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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
2025-06-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 536 0
SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 535 0
基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...
2023-05-18 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 528 0
在過去幾年中,半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān),并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅(SiC)的器件有望顯著降低開關(guān)損耗,并允許比目前使用純硅(Si)器件更高的...
Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應(yīng)用的需要
碳化硅(SiC)技術(shù)帶來了無限的新機(jī)會(huì)。只要存在對(duì)高可靠性功率系統(tǒng)的需求,碳化硅 MOSFET 就能在許多行業(yè)中的許多不同應(yīng)用(包括必須在惡劣環(huán)境中工作...
SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流...
SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正...
2025-02-25 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 500 0
碳化硅MOSFET在家庭儲(chǔ)能(雙向逆變,中大充)的應(yīng)用優(yōu)勢
傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對(duì)比,并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M0...
用于高效、緊湊、可靠系統(tǒng)的轉(zhuǎn)向SiC MOSFET
車輪之于駕駛員,Sic MOSFET 之于工程師和設(shè)計(jì)師。當(dāng)駕駛員掌握了車輛的車輪時(shí),移動(dòng)和導(dǎo)航地形變得容易。這適用于晶體管的處理,晶體管是工程師和設(shè)計(jì)...
SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 493 0
SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 493 0
太陽能光伏系統(tǒng):為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低系統(tǒng)成本,太陽能光伏系統(tǒng)的輸入電壓也在增加,從600V增加到1,500V。
2023-09-19 標(biāo)簽:MOSFET光伏系統(tǒng)半導(dǎo)體器件 493 0
8英寸SiC晶體生長的難點(diǎn)在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。
2023-07-05 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 485 0
基于機(jī)器視覺的碳化硅襯底切割自動(dòng)對(duì)刀系統(tǒng)設(shè)計(jì)與厚度均勻性控制
一、引言 碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其卓越的物理化學(xué)性能,在新能源汽車、軌道交通、5G 通信等關(guān)鍵領(lǐng)域展現(xiàn)出不可替代的作用。然而,...
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 482 0
SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開關(guān)、零反...
2025-02-27 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 480 0
SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具...
2025-02-26 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 478 0
SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),采用 TO - 252 - 2封裝。具備超快速開關(guān)、零反...
SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開關(guān)、零反向...
2025-02-28 標(biāo)簽:肖特基二極管SiC數(shù)據(jù)手冊 471 0
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