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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)預(yù)測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億...
2023-12-06 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1725 0
2家臺灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
近期,2家臺灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 標(biāo)簽:電動汽車場效應(yīng)晶體管功率模塊 1723 0
天岳先進(jìn)、天科合達(dá)正加快8英寸SiC產(chǎn)能建設(shè),滿足客戶需求
8月,天科合達(dá)開工建設(shè)位于徐州的碳化硅二期擴(kuò)大生產(chǎn)工程,總投資8.3億元。該項目投入生產(chǎn)后,每年有16萬個碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力。該公司已經(jīng)6英寸和8英寸...
由助理教授Richard Norte領(lǐng)導(dǎo)的代爾夫特理工大學(xué)的研究人員公布了一種引人注目的新材料,具有影響材料科學(xué)世界的潛力:非晶碳化硅(a-SiC)。除...
8英寸SiC襯底陣容加速發(fā)展 全球8英寸SiC晶圓廠將達(dá)11座
近年來,隨著碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,降低SiC成本的呼聲日益強(qiáng)烈,最終產(chǎn)品價格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本在整個成本結(jié)構(gòu)中占...
聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)
2024年3月,聯(lián)合電子400V SiC(碳化硅)電橋在太倉工廠迎來首次批產(chǎn)。本次量產(chǎn)標(biāo)志著聯(lián)合電子在400V電壓平臺上實現(xiàn)了Si和SiC技術(shù)的全面覆蓋...
不論何時,封裝技術(shù)的發(fā)展需要同時兼顧充分發(fā)揮碳化硅芯片性能和實際應(yīng)用易用性與可靠性要求,以多樣化產(chǎn)品滿足了市場的廣泛需求,同時也不能忽略了標(biāo)準(zhǔn)化需求。
集成電路制造裝備用精密陶瓷結(jié)構(gòu)件的特點(diǎn)及產(chǎn)業(yè)格局
集成電路產(chǎn)業(yè)(即IC產(chǎn)業(yè))是關(guān)乎國家經(jīng)濟(jì)、政治和國防安全的戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),在IC產(chǎn)業(yè)中,集成電路制造裝備具有極其重要的戰(zhàn)略地位。
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件元胞的基本結(jié)構(gòu)如圖 1 所示。N+ 區(qū)域定義為源區(qū),相應(yīng)的電極稱為發(fā)射極(Emitter)。背面 P+ 區(qū)域定義...
Cree, Inc.正式更名為Wolfspeed, Inc.,標(biāo)志著向強(qiáng)大的全球性半導(dǎo)體企業(yè)成功轉(zhuǎn)型
今天是 Wolfspeed 的一個重要轉(zhuǎn)型里程碑,正式標(biāo)志著我們現(xiàn)在已經(jīng)成為一家純粹且強(qiáng)大的全球性半導(dǎo)體企業(yè)。
廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只
新的一年,許多碳化硅企業(yè)紛紛開工,龍騰虎躍開新篇!廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開足馬力忙生產(chǎn),全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只。
車規(guī)級!碳化硅(SiC)MOSFET,正式開啟量產(chǎn)交付
據(jù)介紹,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC M...
在汽車產(chǎn)業(yè)持續(xù)變革的浪潮中,比亞迪再次展現(xiàn)出其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,比亞迪品牌及公關(guān)處總經(jīng)理李云飛在中國汽車重慶論壇上宣布,公司新建的碳化硅工廠將成為...
東芝推出用于工業(yè)設(shè)備的第3代碳化硅MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET---“...
如何利用碳化硅(SiC)器件打造下一代固態(tài)斷路器?
碳化硅(SiC)器件在電動汽車(EV)和太陽能光伏(PV)應(yīng)用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過,SiC的材料優(yōu)勢還可能用在其他應(yīng)用中,其中包括電...
2023-09-26 標(biāo)簽:斷路器安森美半導(dǎo)體SiC 1692 0
CoolSiC? IPM IM828應(yīng)用指導(dǎo)和應(yīng)用案例
英飛凌推出了采用轉(zhuǎn)模封裝的1200V碳化硅(SiC)集成功率模塊(IPM),CIPOS? Maxi IPM IM828-XCC,這是業(yè)界在這一電壓級別上...
總體來看,當(dāng)下的晶圓代工業(yè),有兩類代工廠,一類專注于數(shù)字技術(shù),以滿足行業(yè)對存儲、CPU和邏輯芯片的代工需求,這類多采用先進(jìn)制程工藝,目標(biāo)是實現(xiàn)更小的節(jié)點(diǎn)...
日前,碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者半導(dǎo)體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應(yīng)加熱效率達(dá)到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?...
2015-09-06 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅CAS300M12BM2 1675 0
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