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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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中科院最新實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示:一片比指甲蓋還小的納米金剛石膜,能讓氮化鎵器件壽命暴增8倍!華為被曝光的實(shí)驗(yàn)室視頻更震撼:用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米級(jí)鉆...
英飛凌全新一代氮化鎵產(chǎn)品重磅發(fā)布,電壓覆蓋700V!
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者,氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性,引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新,隨著氮化鎵技術(shù)的...
根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù),2022 年通富微電是全球第四,中國(guó)大陸第二 OSAT 廠商,全球市占率 6.51%。公司收購(gòu) AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...
德州儀器(TI)近日推出兩款創(chuàng)新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列,旨在幫助工程師在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率輸出,從而以更低的成本提供卓越的功率密度。這一突破性...
具體到三星方面,在今年三月,有報(bào)道指出,三星已支出約2,000億韓元(約1.54億美元),準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體,用于電源...
2023-06-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 963 0
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場(chǎng)的爆發(fā),消費(fèi)類(lèi)電源市場(chǎng)對(duì)高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開(kāi)發(fā)高頻率快充電源時(shí),找元器件現(xiàn)貨上唯樣...
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件
全球領(lǐng)先的氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.(納斯達(dá)克:TGAN)今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝(T...
TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車(chē)用GaN FET
德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示:“工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力,設(shè)計(jì)人員必須提供能在終端設(shè)備長(zhǎng)久...
2020-11-11 標(biāo)簽:電源管理德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 961 0
在 2000 年,服務(wù)器前端電源管理單元 (PSU) (通過(guò)交流輸入產(chǎn)生 12V/48V 直流軌) 達(dá)到了約 10W/in3 的功率密度,峰值效率約為 ...
2025-06-12 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器服務(wù)器氮化鎵 960 0
氮化鎵應(yīng)用拓展加速,從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
據(jù)統(tǒng)計(jì),來(lái)自消費(fèi)電子快充的需求是整個(gè)氮化鎵市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力,占氮化鎵器件市場(chǎng)總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體,氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢(shì),未來(lái)會(huì)在功率領(lǐng)域...
2023-03-21 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 959 0
恩智浦慶祝射頻技術(shù)創(chuàng)新60周年;并在國(guó)際微波研討會(huì)上力推5G基站解決方案
火奴魯魯 – IMS 2017 – 2017年6月5日 –在6月4-9日舉行的國(guó)際微波研討會(huì)(International Microwave Sympo...
在全球最大的電力電子展 PCIM Europe 2023 上,旨在以類(lèi)似硅的成本實(shí)現(xiàn)垂直 GaN(氮化鎵)功率晶體管的歐洲財(cái)團(tuán) YESvGaN 介紹了其方案。
納微半導(dǎo)體宣布成功發(fā)貨超過(guò)四千萬(wàn)顆,氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者加速發(fā)展
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過(guò)四千萬(wàn)顆,終端市場(chǎng)故障率為零。
2022-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 958 0
數(shù)據(jù)中心能耗越來(lái)越大,氮化鎵會(huì)是效救星嗎?
在AI的蓬勃發(fā)展下,數(shù)據(jù)中心對(duì)電力與運(yùn)算的需求呈正比成長(zhǎng),激增的用電量不僅對(duì)營(yíng)運(yùn)效率造成壓力,更成為數(shù)據(jù)中心達(dá)成凈零排放目標(biāo)的阻礙。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所采用的...
2023-10-18 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 950 0
我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對(duì)電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場(chǎng)中,他們只需要越來(lái)越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過(guò) 90%,這讓您進(jìn)入鈦...
三星將于2025年啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工
三星啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績(jī)壓力很大,市場(chǎng)疲軟、存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤(rùn)暴跌,根據(jù)三星電子公布的2023...
Wise-integration與益登科技針對(duì)GaN IC電源半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣展開(kāi)渠道合作
益登科技與Wise-integration的策略合作將著重于利用Wise-integration的GaN功率晶體管和數(shù)字控制能力,并與益登科技在亞洲地區(qū)...
專(zhuān)為電機(jī)驅(qū)動(dòng)打造!納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業(yè)應(yīng)用帶來(lái)行業(yè)領(lǐng)先的性能、效率與可靠性
全集成保護(hù)型氮化鎵功率芯片搭配雙向無(wú)損耗電流檢測(cè),效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——...
2025-05-09 標(biāo)簽:氮化鎵 945 0
氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電...
2025-06-20 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)氮化鎵電源IC 943 0
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