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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2122 0

使用碳化硅SiC進(jìn)行雙向充電機(jī)OBC設(shè)計

電動汽車車載充電機(jī)（On Board Charger，OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從微型電動汽車應(yīng)用中的2KW，到高端電動汽車中...

2023-12-13 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 2117 0

具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設(shè)計

北京工業(yè)大學(xué)和中國北京大學(xué)報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標(biāo)簽：SBD SiC GaN 2116 0

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 2105 0

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場份額預(yù)計將在未來幾年加速增長，主要推動因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動力傳動牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽：MOSFET 肖特基二極管碳化硅 2096 0

碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更...

2024-02-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 2084 0

淺談電驅(qū)系統(tǒng)的演進(jìn)路線及最核心技術(shù)

在電驅(qū)最重要的“動力”屬性上，目前大多數(shù)的電車都存在動力過?，F(xiàn)象，以36w+的特斯拉 Model3P 為例，加速可以秒掉200w左右的性能油車，3w的宏...

2023-01-10 標(biāo)簽：電機(jī)控制減速器碳化硅 2075 0

背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用

當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 2067 0

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 2067 0

碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2058 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計模擬器快速啟動基于碳化硅的設(shè)計

了解電源中碳化硅（SiC） MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計過程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比，作為一項相對較新的技術(shù)，可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽：電源 MOSFET 碳化硅 2056 0

淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...

2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路 MOSFET 半導(dǎo)體材料 2047 0

芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測試

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用，具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢，它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛，越來越無法離開，因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...

2023-08-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體可靠性測試 2031 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件是怎樣制造出來的

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...

2022-11-02 標(biāo)簽：濾波器 SiC 碳化硅 2028 0

探討碳化硅材料在制備晶圓過程中的關(guān)鍵技術(shù)和優(yōu)勢

隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展和對高效能電子器件的需求不斷增長，傳統(tǒng)硅材料在面對一些特殊應(yīng)用場景時已經(jīng)顯示出其局限性。

2023-12-25 標(biāo)簽：傳感器無線通信漏電流 2014 0

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。

2023-09-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1998 0

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊

Nexperia與KYOCERA AVX Components(薩爾茨堡)合作，為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊。新型功率器件專為工業(yè)電...

2023-10-13 標(biāo)簽：整流器高頻電源碳化硅 1997 0

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法

一種用非金屬掩模層蝕刻碳化硅的方法。該方法包括提供碳化硅基底；通過在基底上施加一層材料來形成非金屬掩模層；形成掩模層以暴露基底的底層區(qū)域；并以第一速率用...

2022-03-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅刻蝕 1997 0

晶圓劃片機(jī)的技術(shù)指標(biāo)有哪些？晶圓劃片機(jī)選擇因素有哪些？

晶圓劃片機(jī)是一種用于將半導(dǎo)體晶圓切割成小尺寸芯片的設(shè)備。它在半導(dǎo)體制造過程中起著關(guān)鍵的作用。

2023-08-21 標(biāo)簽：硅晶圓劃片機(jī)碳化硅 1992 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1991 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

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