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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50477次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      安森美碳化硅芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)展及技術(shù)分析

      減小了電場(chǎng)集中效應(yīng)，提高了SiC器件的擊穿電壓，SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個(gè)開關(guān)單元有關(guān)，同時(shí)和耐壓環(huán)也有很大的關(guān)系。

      2023-04-07 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1502 0

      意法半導(dǎo)體推出雙列直插式封裝ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊

      意法半導(dǎo)體推出面向汽車應(yīng)用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC...

      2023-10-26 標(biāo)簽：封裝意法半導(dǎo)體功率模塊 1494 0

      訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

      訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

      訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

      2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1490 0

      半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

      半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

      第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求，以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...

      2024-01-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 1487 0

      用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

      電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級(jí)電容器。這些...

      2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1483 0

      碳化硅陶瓷基板用于高溫汽車應(yīng)用的低電感功率模塊

      碳化硅陶瓷基板用于高溫汽車應(yīng)用的低電感功率模塊

      如今碳化硅陶瓷基板，在功率模塊下高溫汽車逆變器應(yīng)用中提供出色的熱性能和高可靠性。與傳統(tǒng)的引線鍵合功率模塊相比，卓越的開關(guān)性能降低了開關(guān)的損耗性，因此可以...

      2022-09-16 標(biāo)簽：碳化硅陶瓷基板 1483 0

      碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

      碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材...

      2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 1481 0

      碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！

      碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！

      碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研...

      2025-02-06 標(biāo)簽：MOSFETSiC半導(dǎo)體器件 1475 0

      基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

      基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

      摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中起著至關(guān)重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

      2024-10-16 標(biāo)簽：封裝SiC功率模塊 1474 0

      淺談電動(dòng)汽車中的碳化硅應(yīng)用

      隨著技術(shù)的發(fā)展，電動(dòng)汽車對(duì)電力電子功率驅(qū)動(dòng)等系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等，但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性...

      2023-02-12 標(biāo)簽：變換器驅(qū)動(dòng)碳化硅 1474 0

      GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

      GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

      　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

      2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器SiC氮化鎵 1469 0

      碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

      碳化硅功率器件的工作原理和性能優(yōu)勢(shì)

      隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及，電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會(huì)中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...

      2024-02-25 標(biāo)簽：晶體管功率器件碳化硅 1468 0

      用于高功率密度應(yīng)用的碳化硅功率器件

      交通應(yīng)用中電氣化的趨勢(shì)導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。

      2023-03-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1462 0

      800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

      厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制

      2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET功率模塊碳化硅 1461 0

      淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來發(fā)展前景

      淺析碳化硅功率器件：原理、應(yīng)用與未來發(fā)展前景

      隨著能源效率和環(huán)保要求的日益提高，電力電子系統(tǒng)正在向著更高效、更緊湊的方向發(fā)展。

      2024-02-28 標(biāo)簽：晶體管硅二極管功率器件 1459 0

      使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

      使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機(jī)設(shè)計(jì)

      電動(dòng)汽車（EV）車載充電機(jī)（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動(dòng)機(jī)車等應(yīng)用中的不到2kW，到高端電動(dòng)汽車中的22kW不等。傳統(tǒng)上，...

      2023-08-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車SiC碳化硅 1459 0

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      碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢(shì)碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高的擊穿...

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      ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...

      2024-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1451 0

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      2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1438 0

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        PFM
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        壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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