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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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在新能源汽車(chē)的多個(gè)性能指標(biāo)中,電力電子系統(tǒng)尤為關(guān)鍵,它決定了電能的有效管理和利用。而在電力電子系統(tǒng)的核心部件中,碳化硅(SiC)功率模塊以其出色的熱穩(wěn)定...
2024-03-08 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)電能碳化硅 1666 0
QORVO推出MMIC功率放大器為應(yīng)用提供業(yè)界最高功率的解決方案
Qorvo今日宣布,推出 MMIC 功率放大器,該放大器在 32-38GHz 頻段提供超過(guò) 10 瓦飽和功率。
芯三代半導(dǎo)體、先導(dǎo)電子先后啟動(dòng)A股IPO輔導(dǎo)
2月18日,證監(jiān)會(huì)披露了首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市公司輔導(dǎo)備案的公示。新輔導(dǎo)公司:芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司、先導(dǎo)電子科技股份有限公司在列。
Microchip重金擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的助力與底氣
Microchip指出,科羅拉多斯普林斯區(qū)目前擁有超過(guò)850名員工,主要生產(chǎn)6英寸芯片芯片,因此Microchip規(guī)劃構(gòu)建8英寸芯片制造設(shè)施,可大幅增加...
新能源車(chē)企在不斷發(fā)展,期間需要確保供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性,所以與之相關(guān)的SiC供應(yīng)商也需要具有穩(wěn)定的供應(yīng)關(guān)系。然而新能源汽車(chē)發(fā)展總趨勢(shì)是在增長(zhǎng),但是市場(chǎng)增速卻是...
2023-05-11 標(biāo)簽:SiC碳化硅電驅(qū)動(dòng) 1660 0
碳化硅功率器件助力實(shí)現(xiàn)更好的儲(chǔ)能
Wolfspeed的SiC功率器件目前廣泛用于電源、電池充電和牽引驅(qū)動(dòng)的電池電動(dòng)汽車(chē) (BEV)功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器等可再生能源...
華為公開(kāi)兩項(xiàng)濾波器專(zhuān)利:其一提高功率,其二縮減尺寸
根據(jù)專(zhuān)利摘要,“濾波器及其制作方法、電子裝備”將用于提高濾波器的輸出,解決目前手機(jī)等終端機(jī)使用的濾波器因輸出功率低而不能在基站使用的問(wèn)題。濾波器(fil...
清純半導(dǎo)體與悉智科技簽訂車(chē)載SiC芯片定制開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,清純半導(dǎo)體在其寧波總部與蘇州悉智科技有限公司正式簽署了一項(xiàng)具有里程碑意義的戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在車(chē)載電驅(qū)功率模塊和供電電源模塊用SiC(碳化硅)芯...
韓國(guó)晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金,繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷(xiāo)售與運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金,鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭(zhēng)奪日...
基本半導(dǎo)體研發(fā)汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車(chē)等大型車(chē)輛客戶(hù)對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品。
國(guó)產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)再傳捷報(bào):芯塔電子與臻芯龍為引領(lǐng)技術(shù)突破與市場(chǎng)應(yīng)用新篇章
在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體的代表材料,正逐步成為新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能及工業(yè)電源等領(lǐng)域的核心驅(qū)動(dòng)力。近期,國(guó)內(nèi)兩家...
應(yīng)用碳化硅襯底材料的三代半導(dǎo)體的性能對(duì)比
用碳化硅作襯底的功率器件與硅基功率器件相比較,其電氣性能更優(yōu)越,主要有以下幾個(gè)方面:
新一代功率半導(dǎo)體:多個(gè)領(lǐng)域節(jié)能關(guān)鍵
最近幾年,在半導(dǎo)體之中,原本在人們眼中“不出彩”的功率半導(dǎo)體成為了關(guān)注的焦點(diǎn)...
2014-02-04 標(biāo)簽:晶體管功率半導(dǎo)體碳化硅 1648 0
俄羅斯和印度再增2個(gè)SiC項(xiàng)目 合計(jì)超過(guò)6.3億元
最近,俄羅斯和印度新增了2個(gè)碳化硅項(xiàng)目,其中俄羅斯的碳化硅模塊項(xiàng)目是由“中國(guó)最大的制造商之一”投資建設(shè)的
青銅劍技術(shù)碳化硅MOSFET模塊驅(qū)動(dòng)器2CP0335V33-LV100概述
碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性,發(fā)展勢(shì)頭迅猛?;谔蓟杼匦裕蓟栩?qū)動(dòng)器相較于硅器件驅(qū)動(dòng)器有其特殊要求,面臨不同的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。青銅劍技術(shù)...
2022-12-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1646 0
在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長(zhǎng),特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 ...
2025-01-24 標(biāo)簽:碳化硅熱導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 1644 0
第三代半導(dǎo)體碳化硅器件在應(yīng)用領(lǐng)域的深度分析
SiC(碳化硅)器件作為第三代半導(dǎo)體,具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場(chǎng)高等特性,碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域和...
科銳推出封裝型1700V碳化硅肖特基二極管C3Dxx170H
碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下,該系列二極...
安森美(onsemi)宣布,其位于韓國(guó)富川的先進(jìn)碳化硅 (SiC) 超大型制造工廠的擴(kuò)建工程已經(jīng)完工。全負(fù)荷生產(chǎn)時(shí),該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片 2...
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