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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制開始生效
今天是2023年8月1日，是偉大的中國人民解放軍的建軍節(jié)，也是中華人民共和國經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，商務(wù)部、海關(guān)總署決定對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制開始生效的日子...
功率半導(dǎo)體器件 氧化鎵市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴(kuò)大。
COSEL推出用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源
基于氮化鎵和平面磁性等最新電力電子技術(shù)，新型電源可為工業(yè)應(yīng)用節(jié)省高達(dá)58%的電路板空間。 COSEL 的 TE 系列是用于工業(yè)應(yīng)用的新一代高度緊湊型電源...
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中，氮化鎵（GaN）芯片作為一種新型的電力電子器件，因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點，已經(jīng)開始在各個領(lǐng)域...
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長碳...
Transphorm上季度營收320萬美元 全年銷售額1470萬美元
該公司的收入為320萬美元，前一季度為450萬美元，2022會計年度第四季度為490萬美元。運(yùn)營費(fèi)用為850萬美元，上季度為720萬美元，2022會計年...
2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵Transphorm 994 0
力德諾70W多口氮化鎵充電器自帶1.5米可拆卸電源線設(shè)計，作為桌面充電器方便日常使用不受空間限制。產(chǎn)品配有LED屏幕可以顯示實時輸出功率，方便了解設(shè)備的...
e絡(luò)盟開售InnoSwitch?3系列IC，進(jìn)一步擴(kuò)大Power Integrations產(chǎn)品陣容
InnoSwitch3系列IC采用PowiGaN?技術(shù)，在各種負(fù)載條件下的效率均高達(dá) 95%，且在封閉式適配器應(yīng)用中無需散熱片就可實現(xiàn)高達(dá)100W的輸出功率。
碳化硅襯底產(chǎn)品通過外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。
晶通半導(dǎo)體獲6000萬Pre-A輪融資,加速氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新
9月19日，晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司（簡稱“晶通半導(dǎo)體”）正式宣布完成了總額達(dá)6000萬元人民幣的Pre-A輪融資，本輪融資吸引了賽富投資基金、知名天...
2024-09-23 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動芯片功率半導(dǎo)體 987 0
瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm宣布，雙方已達(dá)成最終收購協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Trans...
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開放日，現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動，就兩周前行業(yè)發(fā)布會上提出的”SuperIDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)資...
自去年下半年以來，全球半導(dǎo)體因為需求端持續(xù)低迷而進(jìn)入下行通道，到目前為止，這樣的趨勢仍未改變，在這樣的形勢下，很多公司選擇停止擴(kuò)張，收縮抗寒 ，不過也有...
2023-06-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵功率半導(dǎo)體 980 0
三星進(jìn)軍化合物半導(dǎo)體代工市場，各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報
報道強(qiáng)調(diào)，隨著全球消費(fèi)電子、電動汽車領(lǐng)域的技術(shù)升級和需求成長，功率半導(dǎo)體的價格一直在上漲。因此，市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導(dǎo)體...
2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN半導(dǎo)體代工 979 0
納微半導(dǎo)體全速助力蔚來手機(jī)，GaNFast?氮化鎵快充提升車手互聯(lián)用戶體驗
為支撐如此強(qiáng)大且齊全的功能，蔚來給這款手機(jī)配備了一顆5,200mAh的大容量電池，隨手機(jī)標(biāo)配的GaNFast氮化鎵快速充電器，可為該手機(jī)提供最大66W的...
2023-12-08 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 978 0
Porotech是英國劍橋大學(xué)的子公司，正在開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術(shù)，用于AR微顯示器。
2024-01-10 標(biāo)簽：氮化鎵GaN可穿戴設(shè)備 977 0
該發(fā)明的核心在于一種以氮化鎵薄膜為主要材料的氣體傳感器的制備與運(yùn)用。其制法包括：首先，通過對襯底進(jìn)行鍍膜工藝生成非晶氮化鎵薄膜，然后將其加熱至特定溫度，...
Micro LED的高亮度、高可靠性、以及超低功耗的超緊湊外形對AR而言具有主要優(yōu)勢。但同時，Micro LED的效率隨著芯片尺寸的縮小而下降。三星的研...
由于對設(shè)計、制造業(yè)者來說，資金、良率、成本、技術(shù)等環(huán)節(jié)皆為投入GaN領(lǐng)域的考驗，因此早期多由歐美IDM業(yè)者開始發(fā)展，如今，已演變?yōu)闃I(yè)界擴(kuò)大合作，加快產(chǎn)業(yè)...
納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)全新電動汽車設(shè)計中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-05-09 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 974 0
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