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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

金剛石散熱黑科技 | 氮化鎵器件熱管理新突破

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2025-03-13 標(biāo)簽:氮化鎵熱管理金剛石 973 0

英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!

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作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者,氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化鎵技術(shù)的...

2024-12-06 標(biāo)簽:英飛凌電壓氮化鎵 970 0

首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件

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首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件    國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)  推出...

2010-03-06 標(biāo)簽:氮化鎵功率級(jí)器件 969 0

海外半導(dǎo)體巨頭紛紛入局 Chiplet

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2023-12-02 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 968 0

德州儀器推出全新功率轉(zhuǎn)換器件

德州儀器(TI)近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列,旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出,從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性...

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三星,入局八英寸氮化鎵代工

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2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 963 0

MDD 詳解PD快充應(yīng)用方案

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2022-08-26 標(biāo)簽:氮化鎵PD快充MDD 963 0

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件

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2024-01-18 標(biāo)簽:封裝氮化鎵引腳 963 0

TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車(chē)用GaN FET

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小型升壓轉(zhuǎn)換器的概念和工作原理

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氮化鎵應(yīng)用拓展加速,從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

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2023-03-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 959 0

恩智浦慶祝射頻技術(shù)創(chuàng)新60周年;并在國(guó)際微波研討會(huì)上力推5G基站解決方案

火奴魯魯 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日舉行的國(guó)際微波研討會(huì)(International Microwave Sympo...

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1200V氮化鎵挑戰(zhàn)SiC是否真的可行?

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在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以類(lèi)似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN(氮化鎵)功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。

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納微半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過(guò)四千萬(wàn)顆,氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展

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數(shù)據(jù)中心能耗越來(lái)越大,氮化鎵會(huì)是效救星嗎?

在AI的蓬勃發(fā)展下,數(shù)據(jù)中心對(duì)電力與運(yùn)算的需求呈正比成長(zhǎng),激增的用電量不僅對(duì)營(yíng)運(yùn)效率造成壓力,更成為數(shù)據(jù)中心達(dá)成凈零排放目標(biāo)的阻礙。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所采用的...

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全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè),效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——...

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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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