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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的碳化硅襯底切割厚度均勻性提升技術(shù)
碳化硅襯底切割過程中,厚度不均勻問題嚴(yán)重影響其后續(xù)應(yīng)用性能。傳統(tǒng)固定進(jìn)給量切割方式難以適應(yīng)材料特性與切割工況變化,基于進(jìn)給量梯度調(diào)節(jié)的方法為提升切割厚度...
羅姆新SPICE模型助力優(yōu)化功率半導(dǎo)體性能
在SiC(碳化硅)等功率半導(dǎo)體的電氣仿真中,以往的行為模型存在收斂性差、仿真速度慢的問題。但是,這次開發(fā)并發(fā)布了提高仿真速度的新模型。
2025-06-23 標(biāo)簽:SPICE功率半導(dǎo)體碳化硅 198 0
碳化硅襯底切割自動對刀系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 碳化硅(SiC)襯底憑借優(yōu)異性能在半導(dǎo)體領(lǐng)域地位關(guān)鍵,其切割加工精度和效率影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展。自動對刀系統(tǒng)決定切割起始位置準(zhǔn)確性,進(jìn)給參數(shù)控制切割過...
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓切割是關(guān)鍵環(huán)節(jié),其質(zhì)量直接影響芯片性能與成品率。晶圓切割過程中,熱場、力場、流場等多物理場相互耦合,引發(fā)切割振動,嚴(yán)重...
淺切多道切割工藝對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割工藝在加工過程中,易因單次切割...
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過程產(chǎn)生的應(yīng)力會導(dǎo)致晶圓變形,進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性...
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體生長、晶錠加工、切割、研磨、拋光、清洗等制造...
2025-07-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料碳化硅 97 0
晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對 TTV 的影響
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多道工藝通過分層切削降低單次切削力...
切割深度動態(tài)補償技術(shù)對晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在晶圓制造過程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過程中,受切削力、振動、刀具磨損等因素...
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