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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

文章:2533 瀏覽:50468 帖子:38

碳化硅技術(shù)

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎?

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MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 765 0

模塊封裝的關(guān)鍵工藝

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區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關(guān)鍵工藝技術(shù),如銀燒結(jié)、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標(biāo)簽:封裝分立器件碳化硅 762 0

碳化硅功率器件在新能源汽車中的優(yōu)勢

碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2023-05-24 標(biāo)簽:新能源汽車逆變器DC-DC轉(zhuǎn)換器 761 0

碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

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自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...

2025-01-08 標(biāo)簽:IGBT碳化硅汽車 761 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)知識

功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...

2025-02-03 標(biāo)簽:IGBT功率器件碳化硅 756 0

探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應(yīng)用場景

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碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場強度。

2024-03-14 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 756 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢、應(yīng)用

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性,包括更高的臨界擊穿場強、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽:變壓器電感器功率器件 743 0

碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點,可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通...

2023-02-03 標(biāo)簽:逆變器半導(dǎo)體材料碳化硅 743 0

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅晶圓劃片技術(shù)

碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的核心材料,SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優(yōu)勢,是目前硅和砷化鎵等半導(dǎo)體材料所無...

2023-06-25 標(biāo)簽:激光器發(fā)光二極管SiC 734 0

當(dāng)前碳化硅功率器件回顧!

硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限,已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟,為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而,它們距離充分發(fā)揮...

2022-11-28 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 728 0

天津大學(xué)團(tuán)隊開創(chuàng)石墨烯半導(dǎo)體新紀(jì)元

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石墨烯作為首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的二維材料,具有寬帶光響應(yīng)、高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性,是制備體積更小、更節(jié)能且傳輸速度更快的電子元件的理想材料。

2024-01-08 標(biāo)簽:電子元件石墨烯碳化硅 727 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

使用SiC技術(shù)應(yīng)對能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比,SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前,先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 725 0

淺析電動汽車傳動優(yōu)化流程

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盡管目前純電動汽車 (BEVs) 在整個市場中所占的份額相對較小[1],但預(yù)計在未來 5 至 10 年內(nèi),純電動汽車 (BEVs) 將開始取代傳統(tǒng)動力系...

2023-07-12 標(biāo)簽:電動汽車變頻器變速器 717 0

直流快速電動汽車充電器的設(shè)計技巧與解決方案

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便捷高效的充電對于所有電池供電的電動汽車(BEV)的成功至關(guān)重要,可用充電的地方越多,充電速度越快,消費者就越有可能購買純電動汽車而不是化石燃料汽車。本...

2024-08-16 標(biāo)簽:電動汽車充電器碳化硅 714 0

R24C2T25可簡化SiC的選擇和評估過程

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毫無疑問,寬帶隙 (WBG) 技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用。碳化硅(SiC) 和氮化鎵 (GaN) 晶體管正迅速成為工業(yè)、消費類及其他電源應(yīng)用領(lǐng)域的首選器件。

2024-05-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管GaN 710 0

碳化硅MOSFET的柵極應(yīng)力測試

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了解半導(dǎo)體器件的失效模式是制定篩選、鑒定和可靠性測試的關(guān)鍵,這些測試可以確保器件在數(shù)據(jù)表規(guī)定的限制范圍內(nèi)運行,并滿足汽車和其他電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中對每十億個部...

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碳化硅功率器件的優(yōu)越性能

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碳化硅(SiC)功率器件是近年來半導(dǎo)體行業(yè)中的重要發(fā)展方向。相比傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件,SiC功率器件具有更高的耐高溫、高壓和高頻性能,廣泛應(yīng)用于電力...

2024-09-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 705 0

基于碳化硅的可再生能源系統(tǒng)設(shè)計挑戰(zhàn)

太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使能源網(wǎng)現(xiàn)代化,以提高彈性,滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效,...

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貼片壓敏電阻的關(guān)鍵特性

貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規(guī)格及生產(chǎn)工藝而有所差異。一般來說,貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...

2024-09-20 標(biāo)簽:電流貼片壓敏電阻電壓 697 0

碳化硅功率器件的技術(shù)優(yōu)勢

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經(jīng)逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應(yīng)用需求。在這一背景下,碳化硅(S...

2024-09-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 697 0

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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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