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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動(dòng)汽車直流快充開發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格

2023-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車充電樁碳化硅 1437 0

光刻機(jī)精密碳化硅陶瓷部件揭秘

集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強(qiáng)度、高彈性模量、高導(dǎo)熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，且且結(jié)構(gòu)件要具有極高的尺寸精度和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，...

2024-03-07 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)光刻技術(shù) 1434 0

SiC與Si它們兩者本身有什么不同呢？

始于19世紀(jì)初期半導(dǎo)體材料的研究至今已經(jīng)由第一代半導(dǎo)體材料發(fā)展到了第四代半導(dǎo)體材料，其中較為矚目的莫過(guò)于第一代半導(dǎo)體材料si和第三代半導(dǎo)體材料sic了。

2023-08-23 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器 IGBT 1432 0

功率晶體管的歷史和新興設(shè)計(jì)

到20世紀(jì)中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過(guò)照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過(guò)高效電機(jī)實(shí)現(xiàn)的制冷，...

2022-12-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1432 0

碳化硅MOSFET的可靠有效控制

對(duì)基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長(zhǎng)，以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量，從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...

2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1432 0

碳化硅的極端耐用性

碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的，通常以單晶形式生長(zhǎng)。其固有的材料特性，加上作為單晶生長(zhǎng)，使其成為市場(chǎng)上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...

2023-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1432 0

大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵功率模塊 1431 0

碳化硅襯底片比較重要的參數(shù)有哪些？

Lattice Parameters：晶格參數(shù)。確保襯底的晶格常數(shù)與將要生長(zhǎng)的外延層相匹配，以減少缺陷和應(yīng)力。

2024-05-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1424 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 1424 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 1424 0

碳化硅功率晶體的設(shè)計(jì)發(fā)展及驅(qū)動(dòng)電壓限制

在硅材料的高壓超級(jí)結(jié)功率晶體中，磊晶層的通態(tài)電阻占總通態(tài)電阻的90%以上。

2021-10-25 標(biāo)簽：碳化硅功率晶體管 1422 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-02-03 標(biāo)簽：變頻器電力電子 SiC 1417 0

SiC MOSFET發(fā)展趨勢(shì)與解決方案

毫無(wú)疑問(wèn)，所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過(guò)去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗(yàn)場(chǎng)。基于 SiC 的傳動(dòng)系統(tǒng)逆變器——將來(lái)...

2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件碳化硅 1402 0

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動(dòng)器更高功率密度

牽引驅(qū)動(dòng)器是電動(dòng)汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)必須盡可能提高效率，同時(shí)以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動(dòng)汽車的續(xù)航能力。

2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器 IGBT 1399 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1397 0

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 1394 0

高效SiC功率器件的演進(jìn)

純SiC晶體是通過(guò)Lely升華技術(shù)生長(zhǎng)的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復(fù)制的SiC晶...

2022-12-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車混合動(dòng)力汽車晶體管 1387 0

一種基于實(shí)際頻率測(cè)量的多頻方法來(lái)構(gòu)建復(fù)頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實(shí)現(xiàn)特征成像。

2023-08-31 標(biāo)簽：傳感器衰減器 SiC 1387 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1384 0

什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來(lái)，使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導(dǎo)體）元器件備受矚目。這是因?yàn)?，為了?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料 SiC 1382 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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碳化硅

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