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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導(dǎo)體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導(dǎo)率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料碳化硅 MOS器件 1299 0

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1297 0

碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動力

隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運輸領(lǐng)域的變革，因為我們需...

2024-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅汽車 1296 0

碳化硅二極管的區(qū)別和應(yīng)用市場

碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。

2023-02-15 標(biāo)簽：電源二極管碳化硅 1283 0

Littelfuse新型1300V A5A溝槽分立式IGBT在電動汽車中的應(yīng)用

Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應(yīng)用而設(shè)計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓...

2025-04-09 標(biāo)簽：電動汽車 IGBT Littelfuse 1274 0

全新沉積技術(shù)SPARC實現(xiàn)先進(jìn)邏輯和DRAM集成設(shè)計

使用 SPARC 或單個前驅(qū)體活化自由基腔室技術(shù)制造的碳化硅氧化物 (SiCO) 薄膜具備密度大、堅固耐用、介電常數(shù)低 ~ 3.5-4.9、泄漏率低、厚...

2022-09-29 標(biāo)簽：DRAM SPARC 碳化硅 1271 0

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1269 0

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點，使其在高效能、高頻率和高溫...

2024-09-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1269 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢？

在高功率應(yīng)用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 寄生電容 1268 0

分享一種碳化硅器件功率循環(huán)測試解決方案

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 電力電子器件 SiC 1268 0

TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討

去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，對于揭示碳化硅器件規(guī)格書遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能提供的碳化硅器件特性。

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅 TechInsights 1265 0

碳化硅MOSFET在電動汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

空調(diào)壓縮機是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MO...

2023-04-17 標(biāo)簽：電動汽車 MOSFET 控制器 1262 0

碳化硅（SiC）在汽車電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設(shè)計高功率密度，從而設(shè)計緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1258 0

使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率

兩種元件都已經(jīng)利用雙脈波測試，從動態(tài)的角度加以分析。兩者的比較是以應(yīng)用為基礎(chǔ)，例如600 V匯流排直流電壓，開啟和關(guān)閉的dv/dt均設(shè)定為5 V/ns。

2020-06-04 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅工業(yè)驅(qū)動器 1250 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

2023-06-28 標(biāo)簽：封裝功率器件 SiC 1248 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件 SiC 1248 0

山大與南砂晶圓團隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面的突破

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率、強化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)良特性

2023-08-31 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 1246 0

陶瓷基板制備工藝研究進(jìn)展

目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...

2023-06-27 標(biāo)簽：pcb 印制電路板功率器件 1246 0

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，很有機會在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時效...

2020-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1246 0

碳化硅在車用逆變器的妙用

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：硅材料碳化硅寬禁帶 1240 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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