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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ)，通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 395 0

2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來(lái)越普遍。通過(guò)將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 390 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊(cè) 390 0

碳化硅肖特基二極管B1D06065KS在PFC電路中的應(yīng)用有哪些？

年來(lái)碳化硅材料應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)有了長(zhǎng)足的發(fā)展，碳化硅材料比通用硅有更突出的優(yōu)點(diǎn)

2023-05-05 標(biāo)簽：MOSFET PFC 肖特基二極管 375 0

分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率，省電池，省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率，在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量，增加續(xù)航里程 -同樣的...

2023-02-20 標(biāo)簽：控制器 SiC 碳化硅 375 0

基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案

亞非拉市場(chǎng)工商業(yè)儲(chǔ)能破局之道：基于SiC碳化硅功率模塊的高效、高可靠PCS解決方案 —— 為高溫、電網(wǎng)不穩(wěn)環(huán)境量身定制的技術(shù)革新傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)...

2025-06-08 標(biāo)簽：SiC PCS 碳化硅 371 0

自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)對(duì)碳化硅襯底切割起始位置精度的提升及厚度均勻性優(yōu)化

摘要：碳化硅襯底切割對(duì)起始位置精度與厚度均勻性要求極高，自動(dòng)對(duì)刀技術(shù)作為關(guān)鍵技術(shù)手段，能夠有效提升切割起始位置精度，進(jìn)而優(yōu)化厚度均勻性。本文深入探討自動(dòng)...

2025-06-26 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV厚度 370 0

如何采用碳化硅設(shè)計(jì)高效可再生能源系統(tǒng)呢？

太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在促使能源網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代化，以提高其韌性，滿足全球能源需求并減少總體碳排放量。

2023-09-11 標(biāo)簽：二極管 MOSFET PCB布局 365 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動(dòng)工業(yè)、航空航天和國(guó)防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢(shì)的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動(dòng)各種車...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 飛機(jī)碳化硅 351 0

碳化硅襯底厚度測(cè)量探頭溫漂與材料各向異性的耦合影響研究

在碳化硅襯底厚度測(cè)量中，探頭溫漂與材料各向異性均會(huì)影響測(cè)量精度，且二者相互作用形成耦合效應(yīng)。深入研究這種耦合影響，有助于揭示測(cè)量誤差根源，為優(yōu)化測(cè)量探頭...

2025-06-11 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅晶圓厚度 349 0

中國(guó)SiC碳化硅器件行業(yè)技術(shù)情況研究報(bào)告

公司在IGBT的技術(shù)基礎(chǔ)上不斷發(fā)展以SiC和主的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件關(guān)鍵技術(shù)。斯達(dá)作為國(guó)內(nèi)車規(guī)級(jí)SiC模塊的重要供應(yīng)商，車規(guī)級(jí)SiC模塊已獲得了國(guó)內(nèi)外多...

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 335 0

碳化硅襯底切割進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)的協(xié)同調(diào)控模型

摘要：碳化硅襯底切割過(guò)程中，進(jìn)給量與磨粒磨損狀態(tài)緊密關(guān)聯(lián)，二者協(xié)同調(diào)控對(duì)提升切割質(zhì)量與效率至關(guān)重要。本文深入剖析兩者相互作用機(jī)制，探討協(xié)同調(diào)控模型構(gòu)建方...

2025-06-25 標(biāo)簽：碳化硅晶圓厚度 TTV 334 0

高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案

SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽(yáng)能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過(guò)機(jī)械固定在機(jī)箱上，因此水平安裝往往很常見(jiàn)，在這種情況下，隔離...

2023-11-01 標(biāo)簽：太陽(yáng)能逆變器 SiC 309 0

真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC，正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 碳化硅 297 0

蘋果派和電源轉(zhuǎn)換器效率

以“母性和蘋果派”的陳述開(kāi)始博客總是很誘人的，比如更好的功率轉(zhuǎn)換效率的好處列表。更高顯然是一個(gè)優(yōu)勢(shì)，但有時(shí)凈收益被錯(cuò)誤地陳述了——家用電子產(chǎn)品的一點(diǎn)熱量...

2023-02-20 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管碳化硅 295 0

碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x器的選型指南與應(yīng)用場(chǎng)景分析

引言碳化硅襯底 TTV（總厚度變化）厚度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響半導(dǎo)體器件性能。合理選擇測(cè)量?jī)x器對(duì)準(zhǔn)確獲取 TTV 數(shù)據(jù)至關(guān)重要，不同應(yīng)用場(chǎng)...

2025-06-03 標(biāo)簽：測(cè)量?jī)x器碳化硅晶圓厚度 295 0

使用碳化硅 MOSFET 降低高壓開(kāi)關(guān)模式電源系統(tǒng)的損耗

作者： Art Pini 從電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 逆變器到儲(chǔ)能和充電站，電力電子應(yīng)用的數(shù)量和多樣性持續(xù)增加。這些應(yīng)用需要更高的工作電壓、...

2025-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅開(kāi)關(guān)模式電源 264 0

碳化硅襯底高溫加工場(chǎng)景下測(cè)量探頭溫漂的動(dòng)態(tài)修正方法

引言碳化硅襯底高溫加工過(guò)程中，溫度的劇烈變化會(huì)引發(fā)測(cè)量探頭溫漂，嚴(yán)重影響襯底厚度等參數(shù)的測(cè)量精度，進(jìn)而干擾加工工藝的精準(zhǔn)控制。探尋有效的動(dòng)態(tài)修正方法，...

2025-06-06 標(biāo)簽：測(cè)量碳化硅晶圓厚度 252 0

聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案

第二項(xiàng)關(guān)鍵測(cè)試是短路耐受時(shí)間 (SCWT)，或者說(shuō)軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長(zhǎng)耐受時(shí)間。測(cè)試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT，其中大多數(shù)擁...

2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器碳化硅 249 0

切割進(jìn)給量與碳化硅襯底厚度均勻性的量化關(guān)系及工藝優(yōu)化

引言在碳化硅襯底加工過(guò)程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制...

2025-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅晶圓厚度 249 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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