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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。E...
來源：湖北九峰山實驗室 ? 2023年11月，九峰山實驗室基于氮化鎵（GaN）材料的太赫茲肖特基二極管（SBD）研制成功。經(jīng)驗證，該器件性能已達到國際前...
中瓷電子購買博威公司/國聯(lián)萬眾股權(quán)獲深交所受理
據(jù)悉，本次募集配套資金擬在支付本次重組相關(guān)費用后投入氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項目、通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項目、第三代半導(dǎo)體工藝及封測...
美國半導(dǎo)體晶圓制造商：中國子公司將立即申請鎵、鍺出口許可
7月3日，中國商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布公告，表示對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制，其中包含金屬鎵、氮化鎵（多晶、單晶、晶片、外延片等多種形態(tài)）、鍺外延生長襯底等...
比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。
科雅MPB 105J450V薄膜電容用于煊陽100W氮化鎵桌面充電器
煊陽科技是一家在電子產(chǎn)品制造和研發(fā)領(lǐng)域具有顯著影響力的企業(yè)。該公司一直專注于開關(guān)電源、適配器、充電器、LED驅(qū)動器的開發(fā)、制造與銷售。
2024-03-07 標(biāo)簽：充電器led驅(qū)動器氮化鎵 1029 0
用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進入普及階段。使用碳化硅（SiC）的半導(dǎo)體以純電動汽 用于控制電力的功率半導(dǎo)體的新一代產(chǎn)品已進入普及階段。使用碳化...
2022-11-11 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率半導(dǎo)體 1028 0
近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...
全球領(lǐng)先氮化鎵IDM企業(yè)發(fā)力，33W GaN快充迅速上量
外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計更是十分精簡，通過圖片可見，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實現(xiàn)了核心技術(shù)的...
三星在2023年年度三星代工論壇 (SFF) 上公布了更新的制造技術(shù)路線圖。該公司有望分別于 2025年和 2027年在其 2納米和 1.4納米級節(jié)點上...
報道援引韓工業(yè)部官員消息稱，韓國企業(yè)目前仍有可維持約40天左右生產(chǎn)所需的鎵庫存，而且他們能夠從美國和加拿大等中國以外的國家進口鍺產(chǎn)品，不過當(dāng)局仍希望通過...
羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體
羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布，雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進行合作，共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。
貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品
Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實現(xiàn)一個萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近收購了Custom MMIC，將其并入了自己的基礎(chǔ)設(shè)施...
此次收購將為瑞薩電子提供自主的GaN技術(shù)，從而將其業(yè)務(wù)范圍擴大到電動汽車、計算（數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施）、可再生能源、工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等快速增長的市場。
ASML是全球芯片制造設(shè)備領(lǐng)導(dǎo)廠商，其生產(chǎn)的XT400和XT860 的i-line和KrF經(jīng)過升級，能夠在硅基晶圓上制造氮化鎵功率器件。
Mojo Vision開發(fā)300mm藍色硅基氮化鎵Micro LED陣列晶圓
Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢，這對于擴展現(xiàn)實 (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費電子和高...
意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)...
2023-09-12 標(biāo)簽：驅(qū)動器意法半導(dǎo)體氮化鎵 1007 0
如何選擇性價比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品
選擇氮化鎵芯片時，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標(biāo)，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號的氮化鎵芯片有不同的性能特點，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合...
QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述
QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器，選用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化鎵(QGaN15)制造技術(shù)。QPA4246D對于37....
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
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