Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN...

2024-05-08 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 942 0

格恩半導(dǎo)體發(fā)布十多款氮化鎵半導(dǎo)體激光器

氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點，波長范圍覆蓋可見光和紫外波段，應(yīng)用場景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域...

2023-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光芯片 942 0

納微半導(dǎo)體公布第四季度和全年未經(jīng)審計財務(wù)業(yè)績

第四季度收入達2,610萬美元，同比增長111%，環(huán)比增長19%

2024-03-04 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵人工智能 941 0

納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財務(wù)業(yè)績

納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。

2025-05-08 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 940 0

CGD推出高效環(huán)保GaN功率器件

近日，無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動電子器件...

2024-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 939 0

日本設(shè)立共同研究室 加快新一代功率半導(dǎo)體氮化鎵功研發(fā)

據(jù)報道，共同研究室預(yù)計將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質(zhì)運用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率...

2016-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 938 0

氮化鎵快充控制芯片是什么

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時，可以實現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超...

2023-11-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 929 0

日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓

1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （Ga...

2025-01-09 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 918 0

氮化鎵給生活帶來怎樣的便利

氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。

2023-11-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 914 0

Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵器件

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮...

2024-05-23 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 908 0

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作

2023-03-01 標(biāo)簽：氮化鎵功率模塊汽車 906 0