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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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近日，美國芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項重要進(jìn)展。其位于日本會津的工廠已經(jīng)正式投產(chǎn)基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體。這一舉措標(biāo)志著德州儀器在氮化鎵功...
2024-10-29 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 873 0
芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...
2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 873 0
據(jù)外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...
寬帶隙器件對于下一代空間系統(tǒng)的發(fā)展具有重要意義
長期以來，硅基器件一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的基準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)。從 2007 年開始，由于摩爾定律的失敗，復(fù)合材料被開發(fā)出來，特別關(guān)注寬帶隙半導(dǎo)體，因?yàn)樗鼈兝昧酥匾?..
2022-09-11 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵半導(dǎo)體器件 871 0
CGD開發(fā)GaN,致力于打造更環(huán)保電子器件
位于英國劍橋市的無晶圓制造環(huán)?？萍夹桶雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（簡稱 CGD）研發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，主...
據(jù)晶湛半導(dǎo)體消息，晶湛半導(dǎo)體業(yè)界公認(rèn)的硅氮化鎵（e -on-si）外延技術(shù)開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地
氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容。
SuperTank Pro雙十一斬獲亮眼成績！征拓100W產(chǎn)品戰(zhàn)略大獲成功
SuperTank系列接連兩款產(chǎn)品傲視群雄，亮眼成績證明，Zendure征拓有搶占高性能移動電源市場的制勝邏輯。
北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室
近日，北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下，走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，開啟了一場科技探秘之...
關(guān)于氮化鎵功率器件的產(chǎn)品預(yù)覽
在PD快充領(lǐng)域推出了DFN系列產(chǎn)品，在電源適配器領(lǐng)域推出了TO系列產(chǎn)品，在工業(yè)領(lǐng)域則針對高頻與高可靠性的需求，推出了PIIP系列產(chǎn)品。
英飛凌推出EasyPACK CoolGaN 650V晶體管模塊
隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及，以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù)，預(yù)計全球?qū)﹄娏Φ男枨髮焖僭鲩L。
納微聯(lián)手重力星球：全球首款變形金剛聯(lián)名65W氮化鎵充電器發(fā)布！
“狗氮”造型如同機(jī)器人萌寵，360°旋轉(zhuǎn)磁吸天線和45°可折疊雙腿設(shè)計賦予了它更多的可玩性。兩款個性化配色取自兩位變形金剛?cè)藲饨巧嫣熘痛簏S蜂，機(jī)...
65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本！
驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD7...
UE Electronic即將推出新型氮化鎵智能插座，全方位展現(xiàn)品質(zhì)高端、時尚性能
人們消費(fèi)需求追求個性化、多樣化、品質(zhì)化，“品質(zhì)+時尚”的消費(fèi)日益走俏，消費(fèi)場景更加多元，智能插座市場規(guī)模不斷擴(kuò)大，新型智能插座將掀起消費(fèi)升級的浪潮。UE...
投資5000萬元！瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)
本次投資是瑞能半導(dǎo)從長遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定，中電化合物在未來實(shí)際經(jīng)營中可能面臨宏觀經(jīng)濟(jì)、行業(yè)政策、市場變化、經(jīng)營管理等因素的不確定性風(fēng)險。瑞能半...
2023-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅瑞能半導(dǎo)體 853 0
GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場趨勢研究報告
根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項目團(tuán)隊最新調(diào)研，預(yù)計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬美元，2024-2030年期...
電力電子行業(yè)專家領(lǐng)導(dǎo)齊聚蘇州，共話行業(yè)發(fā)展新方向
由愛戴愛集團(tuán)主辦，《Bodo‘s功率系統(tǒng)》雜志協(xié)辦的PEC-電力電子峰會蘇州站將于10月25-26號蘇州會議中心拉開序幕。此次PEC-電力電子峰會蘇州站...
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車...
A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯(lián)寶科技推...
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