關于碳化硅的一些分享

理想比導通電阻的一個關系式，其中WD是滿足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度，q是電子電荷，ND是漂移區(qū)的摻雜濃度，μn是電子遷移率，εn是半導體介電常數(shù)，...

2023-05-23 標簽：MOSFETIGBT肖特基二極管 1986 0

一文解析SiC功率器件互連技術

和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶...

2024-03-07 標簽：MOSFET功率器件互連技術 1983 0

用于電力電子設計的高性能SiC MOSFET技術

一個合適的設備概念應該允許一定的設計自由度，以便適應各種任務配置文件的需求，而無需對處理和布局進行重大更改。然而，關鍵性能指標仍將是所選設備概念的低面積...

2022-07-28 標簽：MOSFETSiC碳化硅 1979 0

淺談碳化硅流程的核心技術

一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延...

2023-06-03 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1977 0

SiC相較于Si的優(yōu)勢是什么？碳化硅的實際應用優(yōu)勢

如今，大多數(shù)半導體都是以硅（Si）為基材料，但近年來，一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅，也稱為SiC。目前，SiC主要應用于M...

2023-09-05 標簽：二極管太陽能半導體 1964 0

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特...

2024-03-28 標簽：電容器MOSFET安森美 1952 0

SiC MOSFET柵極驅動電路的優(yōu)化方案

在高壓開關電源應用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標簽：MOSFET開關電源驅動電路 1947 0

碳化硅相對于硅的優(yōu)勢

在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-11-07 標簽：驅動器逆變器IGBT 1943 0

揭秘碳化硅芯片的設計和制造

眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個...

2023-04-06 標簽：芯片MOSFETSiC 1926 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應用

碳化硅是一種寬帶隙半導體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導率、更大的電場擊穿強度和更高的載流子遷移率等特點。

2024-04-10 標簽：電動汽車功率器件SiC 1924 0

2022年開工第一天，派恩杰半導體在全球首推PD 快充的碳化硅應用方案

派恩杰半導體在此65W USB PD快充方案中， 在不更改任何驅動參數(shù)條件下與傳統(tǒng)硅功率器件650V/125mohm進行性能比較， 在滿載條件下完整展現(xiàn)...

2022-02-08 標簽：碳化硅USB PD派恩杰 1923 0

陽光電動力混合動力雙電機控制器四大關鍵

針對整車發(fā)動機艙裝配空間有限的痛點，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設計，應用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結構更加緊湊，實現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標簽：發(fā)動機控制器電機控制器 1919 0

國產(chǎn)CVD設備在4H-SiC襯底上的同質(zhì)外延實驗

SiC薄膜生長方法有多種，其中化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較...

2023-06-19 標簽：新能源汽車晶圓SiC 1917 0

碳化硅技術如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓撲結構，包括傳統(tǒng)PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

2021-04-14 標簽：電動汽車二極管安森美半導體 1901 0