021-12-31 標(biāo)簽:碳化硅 1603 0
基本半導(dǎo)體參加2017中國(guó)半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇
近日,第十一屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)暨2017中國(guó)半導(dǎo)體器件創(chuàng)新產(chǎn)品與應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在西安順利舉行,深圳基本半導(dǎo)體有限公司作為支持單位參與了...
碳化硅外延設(shè)備企業(yè)納設(shè)智能開(kāi)啟上市輔導(dǎo)
證監(jiān)會(huì)近日公告顯示,深圳市納設(shè)智能裝備股份有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“納設(shè)智能”)已正式開(kāi)啟首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案程序。該公司專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體碳化硅(S...
平煤神馬集團(tuán)與乾晶半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作,推進(jìn)半導(dǎo)體碳化硅材料研發(fā)
中宜創(chuàng)芯,即河南中宜創(chuàng)芯發(fā)展有限公司,成立于2023年,注冊(cè)資本金為3億。它由中國(guó)平煤神馬控股集團(tuán)和平頂山發(fā)展投資控股集團(tuán)聯(lián)合出資組建,主營(yíng)高品質(zhì)碳化硅...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)SiC碳化硅 1595 0
美高森美和Analog Devices公司在可擴(kuò)展碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)器解決方案領(lǐng)域展開(kāi)合作 以加快客戶(hù)設(shè)計(jì)和上市速度
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導(dǎo)體技術(shù)方案的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)...
英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平
隨著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
碳化硅外延片全球首個(gè)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,瀚天天成主導(dǎo)
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(semi)正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)semi國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》 (specifica...
瑞薩與Wolfspeed簽下十年大單,8英寸碳化硅成必爭(zhēng)之地
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為第三代半導(dǎo)體材料核心,碳化硅(SiC)與其它半導(dǎo)體產(chǎn)品去庫(kù)存的市場(chǎng)節(jié)奏截然不同。市場(chǎng)中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺,并且隨...
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