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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注25人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2533個(gè) 瀏覽：50476次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場(chǎng)合”

      中等功率應(yīng)用是Wolfspeed WolfPACK功率模塊“最理想的應(yīng)用場(chǎng)合”

      經(jīng)過(guò) 30 多年的碳化硅（SiC）研發(fā)，我們目前的產(chǎn)品組合中包含各種 SiC 肖特基二極管、MOSFET 和功率模塊，涵蓋了廣泛的功率要求。相較于硅（S...

      2023-05-20 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器晶體管碳化硅 1755 0

      寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

      寬禁帶器件和仿真環(huán)境介紹

      寬禁帶材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電...

      2020-05-28 標(biāo)簽：功率MOSFET碳化硅寬禁帶 1754 0

      SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

      SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

      過(guò)去三十年，碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

      2024-10-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶圓 1749 0

      深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

      深入對(duì)比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET

      眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（M...

      2024-04-10 標(biāo)簽：MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管SiC 1743 0

      碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用

      碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...

      2023-11-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體SiC 1733 0

      影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的因素有哪些？

      影響高速SiC MOSFET開(kāi)關(guān)特性的因素有哪些？

      碳化硅（SiC）MOSFET支持功率電子電路以超快的開(kāi)關(guān)速度和遠(yuǎn)超100V/ns和10A/ns的電壓和電流擺率下工作。

      2023-08-28 標(biāo)簽：MOSFET功率轉(zhuǎn)換器體二極管 1732 0

      碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

      二十多年來(lái)，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作為一種寬禁帶功率器件，受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注。與硅相比，碳化硅具有很多優(yōu)點(diǎn)，如：碳化硅的禁...

      2022-11-12 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅 1729 0

      碳化硅電源的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

      碳化硅電源的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

      碳化硅 （SiC） 是一種成熟的器件技術(shù)，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用中，與硅 （Si） 技術(shù)（包括硅超結(jié) （SJ） ...

      2023-05-24 標(biāo)簽：IGBT晶體管碳化硅 1728 0

      碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

      碳化硅功率器件可靠性測(cè)試方法詳解

      可靠性，是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力，是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo)，如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能，則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...

      2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET功率器件可靠性測(cè)試 1726 0

      雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

      雜散電感對(duì)碳化硅功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試的影響

      電感是導(dǎo)體的一種特性，會(huì)阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會(huì)消耗電能，而是以磁場(chǎng)/電磁感應(yīng)的方式存儲(chǔ)釋放能量，以達(dá)到阻礙電流變化的目的。

      2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試碳化硅 1720 0

      碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

      隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器...

      2023-12-16 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體功率器件 1715 0

      安森美OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南

      安森美OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南

      “OBC系統(tǒng)解決方案設(shè)計(jì)指南”又上新了，第一篇文章介紹了系統(tǒng)用途、系統(tǒng)實(shí)施方法、系統(tǒng)說(shuō)明、市場(chǎng)趨勢(shì)和標(biāo)準(zhǔn)等，本文將繼續(xù)介紹解決方案概述及拓?fù)洹?/p>

      2024-08-20 標(biāo)簽：二極管安森美碳化硅 1708 0

      ?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革

      ?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革

      碳化硅（SiC）功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái)，汽車行業(yè)向電力驅(qū)動(dòng)的轉(zhuǎn)變推動(dòng)了碳化硅（SiC）應(yīng)用的增長(zhǎng)， 也...

      2024-01-02 標(biāo)簽：IGBT晶體管PFC 1708 0

      SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)！

      SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)！

      在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

      2024-04-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC 1706 0

      評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

      評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性

      由于其極低的開(kāi)關(guān)損耗，碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而，在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...

      2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1703 0

      碳化硅SiC和氮化鎵GaN的應(yīng)用

      在新能源汽車方面主要應(yīng)用在DC/AC逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器；3）在工業(yè)領(lǐng)域方面主要應(yīng)用在電力配送、鐵路運(yùn)輸、光伏產(chǎn)業(yè)、電機(jī)控制以及風(fēng)電渦輪機(jī)。

      2022-10-19 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)氮化鎵光伏逆變器 1702 0

      碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢(shì)

      寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說(shuō)明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

      2023-08-04 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體晶體管 1702 0

      分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

      分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

      消費(fèi)者、各行業(yè)及政府都在采取各項(xiàng)措施以增加對(duì)可再生能源的利用，這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的，支持本地發(fā)電的拓?fù)?，并通過(guò)...

      2020-12-14 標(biāo)簽：光伏發(fā)電分布式碳化硅 1701 0

      電機(jī)碳化硅技術(shù)要求 電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)

      　　電機(jī)碳化硅是一種由碳和硅組成的復(fù)合材料，具有優(yōu)異的電學(xué)性能、良好的熱穩(wěn)定性、良好的耐腐蝕性和絕緣性，可以用于電機(jī)的絕緣層、熱管理、電學(xué)性能和耐腐蝕性...

      2023-02-14 標(biāo)簽：電機(jī)碳化硅 1697 0

      碳化硅（SiC）芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

      碳化硅（SiC）芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

      芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開(kāi)爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。

      2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFET芯片設(shè)計(jì)SiC 1696 0

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        +關(guān)注
        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
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        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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      • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
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        +關(guān)注
        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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        Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
      • 柵極驅(qū)動(dòng)器
        柵極驅(qū)動(dòng)器
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        　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
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        華星光電
        +關(guān)注
        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
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        研華
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      • 32位單片機(jī)
        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
      • Cortex-A
        Cortex-A
        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
      • CC2541
        CC2541
        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
      • PFM
        PFM
        +關(guān)注
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