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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 765 0
碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-05-24 標(biāo)簽:新能源汽車逆變器DC-DC轉(zhuǎn)換器 761 0
碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...
探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景
碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場強度。
碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點,可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...
2023-02-03 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 743 0
硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限,已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...
天津大學(xué)團(tuán)隊開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元
石墨烯作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料,具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性,是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。
使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)
本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...
毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。
2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 710 0
了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵,這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運行,并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部...
碳化硅(SiC)功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件,SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能,廣泛應(yīng)用于電力...
基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)
太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...
貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說,貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...
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